提高刚挠结合印制板耐热性能制造方法

文章结合航天电子设备焊接和使用环境对印制板的要求,提出刚挠结合印制板在制造过程中仅对挠性连接部位粘贴覆盖膜的方法,提高刚挠结合印制板刚性部位Tg值和耐热性能,为刚挠结合印制板焊接和使用提供可靠保证。     

高可靠性18层刚挠结合印制板制作技术研究

文章通过介绍一款用于航空方面的18层高可靠性刚挠结合印制板在压合、盲槽制作、半固化片开窗、覆盖膜压合等技术点的突破,提出一套适用于此类高层高阶刚挠结合印制板的制作技术。     

外层挠性结构刚挠结合板光阻膜避浸润工艺开发

针对外层挠性结构刚挠结合板,传统的加工工艺是采用填充工艺,占用大量的人力物力,生产效率极低,同时品质管控非常困难,不利于量产化,笔者针对现状,对外层挠性结构刚挠结合板制作开发了一种光阻膜避浸润工艺,能够彻底解决传统的填充法无法实现量产化的技术瓶颈,可供同行参考、借鉴。     

激光微孔加工技术在刚挠性基材中的研究

刚挠结合印制板向高密度互联方向发展,要求线路更细,导通孔直径更小。适合刚挠结合印制板的微导通孔加工工艺在刚挠结合印制板制造工艺中起着关键作用,微孔加工工艺中普遍采用激光技术。文章分析了激光微孔加工中的各影响因素,用正交试验法作对比试验,优化各因素参数,讨论了各因素与基板材料的关系,并拟合出方程定量描述此种关系。根据优化方程选取激光微孔参数,在挠性与刚性基板材料上取得理想效果。     

刚挠结合印制板的加工工艺研究

随着电子技术的发展,尤其是电子组装技术的不断进步,很多场合下一般的刚性印制板已经很难满足电子产品“轻、薄、短、小”的要求。因此,刚挠结合印制板(挠性基材和刚性基材结合的印制板)的应用由于其显著的优越性有着越来越广泛的前景。本文主要介绍刚挠结合印制板的加工工艺,指出了加工过程的技术难点,并提出了解决办法。     

遗传算法设计电磁屏蔽减反膜

将电磁屏蔽层ITO薄膜作为一层光学薄膜,与TiO2、SiO2、MgF2一起,设计了宽带电磁屏蔽减反膜。给出了含有单层、双层、三层ITO的电磁屏蔽减反膜的膜系结构,其在可见光范围内剩余反射率均小于0.5%,满足ISO9211标准。该薄膜既具备光学减反效果,同时又具备电磁屏蔽功能,可以用作电磁屏蔽视窗。     

一种覆盖膜开窗的刚挠结合板制作方法

随着电子技术的不断发展,在某些特定的领域,普通的刚性PCB已很难满足产品对其特殊的组装要求,刚挠结合板以其优异的三维挠曲性正获得越来越广泛的应用。本文介绍了一种覆盖膜开窗的刚挠结合板制作方法,通过两次压合和两次机械刻槽的方式可成功制作出品质、性能优异的刚挠结合板。     

刚挠印制板镀覆孔孔壁开裂原因分析

为适应电子产品的发展,刚挠印制板的应用范围越来越大,用户对刚挠板性能的要求越来越高.概述了刚挠印制板镀覆孔孔壁发生开裂的原因,从基材、钻孔、孔金属化前处理和化学镀铜等角度分析并解决镀覆孔开裂问题.     

文献与摘要（99）

类似于挠性印制板安装的刚挠板制造 文章描述了一种类似于Occam工艺制造刚挠印制板,并在刚性部分预先安装了元器件。其工艺过程为采用载板贴装元器件,并用树脂密封,然后除去载板,元件端形成导通孔和再形成电路图形,最后层压覆盖膜及挠曲部分铣切除去刚性树脂,得到R-FPCB。     

挠性电路板覆盖膜耐热可靠性改善

在刚挠结合板的热应力测试中,挠性区域的耐热性是其中的薄弱环节,易出现覆盖膜分层起泡、字符脱落等不良,文章针对挠性电路板的耐热可靠性进行了改善探讨,从覆盖膜快压参数、热固化参数、覆盖膜表面粗化方式等方面进行了工艺试验,提出了有效的改善对策,可满足5次以上热应力测试要求,对挠性电路板的耐热可靠性有明显提升。     

光学薄膜膜厚监控中极值法的应用

极值法是目前国内外真空镀膜膜厚监控中应用最广泛的方法。本文阐述了此法的膜厚监控原理、系统、方法。重点讨论了为提高监控精度而采取的一些改进措施。     

银盐片直接对位方法探讨

PCB样板制造企业因多样少量的特点,在曝光作业中难以完全使用CCD对位曝光机全面替代手工对位,文章突出体现"如何实现银盐片手工对位、如何保证银盐片对位精准度"设计出一套正负片组合盘以便满足黑片对位工艺要求,从而保证黑片对位精准度要求,以达到降低成本的目的。     

超薄晶圆的贴膜研究

介绍了芯片超薄化的历程，并且分析了贴膜工艺前移的必要性。阐述了贴膜原理，并对贴膜各阶段实施了压力控制，提出了贴膜台与贴膜棒相平行的调整方法，并且检测了贴膜完成情况。     

Efficiencies of perovskite hybrid solar cells influenced by film thickness and morphology of CH3NH3PbI3−xClx layer

Perovskite hybrid solar cells (pero-HSCs) have been intensively investigated due to their promising photovoltaic performance. However, the correlations between the efficiencies of pero-HSCs and thin film thicknesses and morphologies of CH₃NH₃PbI_3−xCl_x perovskite layers are rarely addressed. In this study, we report the correlation between the efficiencies of “planar heterojunction” (PHJ) pero-HSCs and the thin film thicknesses and morphologies of solution-processed CH₃NH₃PbI_3−xCl_x perovskite layers. Investigation of absorption spectra, X-ray diffraction patterns, atomic force microscopy and scanning electron microscopy images of CH₃NH₃PbI_3−xCl_x layers indicate that the efficiencies of PHJ pero-HSCs are dependent on the film thickness, as the thickness of CH₃NH₃PbI_3−xCl_x is less than 400 nm; whereas the efficiencies are significantly dependent on the film morphologies of CH₃NH₃PbI_3−xCl_x layers as the thickness is larger than 400 nm. Our studies provide a promising pathway for fabricating high efficiency PHJ pero-HSCs.     

用脉冲激光沉积法制备类金刚石膜及金刚石薄膜

简要评述了用脉冲激光沉积技术制备类金刚石膜及金刚石薄膜的研究进展，总结了激光脉冲沉积制备薄膜的基本原理及其特点，分析了激光波长，能量，衬底温度等对薄膜质量的影响。     

三源真空蒸发CuInSe_2薄膜的性能

详细分析讨论了用三源真空蒸发法制取CuInSe2薄膜过程中，源温、衬底温度及Cu，In原子比值对薄膜性能的影响。     

大规模集成电路膜厚测量仪器校准检定初步探索

在半导体圆片制造过程中，膜厚（Sio2,SiN、多晶Si等）测量是非常重要的工艺参数，本文介绍了几种主要的膜厚测量仪器以及这些仪器的鹇准检测方法，并着重介绍了校准用膜厚标准的制定及应用。     

诱导透射干涉滤光片中银膜厚度和性能

银膜的性能和厚度直接影响诱导透射滤光片（简称ＩＴＦ）的性能和指标。在设计在镀制ＩＴＦ时，确定适当的银膜厚度尤为重要。本文的主要工作是：用结构分析和光谱分析法，得到在衬底温度１００℃时，膜厚大于２５ｎｍ的银膜呈多晶状态，且其结构接近于大块银料。首次确定出用于ＩＦ各银膜的下限厚度为３２ｎｍ，并给出了镀制过程中理论监控曲线和实测监控曲线。     

阳极磷铜的检验与判定

本文介绍了适用于PCB电镀的阳极磷铜的检验方法,整理了阳极磷铜在使用过程中的各种不良表现,同时给出了 不良阳极磷铜所造成影响的处理方法。     

Si薄膜低温液相外延

选用Ａｕ／Ｂｉ合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度４００℃～５００℃，采用Ｓｎ源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬底的氧化，运用扫描电镜，Ｃ－Ｖ法及俄歇能谱对外延膜形貌和结深附近载流子浓度进行了观察和测量。