基于VHDL语言的卷积码编解码器的设计

卷积码是一种性能优良的差错控制编码。本文在阐述卷积码编解码器基本工作原理的基础上，提出了在MAX P1usⅡ开发平台上基于VHDL语言设计(2，1，6)卷积码编解码器的方法。仿真实验结果表明了该编解码器的正确性和合理性。     

阵列波导光栅在二维光CDMA系统中的应用研究

分析了二维光CDMA系统及系统中采用的地址码的特点,介绍了阵列波导光栅(AWG)的功能,给出了三种基于AWG的二维光CD MA编解码器的结构及其工作原理。最后以二维光正交码为例,分析了采用AWG编解码器的二维系统的性能.结果表明,AWG编解码器可以实现多波长二维光CDMA系统中地址码的快速编解码功能,使系统容量达到Tbit/s量级。     

FBG阵列波长偏差对OCDMA系统误码率的影响

文章给出了一种基于光纤布拉格光栅(FBG)阵列的可调谐二维编解码器结构.重点分析了在波长不匹配时由于编解码器解码输出的自相关峰值功率削弱,进而劣化系统的误码率的情况.仿真了随着跳频扩时(TS/WH)码字参数的变化,编解码器在相应波长发生偏差条件下的解码输出功率和误码率.分析结果表明,当波长偏差0.1 nm时,对于跳频个数为31的编解码器,系统的误码率仍然＜10-9,因而可以通过增加跳频波长数来降低编解码器对调谐精度的要求.     

基于EDA的卷积码编解码器实现

针对某扩频通信系统数据纠错编码的需要，构造并分析了(2，1，6)卷积码编解码器的基本工作原理，提出了基于MAX plus Ⅱ开发平台的(2，1，6)卷积码编解码器的EDA实现方法。给出了仿真波形，并通过了在FPGA芯片EPF10K10LC84-3上的验证实验。     

用于光码分复用通信系统的编解码器

介绍了光码分复用(OCDM)通信系统的编解码器,包括光振幅、相位、频域和可调谐OCDM编解码器等,并在各种编解码器特点、结构、成本和发展前景等方面进行了比较分析。     

超结构光纤光栅时域相位编解码器的半边带应用

光源与编解码器的匹配关系是光码分多址(OCDMA)系统设计的重要内容.提出了时域相位编解码器的半边带应用问题,即:等效相移超结构光纤光栅(EPS-SSFBG)编解码器反射谱的半边带已包含了编解码器结构的所有信息,光源只需要覆盖半边带就能完成编解码功能.仿真分析了光源脉宽与编解码器反射谱的对应关系对编解码性能的影响,仿真结果验证了半边带应用的可行性.在应用等效相移光栅编解码器的实验中验证了半边带应用的编解码性能,实验结果与半边带应用的理论规律相符.     

TI推出7mW回放功能的低功耗立体声音频编解码器

德州仪器(TI)推出了2款面向电池驱动应用的新型立体声音频编解码器,适用于数码相机与便携式媒体播放器等多种设备。通过降低功耗．PCM3793与PCM3794音频编解码器可显著延长电池使用寿命．从而实现出色的7mW回放功能与93dB信噪比(SNR)。PCM3793音频编解码器集成了TI领先的D类放大器技术,能够     

可调串行光码分多址编码器/解码器

分析了目前存在的编解码器的优缺点 ,提出一种可调串行全光码分多址 (CDMA)编解码器。根据其工作原理 ,推导其最佳设计参数 ,并进行功能仿真 ,验证了该编解码器的正确性及可实现串行编解码、地址码可调、编解码器一体、既可用于同步码分多址又可用于异步码分多址通信等特点。     

一种改进的语音二项式正弦脉冲激励方案

对一种码率在2．4kbit／s左右的基于LPC(线性预测编码)的二项式正弦脉冲(BSP)激励形式进行了改进，以多个正弦谐波代替了原BSP激励方案中的单一正弦波。谐波幅度用二项式进行调制，该二项式反映了激励信号在一个基音周期内的变化趋势。实验结果表明，在此基础上构造的语音编解码器在保持原BSP编解码器低复杂度、低时延优点的基础上，进一步提高了合成语音质量。     

基于FPGA的32 Kbit/s CVSD语音编解码器的实现

介绍了连续可变斜率增量调制(CVSD)的基本原理,并提出了32Kbit/sCVSD语音编解码器的现场可编程门阵列(FPGA)实现方法,给出了影响CVSD性能的关键参数。该语音编解码器消耗硬件资源少,语音效果理想,适用于无线语音系统。     

BNBST无铅压电陶瓷的制备工艺研究

设计了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3（BNBST[100x-100a／100b]）无铅压电陶瓷新体系。该体系压电陶瓷具有工艺特性及压电响应好，压电常数高的特点，且有实际应用前景的新型压电陶瓷材料体系。采用传统的陶瓷工艺制备了（Bi0.55Na0.5）1-X（BaaSrb）xTiO3无铅压电陶瓷，研究了制备工艺参数对其物化结构性能的影响。生料的热重-差热（TGA-DTA）分析表明，粉料合成过程中，先是SrTiO3、BaTiO3的形成，然后是（Bi0．5Na0．5）Tio，的形成，同时三者形成固溶体；密度测试表明，陶瓷的体积密度随烧结温度的升高而增大，可较易获得理论密度94％的陶瓷；X-射线能谱分析（EDAX）研究表明，陶瓷的Bi、Na的挥发随着烧结温度的升高而加剧。研究结果表明，要制备性能优良的无铅压电陶瓷，需要精确控制制备工艺。     

聚对苯撑苯并双(口恶)唑发光及其器件制备

采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双(口恶)唑(PBO)溶液的光敏发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围.结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右.同时发现,由于存制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同.使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加.     

新型挠性印制电路板基材

目前挠性印制板仍以聚酰亚胺(PI)为基材,但PI的最大缺点是高的吸湿性函待改善,所以正努力开发高性能的高分子材料,以期取代PI。本文介绍了其中最有影响的两种新材料,即液晶聚合物(liquid crystal polymer,简称LCP)及聚醚醚酮(PEEK),其具有低吸湿性、低热膨胀系数、低介电常数及高尺寸稳定性。文章同时还介绍了LCP及PEEK在挠性印制板应用中遇到的问题及其解决方法。     

Maskless pendeo-epitaxial growth of GaN films

High-resolution x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) of pendeo-epitaxial (PE) GaN films confirmed transmission electron microscopy (TEM) results regarding the reduction in dislocations in the wings. Wing tilt ≤0.15° was due to tensile stresses in the stripes induced by thermal expansion mismatch between the GaN and the SiC substrate. A strong D°X peak at ≈3.466 eV (full-width half-maximum (FWHM) ≤300 μeV) was measured in the wing material. Films grown at 1020°C exhibited similar vertical [0001] and lateral [11 0] growth rates. Increasing the temperature increased the latter due to the higher thermal stability of the GaN(11 0). The (11 0) surface was atomically smooth under all growth conditions with a root mean square (RMS)=0.17 nm.     

Interfacial reaction and shear strength of SnAgCu-xNi/Ni solder joints during aging at 150 °C

The interfacial microstructure and shear strength of Sn3.8Ag0.7Cu-xNi (SAC-xNi, x = 0.5, 1, and 2) composite solders on Ni/Au finished Cu pads were investigated in detail after aging at 150 °C for up to 1000 h. The interfacial characteristics of composite solder joints were affected significantly by the weight percentages of added Ni micro-particles and aging time. After aging for 200 h, the solder joints of SAC, SAC-0.5Ni and -1Ni presented duplex intermetallic compound (IMC) layers regardless of the initial interfacial structure on as-reflowed joints, whose upper and lower IMC layers were comprised of (CuNi)₆Sn₅ and (NiCu)₃Sn₄, respectively. Only a single (NiCu)₃Sn₄ IMC layer was ever observed at the SAC-2Ni/Ni interface on whole aging process. Based on the compositional analysis, the amount of Ni within the IMC regions increased as the proportion of Ni addition increased. The IMC (NiCu)₃Sn₄ layer thickness on the interface of SAC and SAC-0.5Ni grew more slowly when compared to that of SAC-1Ni and -2Ni, while for the (CuNi)₆Sn₅ layer the reverse is true. Except the IMCs sizes are increased with increased aging time, the interfacial IMCs tended to transfer their morphologies to polyhedra. In all composite joints testing, the shear strengths were approximately equal to non-composite joints. The fracturing observed during shear testing of composite joints occurred in the bulk solder, indicating that the SAC-xNi/Ni solder joints had a desirable joint reliability.     

Enhancement of photo- and electro-luminescence of GaN-based LED structure grown on a nanometer-scaled patterned sapphire substrate

In this study, a 2 in. sized a highly periodic nanometer-scaled patterned sapphire substrate (NPSS) was fabricated using nanoimprint lithography (NIL) and inductively coupled plasma etching to improve the light-extraction efficiency of GaN-based light-emitting diodes (LEDs). A blue LED structure was grown on the nanometer-scale patterned sapphire substrates, and the photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) were measured to confirm the effectiveness of the nanometer-scaled patterns on sapphire. An improvement in luminescence efficiency was observed when NPSS was applied; 2 times stronger PL intensity and 2.8 times stronger EL intensity than the LED structure grown on the unpatterned sapphire wafers were measured. These results show highly periodic nanometer-scaled patterns create multi-photon scattering and effectively enhance the light-extraction efficiency of LEDs.     

全光波长转换技术的原理及应用

详细介绍了多种全光波长转换(AOWC)的方法、原理、特性以及性能比较,分类介绍了目前常用的全光波长转换器(AOWC)的实现方案,并对其发展提出了几点看法.     

盲多用户检测技术中的恒模算法分析

恒模算法（CMA）是一种广泛应用于阵列处理、均衡和多用户检测中的盲算法。现对恒模算法及其在盲多用户检测技术中的应用进行了分析,并指出其研究方向。     

用FPGA实现数字电视条件接收系统

根据数字电视条件接收系统的原理 ,提出一种 ECM在 TS层加入、复接和条件接收相互独立的 CAS实现方法。 ECM在 TS层加入 ,对于 TS层加扰来说 ,易于实现加扰和解扰同步 ;复接和条件接收相互分离使条件接收系统实现比较灵活 ,易于调试。另外 ,设计了保密性较高的加扰器并成功运用于系统中     

在银胶体系中罗丹明B单分子水平上拉曼光谱研究

采用表面增强托曼散射（SERS）技术,比较了单分子水平上银胶纳米体系中罗丹明B（RhB）浓度为10^-11mol／L以下的拉曼光谱和通常单分子水平上罗丹明6G（Rh6G）浓度在10^-11mol／L的拉曼光谱,无论自由沉积在玻璃表面还是在液体环境下的结果显示,单分子水平上Rh B的拉曼光谱灵敏度是Rh 6G的2倍多。因此,利用RhB作为探测试剂将能够提供更加丰富的信息,这对单分子的光谱研究以及高灵敏度探测试剂的应用研究具有重要的意义。