探讨半导体塑料材料市场及技术动向

本文简要介绍了半导体塑封材料市场动向及发展过程，介绍了塑料材料的最新进展及技术动向，如耐湿性的提高，热传导纺的提高，应力的降低，塑料生产效率提高等技术。     

宽禁带半导体材料及器件

以Si和GaAs为代表的传统半导体材料的高速发展推动了微电子、光电子技术的迅猛发展,然而受材料性能所限,用这些材料制成的器件大都只能在200℃以下的热环境下工作,且抗辐射、耐高击穿电压性能以及发射可见光波长范围等都不能满足现代电子技术发展对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射、能发射蓝光等提出的新要求。而以SiC、GaN、金刚石为代表的宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电压高、     

2007年全球半导体材料市场将增长10％

根据SEMI发布的最新材料预测，在半导体制造及其封装产业的大力推动下，2007年全球半导体材料市场将增长10％，而2008年亦会出现10％的增长率。 预计2007年半导体制造材料市场将增长9％达到240亿美元，而封装材料市场将增长13％达到166亿美元。按区域划分，日本和台湾将成为最大的半导体材料需求地区，韩国及东南亚地区紧随其后。     

半导体材料的发展及现状

介绍了半导体材料近10年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用；对其中一些材料进行了分析比较；描述了半导体新型材料的发展前景。     

21世纪的半导体材料与工艺

２１世纪的半导体材料与工艺东立编译在１９９５年ＩＥＥＥ国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）的专家讨论会上，２００多位专家学者共同探讨了ＩＣ半导体材料和工艺将来的发展。大家一致认为，硅作为制造集成电路的主要材料还会有相当大的发展潜力，而其它一些半导体材料，如Ｓ...     

FPC材料的技术动向和需求预测

概述了FPC材料的最新技术动向和未来的需求预测。     

高密度封装进展之二——半导体封装技术的发展趋势

本文从超小型封装、超多端子封装、多芯片封装等几个方向介绍了半导体封装技术的发展趋势     

半导体技术的发展趋势和研究重点

本文介绍了一些主要半导体技术的目前水平、今后的发展趋势和正在进行的主要研究。还指出,发展半导体技术要靠两个力量:牵引力——用户的需求和推动力——周边技术,并叙述了发展半导体技术的可能性和必要性。     

大数据的技术挑战及发展趋势

大数据具有海量、多样和快速的特征,对传统技术提出了新的需求,数据存储与管理技术、计算技术和数据分析技术等都面临着重大变革。文章从大数据所具有的特征和技术挑战出发,介绍数据分析技术、计算技术和存储管理技术三个层面的发展脉络和趋势,指出国际上大数据技术创新的总体格局及其主要成因。     

半导体光刻技术及设备的发展趋势

随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。     

A Novel Semiconductor CIGS Photovoltaic Material and Thin-Film ED Technology

In order to achieve low cost high efficiency thin film solar cells,a novel Semiconductor Photovoltaic (PV) active material CuIn 1-x Ga x Se 2 (CIGS) and thin film Electro Deposition (ED) technology is explored.Firstly,the PV materials and technologies is investigated,then the detailed experimental processes of CIGS/Mo/glass structure by using the novel ED technology and the results are reported.These results shows that high quality CIGS polycrystalline thin films can be obtained by the ED method,in which the polycrystalline CIGS is definitely identified by the (112),(204,220) characteristic peaks of the tetragonal structure,the continuous CIGS thin film layers with particle average size of about 2μm of length and around 1 6μm of thickness.The thickness and solar grade quality of CIGS thin films can be produced with good repeatability.Discussion and analysis on the ED technique,CIGS energy band and sodium (Na) impurity properties,were also performed.The alloy CIGS exhibits not only increasing band gap with increasing x ,but also a change in material properties that is relevant to the device operation.The beneficial impurity Na originating from the low cost soda lime glass substrate becomes one prerequisite for high quality CIGS films.These novel material and technology are very useful for low cost high efficiency thin film solar cells and other devices.     

A Novel Semiconductor CIGS Photovoltaic Material and Thin-Film ED Technology

In order to achieve low-cost high-efficiency thin-film solar cells, a novel Semiconductor Photovoltaic (PV) active material CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) and thin-film Electro-Deposition (ED) technology is explored. Firstly,the PV materials and technologies is investigated, then the detailed experimental processes of CIGS/Mo/glass structure by using the novel ED technology and the results are reported. These results shows that high quality CIGS polycrystalline thin-films can be obtained by the ED method, in which the polycrystalline CIGS is definitely identified by the (112), (204, 220) characteristic peaks of the tetragonal structure, the continuous CIGS thin-film layers with particle average size of about 2μm of length and around 1.6μm of thickness. The thickness and solargrade quality of CIGS thin-films can be produced with good repeatability. Discussion and analysis on the ED technique, CIGS energy band and sodium (Na) impurity properties, were also performed. The alloy CIGS exhibits not only increasing band-gap with increasing x, but also a change in material properties that is relevant to the device operation. The beneficial impurity Na originating from the low-cost soda-lime glass substrate becomes one prerequisite for high quality CIGS films. These novel material and technology are very useful for low-cost high-efficiency thin-film solar cells and other devices.     

塑封模具材料和热处理

介绍了半导体专用模具选材性能、技术特点、发展方向及经深冷处理的优点,并叙述了合金元素对材料的物理性能、化学性能、组织结构的影响非常复杂,不同材料有不同的使用群体,应根据模具种类选择钢材;同时材料的性能除了本身化学成分的决定作用外,合适而专业的热处理工艺是获得材料性能的必要手段。     

毫米波无线通信半导体器件技术发展趋势

随着通信产业尤其是移动通信的高速发展,无线电频谱的低端频率已趋饱和。采用各种调制方法或多址技术扩大通信系统的容量,提高频谱的利用率,也无法满足未来通信发展的需求,因而实现高速、宽带的无线通信势必向微波高频段开发新的频谱资源。毫米波由于其波长短、频带宽,可以有效地解决高速宽带无线接入面临的许多问题,因而在短距离无线通信中有着广泛的应用前景。各种半导体器件是信息和通信技术(ICT)的硬件基础,创造性研发满足毫米波无线通信应用的新兴半导体技术和电路,是提升通信系统容量、解决构建新一代通信系统关键问题的主要技术推手。文章沿着毫米波半导体器件技术创新发展脉络,从相控阵等关键技术的系统架构、半导体材料和工艺、器件设计和封装测试入手,分析总结了第五代(5G)、第六代(6G)移动通信技术毫米波系统和器件技术发展趋势。以美国DARPA的MIDAS计划为例,阐释了军用毫米波器件技术的研究前沿和进展。     

Worldwide Perspectives on SiP Markets： Technology Trends and Challenges

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蓝光半导体碳化硅──材料、器件和工艺

碳化硅（ＳｉＣ）是目前主要的蓝光半导体材料之一，国际上已初步实现了ＳｉＣ蓝光发光二极管的产业化。目前商品器件工作电压３．０Ｖ，工作电流２０ｍＡ时，发射波长４７０ｎｍ，功率１８μＷ，工作电流５０ｍＡ时，辐射功率可达３６μＷ。最近的实验研究发现，采用ＳｉＣ和氮化镓的合金制成的ＬＥＤ可大幅度提高发光效率，其发射功率的实验室水平已达８５０ｍＷ。文中从ＳｉＣ材料特性、ＳｉＣ发光器件及ＳｉＣ材料、器件工艺等几方面入手，综述了ＳｉＣ作为蓝光半导体材料及其器件和工艺的研究进展。