He—Ne激光对杜梨种子萌发与幼苗生长的影响

用不同剂量的Ｈｅ－Ｎｅ激光辐照杜梨种子，并进行发芽试验，结果表明，１５．２８Ｊ／ｃｍ＾２３０．５６Ｊ／ｃｍ＾２的辐照对杜梨种子的发芽率、发芽指数、贮藏物质运转率、幼苗干重、下胚轴长度、活力指数均有显著的促进作用，５７．３０Ｊ／ｃｍ＾２的辐照则对上述指标有一定的抑制作用。     

In0.53Ga0.47As表面钝化及降低界面态密度的方法

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０＾１０ｅＶ＾－１ｃｍ＾－２。     

半导体激光对GLC—82低分化肺腺癌细胞生长的影响

目的：研究波长６３０ｎｍ，功率密度３ｍＷ／ｃｍ＾２的半导体激光对ＧＬＣ－８２你分化肺腺癌细胞生长增殖的影响。方法：体外培养的ＧＬＣ－８２细胞按照射时间（剂量）的不同分为５且，分别为：对照组，２ｍｉｎ（６Ｊ／ｃｍ＾２）照射组，５ｍｉｎ１５Ｊ／ｃｍ＾２）照射组，１０ｍｉｎ（３０Ｊ／ｃｍ＾２），１５ｍｉｎ（４５Ｊ／ｃｍ＾２）照射组，用相关显微镜观察、四唑盐比色（ＭＴＴ）、生长曲线测定、软琼脂培养集落形成     

DCPA光刻胶的软X射线感光灵敏度初步测量

采用安装Ｃ靶的Ｈｅｎｋｅ源进行了ＤＣＰＡ胶的Ｘ光曝光实验，经持续曝光，得到了５０线／ｍｉｎ铜网掩模对应的光刻图形。结合正比计数管的Ｘ光测量，得到ＤＣＰＡ胶对Ｃ靶的曝光灵敏度为－３５ｍＪ／ｃｍ＾２。     

低能量氦氖激光照射对荷瘤小鼠IgG含量及脾重的影响

本研究动态以观察了低能量氦氖激光照射对荷瘤小鼠ＩｇＧ含量及脾重的影响,试验以ＢＡＬＢ／Ｃ昆明鼠为研究对象,用７．３３Ｊ／ｃｍ＾２、１４．６７Ｊ／ｃｍ＾２,１１．００Ｊ／ｃｍ＾２,２２．００Ｊ／ｃｍ＾２及２９．３３Ｊ／ｃｍ＾２氦氢激光剂量照射小鼠内眼角,连续照射６天,照射后第４天,第８天,第１２天分别刹死５只小鼠监测小鼠的ＩｇＧ呈及脾重的动态变化。结果表明：中等剂量的氦氖激光照射可以提高ＩｇＧ含量及     

双束质子辐照降低快速晶闸管通枋压降的研究

在分析晶闸管通枋压降产生的机理的基础上,从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。．对ＫＫ２００Ａ半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ和５．０ＭｅＶ注量为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ后用３．５ＭｅＶ能量注量都为２．５×１０＾１１ｐ／ｃｍ＾２的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比,发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶     

He－Ne激光对杜梨种子萌发与幼苗生长的影响

用不同剂量的Ｈｅ－Ｎｅ激光辐照杜梨种子，并进行发芽试验，结果表明，１５．２８Ｊ／ｃｍ２、３０．５６Ｊ／ｃｍ２的辐照对杜梨种子的发芽率、发芽指数、贮藏物质运转率、幼苗干重、下胚轴长度、活力指数均有显著的促进作用，５７．３０ＺＪ／ｃｍ２的辐照则对上述指标有一定的抑制作用。     

依靠技术革新PDP HDTV显示屏走向量产

１９９８年开发出了新技术,１９９９年ＰＤＰ（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）的ＨＤ（ｈｉｇｈ ｄｅｆｉｎｉ－ｔｉｏｎ）品种开始量产。富士通开发了新的驱动方法（ＡＬＩＳ（Ａｌｔｅｒｎａｔｅ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅｓ Ｍｅｔｈｏｄ）。这种方法将１０７ｃｍ（４２″）显示屏的垂直象素由以往的４８０增加到１０２４,亮度也由３００ｃｄ／ｍ＾２提高到５００ｃｄ／ｍ＾２。这是ＰＤＰ全彩色化以来     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

砷注入碲镉汞P—on—N结的电流电压特性

最近,选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底,成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ 结采用砷掺杂在Ｎ 型衬底上形成Ｐ区,砷掺杂由砷离子注入加上退火扩散形成。对ＰｏｎＮ 二极管的电流电压关系温度特性的研究表明：直到１４０Ｋ,长波（λｃ ＝ ９ ．１μｍ）ＰｏｎＮ 结的暗电流以扩散电流为主。制备了从中波到长波各个波段的碲镉汞ＰｏｎＮ 结构红外探测器。目前,对于λｃ ＝ ５ ．２μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到６８Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达２ ×１０１０ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ;对于λｃ ＝ １４ ．５μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到０－２Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达１ ×１０９ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ。