基于ICP工艺的垂直微小硅镜的加工

利用自感应耦合等离子(ICP)蚀刻机进行硅深层反应离子刻蚀,得到了几微米宽的狭槽,其轮廓通常为正锥形,即蚀刻槽的宽度随着蚀刻深度的增大而减小.然而,对一个宽槽来说,由于等离子区内边界层的变形,其蚀刻宽度会随着蚀刻深度的增加而增加.在许多应用中,硅蚀刻轮廓侧面的垂直状况是一个关键性问题.叙述了分离式垂直镜的加工过程;研究了影响蚀刻轮廓的各种重要参数.经过引入多步制法与优化激励源、基底偏压源及加工压力,减小了等离子区边界层内的变形,改善了轮廓的蚀刻状况.得到的结果为:120μm高垂直微镜垂直度为89.7°,200μm高垂直微镜垂直度为89.3°.     

考夫曼离子源物理基础及其应用

本文分两部分，第一部分为重点，从扩散方程出发讨论考夫曼离子源放电室电子在磁场中的扩散运动，从基本物理概念出发定性地讨论电子在磁场中回旋半径与放电电压的关系，以平板电极中带电粒子运动的泊松方程出发推导出引出的离子束流与加速电压二分之三次方关系（齐尔德定律）；从而给出了ＬＳＫ－６００型离子蚀刻机离子源的设计基础。第二部分简单讨论考夫曼离子源在工业中的各种应用，包括溅射、蚀刻、改性和沉积等。     

耐磨白口铁中球形碳化物的离子蚀刻研究

用离子蚀刻加扫描电镜观察和微区成分分析的方法研究了耐磨白口铁中球形碳化物的结构。实验结果表明，球形碳化物为多晶体，其形成机制为碳化物结晶时在稀土硫氧化物上非自发形核并长大。     

电子级高纯氯研制成功

电子级高纯氯是我国电子工业当前急需的特种气体，主要用于半导体元、器件和大规模集成电路制造工序中的热氧化、反应离子蚀刻、晶体生长和MCVD法生产单膜光导纤维预制件，以及有关工业、基础科学研究等尖端技术。我国过去使用的电子级高纯氯全部依赖进口。     

飞机零件号打印方法的研究及应用

本文对各种零件号打印方法进行了分析比较，认为采用电化学方法来打印飞机零件中最为合理，并介绍了电化学深蚀刻加工工艺。     

深蚀刻玻璃光波导光栅的研究

采用全息法制备了光刻胶光栅，并用该光栅掩膜离子蚀刻，刻得槽深为１．６μｍ的玻璃光栅，再采用Ｋ＾＋／Ｎａ＾＋交换法制备玻璃光波导光栅，用６３３ｎｍ波长激光由一端棱镜耦合输入，经过光栅，由另一端面输出，在实验中观察到多级布拉格衍射，一级布拉格衍射效率最高达９０％。     

光刻和蚀刻基本工艺过程及缺陷来源分析

介绍玻璃多刻线样板制作过程中光刻和蚀刻工艺过程,并针对制作过程中光刻和蚀刻工艺过程中各种缺陷产生的种类及来源进行基本的分析,提出一些减少这些缺陷的措施。     

Zn-Al共晶合金准三维微观结构的研究

采用一种对Zn-5Al双相合金选择性腐蚀的化学蚀刻剂，显示了铸态Zn-5Al共晶合金的准三维微观结构，并结合光学显微镜、扫描电镜和能谱分析，研究了合金中富Al的α相和富Zn的β相的形貌和相互间的分布关系。结果表明，Zn-5Al铸造合金的光学金相组织呈层片状特征；扫描电镜观察，占合金总量5.2%（质量分数，下同）的富Al的α相是作为富Zn的β相的包裹层存在于β相间的界面，在蚀刻剂中被蚀刻掉的是β相，而α相基本不被蚀刻。     

具有可控释放能力和可抑制生物膜形成的聚多巴胺/银杂化涂层的钠钙玻璃球

过滤介质作为过滤装置中的关键材料可改变流经其中的水的质量.正确选择过滤介质对于过滤装置的过滤性能至关重要.再生玻璃作为介质过滤装置中硅砂的替代品,具有比硅砂廉价、环境友好、可再生等优点,并且可以根据特定的设计要求将其粉碎成不同的尺寸.然而,水中存在大量的诸如细菌和藻类的微生物,故再生的可循环玻璃介质的过滤效率受到在其表面富集的生物膜的极大限制.本研究中,我们通过在钠钙玻璃球(GS)表面上进行氢氟酸(HF)蚀刻和原位结晶制备了用聚多巴胺(PDA)和银(Ag)纳米颗粒改性的氢氟酸蚀刻玻璃球(PDA-Ag-HF/GSs).银晶体的原位生长、HF蚀刻和PDA涂层的改性赋予了PDA-Ag-HF/GS良好的亲水性.银涂层的改性还使得PDA-Ag-HF/GS具有出色的抗菌性能和较小的球藻附着力,且通过释放Ag离子可抑制微生物的生长.PDA涂层上的邻苯二酚官能团可通过螯合作用调节Ag离子的释放.良好的抗菌性能、抗藻类附着力和Ag离子的受控释放表明,PDA-AgHF/GS涂层可有效抑制材料表面生物膜的形成,为抗生物膜的形成提供了新的策略.     

六氟乙烷的制备及纯化方法概述

六氟乙烷主要用作集成电路的蚀刻气体和清洗气体,介绍了几种六氟乙烷的制备方法和纯化方法。     

商标蚀刻工艺关键问题探讨

本文综述了蚀刻阴极阳极材料,蚀刻面积,溶液搅拌对不锈钢刀具产品蚀刻商标效果的影响,分析了提高蚀刻商标清晰度的因素,达到蚀刻商标清晰深刻、完整美观的良好效果.     

商标蚀刻工艺关键问题探讨

本文综述了蚀刻阴极阳极材料,蚀刻面积,溶液搅拌对不锈钢刀具产品蚀刻商标效果的影响,分析了提高蚀刻商标清晰度的因素,达到蚀刻商标清晰深刻、完整美观的良好效果。     

光蚀刻不锈钢码盘制作中存在的问题及解决办法

分析了光蚀刻不锈钢码盘制作中存在的问题并提出了解决办法，使制作工艺大为改进，并制造出了线条整齐性较好的不锈钢码盘，且其蚀刻深度达0．15mm，腐蚀因子达3．2。     

纳米结构材料的模板合成方法

本文综述了以径迹蚀刻聚合物膜或多孔Ａｌ２Ｏ３膜为模板，结合电化学沉积、化学沉积、现场聚合、溶胶－凝胶法和化学气相沉积技术合成地电聚合物，金属、碳，无机半导体等纳米管状或线型材料的方法，同时还介绍了模板合成材料的应用前景。     

不同化学蚀刻法对石英基片激光损伤阈值的影响

为提高三倍频光学元件的表面损伤阈值,采用了不同方式对石英基片进行酸蚀刻,利用原子力显微镜观测了基片蚀刻前后的表面微观形貌,并在激光损伤测量装置上进行了R:1方式的阈值测试,比较分析了蚀刻前后基片激光损伤阈值和表面形貌的变化,并比较了不同抛光质量石英基片蚀刻效果的差异.通过实验研究,总结了不同蚀刻方式的优缺点,研究表明酸蚀刻法可以有效提高石英基片激光损伤阈值.     

液态感光抗蚀刻油墨

介绍一种新型的液态光致抗蚀刻油墨的组成。     

小型带电粒子发射枪的研发

本文介绍了电子和氩离子两种不同电荷的小型发射枪，根据电子枪的用途，以电荷中和低能量电子枪、脉冲式电子枪和高能量电子枪为例，详细介绍了发射枪的构造、工作原理和粒子轨迹。根据氩离子的产生方式，介绍了冷阴极离子枪、热阴极离子枪和等离子体源。掌握小型带电粒子发射枪的原理和构造，可以针对基础科研、半导体产业、生命科学和国防航天领域的具体应用进行产品开发。     

图案化ZnO纳米线阵列制备与应用的研究进展

综述了多种图案化制备ZnO纳米线阵列的技术,包括电子束光刻技术、纳米球蚀刻技术、激光干涉光刻技术、纳米压印技术和嵌段共聚物蚀刻技术等。介绍了图案化ZnO纳米线阵列在传感器、太阳能电池和UV检测器等功能器件中的应用进展,分析了图案化ZnO纳米线阵列制备与应用中的优点、意义及存在的问题,并展望了其未来发展趋势。     

新型微蚀体系Oxone（R）简介

铜的表面微蚀刻,是印制线路(PWB)板加工过程中的一个重要部分.在镀覆孔(PTH)、内层/多层粘合和光致抗蚀层、阻焊层涂覆加工的前处理中,有效的微蚀刻是特别重要的.适当的微蚀刻不但可以使加工效果良好,而且能够延长板的使用寿命.目前常见的微蚀体系有过硫酸铵/硫酸、过硫酸钠/硫酸、过硫酸钾/硫酸和双氧水/硫酸体系.这几种微蚀体系在国内是常见的,但是它们都存在稳定性差、蚀刻速率不稳定以及蚀刻效果并不理想的缺点.随着多层线路板的层数增多、线路变得复杂以及线路的维数变多,微蚀刻变得非常关键,开发和使用新的微蚀体系是现在大多数业内人士的愿望.高级微蚀刻化学物质应具有以下的优点:①均一、可控的蚀刻速率;②被处理的表面更一致,更可控;③药液更稳定,更持久;④大的溶解度、溶解速度快;⑤体系易被清洗;⑥药液易于分析和控制.下面,笔者简要介绍以杜邦公司Oxone○R为主要成份的新型微蚀体系.     

三氟化氮——一种新型干蚀刻气

目前，三氟化氮正被研究作为一种半导体干气体蚀刻剂。这是因为它有很高的蚀刻速率和选择性。由于这种气体刚用于电子工业，故本文将对该化台物的物理和化学性质进行评论，并提供管理NF3的资料，以及检漏和排除泄漏的方法。