直接使用Cd（S,Se）颜料制备大红釉

论述了直接使用颜料制备大红釉的原理及工艺要点,给出了实验配方举例,论述了多熔块直接原料制备红釉的方法。     

直接使用Cd(S,Se)颜料制备大红釉

论述了直接使用颜料制备大红釉的原理及工艺要点;给出了实验配方举例;论述了多熔块直接原料制备红釉的方法。     

ZrSiO4-Cd(S,Se)包裹颜料液相反应工序模糊控制系统的设计

本文根据ZrSi04—Cd(S，Se)包裹颜料的生产实践需要，首次将模糊控制思想应用于陶瓷颜料的生产。设计了液相反应工序的模糊控制系统，采用双输入双输出的模糊控制器，同时控制酸性溶液与碱性溶液的流量及流量变化，达到稳定混合沉淀物的酸碱度的目的，从而减少颜料色差，提高产品质量。     

陶瓷用釉、颜料的研究技术动向

１前言 日本许多公立研究机构都对釉、颜料进行了大量研究,论文、专利也容易检索到。但公立研究机构的研究成果有时也不向外积极宣传,这种成果一般难以知道。现就掌握的资料,将１９９５年以后釉、颜料的研究课题归纳于表１,但收集得不全。没有报道的研究,有未列课题的日常基础研究,但实际更多的是实施应用研究。从表中我们可以看到几个倾向。关于饮食器皿铅溶出的研究,以前主要是釉上洋釉颜料,但最近日本国内要严格规定溶出标准,故又转向日式颜料。此外,有关抗菌陶瓷、透视炉的研究等也出了专集。本文主要介绍除上述以外的最新研…     

半导体CdE(E=S,Se, Te)纳米晶的胶体化学法合成进展

从纳米晶的粒径、粒径分布、形状、晶体结构以及表面态等方面介绍了胶体化学法合成纳米晶的研究进展;评述了试验条件对纳米晶形状及性质的影响;讨论了舍成纳米晶新原料与新方法的优缺点;分析了今后纳米晶应关注的问题。     

熔块法硒镉红釉的研制

论述了熔块法硒镉红釉的原理和工艺要点,给出了熔块组成及红釉实验配方。     

烧结法硒镉红釉的研制

论述了烧结法硒镉红釉的原理及工艺要点；给出试验配方举例。     

多熔块保护法高温大红釉的研究

本研究主要采用多种熔块同Cd(SrSe1-x)颜料一起混合,在漏底坩埚中流出并水淬制成颜色熔块再配置成釉。烧成温度1070℃,烧成周期49min,呈色纯正稳定。     

陶瓷发光釉的运用现状与展望

论述了长余辉发光釉的发光机理、陶瓷发光釉的分类、生产原理、研究运用现状,并且对长余辉发光釉料的发展进行了展望。     

新型镉硒红釉的研制

本文探讨了利用高温分解抑制剂（即负催化剂）提高硫硒化镉耐火度的机理,并辅以熔块保护法配制成烧成范围在1060℃－1340℃之间系列大红色釉,提高了镉硒大红色釉的烧成温度,拓宽了镉硒大红色釉的烧成范围。其中详细介绍了烧成范围在1060℃－1140℃之间的镉硒大红色釉的研制过程。     

镉硒红釉制作工艺的探讨

本文探讨了一种以固溶体型硫硒化镉陶瓷色剂１％、熔块用量４０－５０％半熔块釉制得的二次烧成、耐温１２００℃、镉本红釉的釉料组成及工艺控制对其呈色的影响。提出配料中引入适量的氟硅酸钠和ＣｄＯ作添加剂，对促进硫硒化镉颜料发色和在１２００℃下较稳定呈色起着良好的作用。该红釉适用于釉面砖及艺术陶瓷产品，具有应用、推广前景。     

Novel synthesis method for quaternary Cd(Cu,Zn)Se thin films and its characterizations

Nowadays, the search for novel compounds by chemical synthesis is in trend. Herein, we report the deposition of Cd_1-x-yZn_xCu_ySe (0.025 ≤ x = y ≤ 0.15) films by facile, industry-oriented chemical synthesis. The Cd_1-x-yZn_xCu_ySe thin films were deposited at the optimized growth conditions (temperature = 70 ± 0.1 °C, pH = 10.3 ± 0.1, substrate rotation speed = 70 ± 2 rpm and time = 100 min). As-synthesized thin films were characterized for physical, chemical, topographical and electrical attributes. The study of vibrational modes in Cd_1-x-yZn_xCu_ySe thin films was done with the help of Raman spectroscopy. Improvement in surface topography with the integration of Cu²⁺ and Zn²⁺ into the CdSe lattice has been noticed by the atomic force microscopy (AFM). The electrochemical impedance spectroscopy revealed lower values of R_s and R_ct for x = y = 0.05 composition. Chemical deposition of Cd_1-x-yZn_xCu_ySe thin films may offer an excellent way to fabricate quaternary chalcogenide-based absorber materials for solar cells.     

熔加色素法搪瓷色釉结构的研究

用ＳＥＭ、ＷＤＳ、ＩＲＲＳ、ＸＰＳ和ＡＳＳ对搪瓷色釉结构进行了研究熔加法的搪瓷色釉具有均匀分布的小尺寸、数量小的气孔。分析了搪瓷色釉的Ｏ１ｓ谱，并分解了成桥氧、非桥氧、及自由氧。熔加法的桥氧浓度远大于磨加法，而熔加法的非桥氧的浓度远低于磨加法，这表明熔加法的搪瓷色釉的结构强度高于磨加法。     

Cd(S_xS_(el-x))颜料的制备

分析了Cd（S_xS_(el-x)）颜料中CdSe所占比例不同时的呈色状况，研究了Cd（S_xS_(el-x)）及ZrSiO_4-Cd（S_xS_(el-x)）颜料的制备方法。     

对包裹型镉硒红釉的组成和呈色机理的研究

采用ZrSiO_4-Cd(S_XSe_(1-X)包裹色料制备了镉硒大红釉。应用XRD、IR、EPMA等现代测试方法,对包裹型镉硒红釉的组成和呈色机理作了初步研究;探讨了该类型釉的呈色与基础釉组成间的关系。     

Cd(SxSe1-x)颜料的水热合成

利用水热法制备了Ｃｄ（ＳｘＳｅ１－ｘ）颜料,借助于ＣＩＥ危度、ＸＲＤ及ＳＥＭ等手段研究了Ｃｄ（ＳｘＳ３１－ｘ）色度与反应温度、反应时间以及前驱物配之间的关系,并对Ｃｄ（ＳｘＳ３１－ｘ）的合成机理进行了研究。结果表明,反应温度为２００℃、反应时间为４小时、前驱物配比ｍ（Ｃｄ）：ｍ（Ｓ）：ｍ（Ｓｅ）＝１：０．７４：０．２６时可制得结晶良好的纳米Ｃｄ（ＳｘＳｅ１－ｘ）大红颜料：研究发现Ｃｄ（ＳｘＳｅ１０     

缩点釉在工艺美术陶瓷上的应用研究

缩点釉是一种釉面会收缩成点粒现象的釉。阐述了缩点釉产生的机理．介绍了研制经过,讨论了几个影响缩点效果的问题。并指出只要合理地选用原料．调整好坯釉配方,掌握好施釉厚度和烧成温度。是可以得到均匀、好看、美观的“缩点釉”的;若能在装饰对象和装饰方法上大傲文章,可以使这一具有“缺陷功能”的釉种产生更好的艺术效果。