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溶胶-凝胶法制备Y掺杂ZnO薄膜及其光电性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了不同掺Y浓度的ZnO透明导电薄膜。X射线衍射(XRD)表明,所制备的Y掺杂ZnO透明导电薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有C轴择优取向。随着Y掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动。UV透射曲线表明,薄膜在可见光区(400~800nm)的平均透过率超过85%,具有明显的紫外吸收边,通过改变Y的掺入浓度,可以使吸收边向短波方向移动,从而使薄膜的禁带宽度可调。制备的Y掺杂ZnO薄膜电阻率最小值为3.68×102Ω·cm。 相似文献
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Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电薄膜 总被引:9,自引:0,他引:9
采用Sol-Gel工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向性、高可见光透过率以及高电导率的Al3+离子掺杂的ZnO透明导电薄膜.利用SEM、XRD等分析手段对薄膜进行了表征.研究结果表明:所制备的薄膜为纤锌矿型结构,表面平整、致密.通过标准四探针法及UVS透射光谱详细研究了Al3+离子掺杂的ZnO薄膜的电学与光学性能.实验发现,当Al3+离子掺杂浓度为0.8%时,前处理温度为400℃,退火温度为550℃,真空退火温度为550℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为3.03× 10-3Ω@cm,其在可见光区的透过率超过80%. 相似文献
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利用溶胶-凝胶法制备出ZnO的凝胶前驱膜,用电子束退火取代传统炉子退火,对前驱膜进行后处理,退火时固定电子束加速电压为10kV,退火时间为5min,调节聚焦束流和电子束束流,使退火温度在600~900℃范围内变化。扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电力显微镜(PFM)的测试结果表明,运用电子束退火法可制备出晶粒尺寸小于30nm、沿(002)择优取向、具有压电效应的六方ZnO薄膜,且随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐变大,薄膜的结晶性和取向变好,压电效应越来越明显。 相似文献
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采用溶胶-凝胶(sol—gel)旋涂法在载玻片上制备了不同A1掺杂量的Mg—Al共掺杂ZnO薄膜.在室温下利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱仪等手段分析了Mg—Al共掺杂Zn0薄膜的微结构、形貌和发光特性.XRD结果表明Mg.AI&掺杂zn0薄膜具有六角纤锌矿结构;随着Al掺杂量的增加,共掺杂薄膜呈C轴取向生长.由SEM照片可知薄膜表面形貌随Al掺杂量的增加由颗粒状结构向纳米棒状结构转变.透射光谱表明共掺杂薄膜在可见光区内的透射率大于50%,紫外吸收边发生蓝移.在室温下的PL谱表明Mg—Al共掺杂zn0薄膜的紫外发射峰向短波长方向移动:Al掺杂摩尔分数为1%和3%的Mg—Al共掺杂ZnO薄膜的可见发射峰分别为596nm的黄光和565nm的绿光.黄光主要与氧间隙有关,而绿光主要与氧空位有关. 相似文献
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本对直流反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光学性能的影响。 相似文献
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采用sol-gel旋涂法在抛光硅〈111〉晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜。DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响。SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50~100nm,并显示出良好的C轴择优取向。 相似文献
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采用溶胶-凝胶工艺在普通载玻片上制备出C轴择优取向的ZnO:Al透明导电薄膜。利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等分析手段对薄膜进行了表征。通过标准四探针法及紫外分光光度计(UVS)透射光谱研究了ZnO:Al薄膜的电学与光学性能。实验发现:当Al^3+离子掺杂浓度为2%(原子分数),前处理温度为220℃、退火温度为580℃时,薄膜具有较好的导电性,电阻率为1.76×10^-3Ω-cm,其在可见光的平均透射率在80%左右。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO∶Al薄膜,在200~600℃下退火.利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加;薄膜在可见光范围内的透过率均>85%以上,退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高,光学带隙在3.32~3.54eV,且随着温度的升高而降低;薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低,但是仍较高,在103俜cm量级. 相似文献
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利用溶胶一凝胶法制备出ZnO的凝胶前驱膜,用电子束退火取代传统炉子退火,对前驱膜进行后处理,退火时固定电子束加速电压为10 kV,退火时间为5 min,调节聚焦束流和电子束束流,使退火温度在600~900℃范围内变化.扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和压电力显微镜(PFM)的测试结果表明,运用电子束退火法可制备出晶粒尺寸小于30nm、沿(002)择优取向、具有压电效应的六方ZnO薄膜,且随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐变大,薄膜的结晶性和取向变好,压电效应越来越明显. 相似文献
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通过溶胶.凝胶法,采用Al、F共掺杂的方法在4种不同的气氛下制备ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随退火气氛的变化关系.制备的Al:F:ZnO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜.4种退火气氛相比,在空气气氛下退火时,平均晶粒尺寸最大,为43.4nm,导电性能最好,电阻率可低达6.5×10^-2Ω·cm。4种退火气氛下,薄膜在可见光范围内的平均透过率均达到了75%以上,其中,空气气氛下退火时薄膜的透光性最好。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜及其光催化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶-凝胶法在普通玻璃表面制备了薄膜型ZnO光催化剂,通过XRD、Ab2d、UV-VIS等测试技术对ZnO薄膜进行了表征;以偶氮胭脂红为降解物,考察了薄膜退火温度、镀膜层数、溶液初始质量浓度和反应体系初始pH值对ZnO薄膜光催化性能的影响,并进行了相关机理的探讨.研究表明:溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜呈透明状,薄膜表面均匀分布着球形ZnO晶粒;随着退火温度的升高,ZnO晶粒在17~30mm范围内逐渐增大.光催化实验中ZnO薄膜光催化降解偶氮胭脂红的最佳工艺条件是:退火温度为300℃,镀膜层数为5层,溶液初始pH值为8~9. 相似文献
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溶胶—凝胶法制备Al^3+离子掺杂型ZnO薄膜与评价 总被引:11,自引:0,他引:11
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺在普通Na-Ca-Si玻璃基体上成功地制备出高c轴择优取向性、高可见光透光率以及高电导率的Al^3+离子掺杂型ZnO薄膜。利用SEM、XRD以及UVS光谱仪等分析方法对不同工艺下制备的薄膜进行了研究,结果显示,所制备的薄膜为纤锌矿型结构,表面均匀、致密、薄膜材料晶粒尺寸大约为50-200nm左右,薄膜可见光透光率最大可达99%;对薄膜的厚度以及电学性能进行了测定 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了ZnO∶ Li薄膜.研究了薄膜厚度对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明:所有薄膜均由具有c轴优先生长取向的六角纤锌矿结构的ZnO晶体构成,晶体的粒径随厚度的增加先增大而后减小;薄膜的方阻随厚度的增加先减小后增大,当薄膜厚度为6层时,可获得最低方阻;所有薄膜均是透明的,在可见光区的平均透光率>80%;薄膜具有较强的紫外、绿光发光特性以及微弱的蓝光发光特性,随着薄膜厚度的增加,三种发光峰逐渐增强. 相似文献