自组装单分子膜的末端基团对化学气相沉积铜薄膜的影响

利用化学气相沉积(CVD)的方法在自组装单分子膜(SAMs)修饰的SiO2表面沉积铜薄膜,并对得到的铜薄膜的性质进行表征与分析.通过比较研究发现:在沉积过程中,SAMs的末端基团作为铜沉积的反应位点,末端基团与铜之间的相互作用力越强,则铜在基材表面的沉积与附着能力越强,而且SAMs阻挡铜原子扩散进入硅内部的效果越好.而SAMs的生长取向也会对铜沉积时的晶型产生影响.     

抛光对化学气相沉积金刚石自支撑膜断裂强度的影响

研究了抛光对化学气相沉积金刚石自支撑膜断裂强度的影响。结果表明,金刚石自支撑膜粗糙表面所带来的V形缺口会降低其断裂强度,而且随着膜厚的增加,降低的程度越明显,通过抛光粗糙表面,消除了V形缺口对断裂强度的影响,有利于提高金刚石膜的抗破坏能力。提出了一种金刚石膜断裂强度的经验计算方法,获得的断裂强度值更接近于金刚石膜的本征断裂强度。     

磁控溅射法制备电磁屏蔽织物的研究

本文采用直流磁控溅射在无纺布基底上溅射沉积金属铜来制备电磁屏蔽织物。通过原子力显微镜观察发现,工艺参数对溅射沉积速率以及膜层的表面形貌都有较大的影响。在一定范围内,溅射功率越大,沉积速率越大,膜层颗粒分布越均匀致密。溅射压力一般选取0.9 Pa左右为宜,在此压力下,溅射沉积速率最大。经测试膜层与基底结合牢度较好,溅射沉积铜后透气性变化较小。频谱分析仪测试结果表明织物的屏蔽性能十分优良。     

CVD金则石薄膜的成核机理研究

利用热丝化学气相沉积，在预觉 无定形碳的硅镜面基底及表面研磨预处理的铜基底上，实现了金刚石膜的沉积，并由此讨论了金刚石的成核机理。研究表明，无定形碳是金刚石成核的前驱态；成核密度不仅与基底材料有关，更主要由基底的表面状态决定，基底表面状态的设计进改善成核密度的最有效的方法。     

沉积方式与基体材料对TiN薄膜内应力的影响

本文研究了TiN薄膜在化学气相沉积、物理气相沉积(包括热灯丝离子镀和多弧离子镀)以及等离子增强化学气相沉积等不同生成条件下的内应力变化。并通过改变钢及硬质合金基体的化学成份和表面状态。考察了基体材料对薄膜应力的影响。在此基础上,对薄膜内应力的形成机制进行了分析讨论。     

过渡层对含氢非晶碳膜生长的影响

本文利用射频等离子体增强化学气相沉积（RFPECVD）工艺在不锈钢基底上制备了含氢非晶碳膜（a-C：H膜）。在沉积碳膜之前，首先在基底表面预先沉积了Ti／TiC、Ti／TiN和Ti／TiN／TiC等过渡层以提高膜基结合力。利用激光Raman光谱分析了过渡层对a-C：H膜生长过程及膜中sp^3含量的影响。实验结果表明，采用Ti／TiN／TiC过渡层时所制备的a-C：H膜中sp^3含量最多，同时膜基结合力最大。     

消息报道

日本东北大学和理研公司合作开发了一种比较简单且适用于大生产的化学气相沉积法。沉积薄膜的电流密度达到20000A,这是对化学气相沉积法测到的最高值。研制的薄膜由钇基氧化物陶瓷构成,是在基片上气相沉积钇、钡、铜和氧相。试验确认了该膜的超导性,在77k下电流密度为20000A/cm~2,临界温度为84k。超导体可用烧结法、物理气相沉积法、化学气相沉积法等方法制得。据称烧结法能获得高Tc,而物理气相沉积法的Jc值大。虽然化学气相沉积法的Tc和Jc较次,但在实际     

杆状氧化铍表面金刚石薄膜的生长

利用一种新型线形微波等离子体源以甲烷和氢气为反应气体在135 mm×1 mm×0.5 mm杆状氧化铍表面沉积金刚石膜。研究了氧化铍基底预处理对金刚石形核密度和膜的连续性,以及基底温度对金刚石质量的影响。通过扫描电镜、拉曼光谱对沉积的金刚石膜表面形貌以及质量进行表征。实验结果表明:600#砂纸与金刚石粉混合预处理可以大大提高氧化铍表面金刚石的形核密度,得到连续性较好的金刚石薄膜;同时,基底温度不仅影响着金刚石膜的表面形貌,也影响着金刚石膜的质量。基底温度较低时,金刚石膜在沉积过程中二次形核增强,非金刚石相含量较高;提高沉积温度后,等离子体中H原子浓度增加,有利于金刚石质量的提高。     

硅膜制备

介绍了两大类硅膜的制备方法:物理方法与化学方法,其中包括物理方法中的电子束物理气相沉积技术(EB-PVD),目前该技术在国内应用比较少,所以对其工作原理、薄膜质量的影响因素等作了重点介绍.此外还介绍了磁控溅射法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积法等硅膜制备方法的基本原理及特点,并对它们的优缺点进行了比较.     

薄膜沉积过程中的粒子轰击效应

一、前言在真空和低压环境中,将可凝性原子(吸附原子)传输到一表面来制备薄膜。产生吸附原子的方法有热蒸发、物理溅射、气相粒子、其它蒸发源,诸如真空或等离子体电弧。影响薄膜各生长阶段的主要参数有基底温度;沉积速率;沉积粒子的入射角:荷能粒子的轰击。可利用荷能离子的轰击对基底表面改性或改变薄膜的成核及生长。一般情况下,这     

基底特性对铝膜表面形貌的影响

用扫描电子显微镜对沉积在硅油表面的金属铝膜上、下表面的形貌进行了研究 ,证实了液体基底特性对金属铝膜表面形貌的重要影响。     

偏压对阴极电弧离子镀AIN薄膜的影响

在不同基体负偏压作用下,用阴极电弧离子镀等离子体物理气相沉积（PVD）方法在单晶Si(100）基片上获得六方晶系的晶态AIN薄膜。用X射线衍射仪分析了沉积膜的物相组成和晶格位向随偏压的变化。在扫描电子显微镜（SEM）下观察沉积膜的显微组织形貌。结果表明,在较小偏压下,AIN膜呈（002）择优取向,表面致密均匀;在较大偏压下,AIN膜呈（100）择优取向,表面形貌则粗糙不平,AIN薄膜的择优取向及表面形貌受到不同偏压下不同离子轰击能量的影响。     

镍覆膜碳纤维的制备与性能研究

以Ni(CO)4为前驱体,通过羰基金属化学气相沉积工艺在碳纤维表面沉积连续镍膜,从而制得镍覆膜碳纤维材料。实验给出了镍覆膜碳纤维的较佳制备工艺条件。借助SEM、EDX、XRD、冷热循环实验、断裂强度分析、差热分析等多种分析测试手段研究了镍覆膜碳纤维的性能。结果表明碳纤维表面沉积的膜层为纯镍相,连续致密,与碳纤维基底结合良好,可经受4次冷热循环而不脱落;碳纤维表面沉积连续镍膜后,其断裂强度提高了34.9%;差热分析显示沉积连续镍膜后可有效提高碳纤维的抗氧化性能。     

基底特性对铝膜表面形貌的影响

用扫描电子显微镜对沉积在硅油表面的金属铝膜上,下表面的形貌进行了研究,证实了液体基底特性对金属铝膜表面形貌的重要影响。     

气相沉积膜层在镁合金表面改性中的应用

综述了气相沉积膜层的特性、制备技术的发展及其在镁合金表面改性中的应用,重点介绍了利用PVD和CVD技术在镁合金表面沉积保护性膜层的研究现状,并指出气相沉积膜层是传统电化学镀层的良好替代物,在镁合金表面改性中具有广阔的应用前景.     

物理气相沉积在镁合金表面防护领域的研究现状

镁合金表面耐腐蚀性能、耐磨性能较差,物理气相沉积(PVD)镀膜技术是一种提高镁合金表面性能的有效方法。总结了PVD镀膜防腐蚀层和耐磨层的特性,分析了涂层耐腐蚀耐磨的机理和存在的不足。综述了镁合金表面PVD膜层的研究进展,阐述了物理气相沉积技术对镁合金的表面改性的应用现状,并对该技术在镁合金上的发展进行了概括,指出了目前PVD技术在镁合金表面防护领域的新前景,为今后PVD技术对镁合金表面防护的研究与发展提供了相关参考。     

氮化硅介质薄膜内应力的实验研究

研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力,通过改变薄膜沉积时的工艺参数,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。     

氮化硅介质薄膜内应力的实验研究

研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力,通过改变薄膜沉积时的工艺参数,考察了反应气体流量化、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。     

基于RFPECVD方法不锈钢上沉积类金刚石薄膜的机械与摩擦特性

讨论用射频等离子体增强化学气相沉积(RFPECVD)工艺,在室温下实现在1Cr18Ni9Ti不锈钢基底上镀类金刚石(DLC)膜.为提高DLC膜的结合力,首先在不锈钢基底上沉积Ti/TiN/TiC功能梯度膜.借助所设计的界面过渡层,成功地在不锈钢基底上沉积了一定厚度的DLC膜.通过优化沉积参数,所沉积的DLC膜在与100Cr6钢球对磨时摩擦系数低于0.020.在摩擦过程中DLC膜的磨损机制借助SEM、Raman分析进行了研究.     

化学气相沉积超导材料

日本正在研究一种新技术,为开发大批生产高温超导材料,如金属丝、线圈以及复合形状的薄膜作准备。一个研究小组与 Riken 公司(密封环制造商)合作,采用化学汽相沉积给各种基底涂上氧钇钡铜薄膜。广泛应用于半导体工业的化学汽相沉积使平厚的薄膜被沉积在电路基底的微米尺寸步长和通道内,一次可以覆盖大量基底。据报道世界上有几个半导体厂商试验了一种用于高 T_c 超导体的技术,但是未能发现一种适合的待蒸发的钡复合物。直到现在,物理气相沉积技术,