TDR-50型软轴提拉单晶炉的设计特点

一、引言 TDR-50型单晶炉是我国第一台软轴CZ单晶炉,它是自1981年到1983年通过基础实验研究,结合我国生产单晶炉的经验而研制成功的。样机经过工业运行和检测鉴定证明,在主要精度和性能指标方面,达到了国际上同类设备七十年代末期水平。为我国CZ法生产75毫米硅单晶提供先进设备。 七十年代后期,国际上大型CZ单晶炉     

硅单晶材料发展动态

概述了现代特大规模集成电路对硅单晶片的质量要求、直拉砷单晶生长工艺及晶片加工技术研究进展和硅单晶材料市场现状及发展趋势。     

软轴单晶炉晶体生长的固有干扰因素分析

随着半导体产业技术发展,提高单晶材料生长的成晶率和晶体内在品质越来越重要。国内目前普遍采用软轴单晶炉进行锗、硅单晶棒生产,软轴单晶炉相对硬轴单晶炉具有结构紧凑,运行可靠、设备成本低等的优点,但是软轴单晶炉由于软轴系统类似于单摆和弹簧振子的结构特点,容易产生固有共振干扰,存在对晶体品质不利的影响因素。对这些干扰因素、解决措施进行了简要分析和讨论。     

HP—1型高压单晶炉

高压单晶炉是拉制离解压高的Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体等用的关键设备。我所成功地将原来一台投料量一公斤的硅单晶炉改造成拉制Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体磷化铟(InP)的高压单晶炉。该设备系统经调试,已成功地拉制出磷化铟单晶。炉子结构简单,电气控     

面对21世纪的中国半导体硅材料工业

自从发明晶体管以来，电子技术迅猛发展，人类已经进入了信息时代，微电子技术是现代信息技术的基石，半导体集成电路是微电子技术的核心。硅单晶是集成电路和电力电子技术的基础，是不可替代的功能材料，因此，人们常称当今的时代是硅的时代。我国的半导体硅材料工业已经走过３０多年的历程，给国家提供了上千吨的硅单晶材料，为发展我国电子工业做出了重大贡献，当前，我国硅材料工业而面着大发展的机遇，我们应充分认识硅工业的重     

大直径直拉硅单晶炉热场的数值模拟

数值模拟技术已经成为分析和发展工业化晶体生长工艺必不可少的工具。提出了直拉硅单晶生长过程温度分布的有限元模拟，通过对300单晶炉内热场的数值模拟计算，得出了晶体生长不同阶段的单晶炉内温度分布及相应的温度梯度和热流密度分布。     

φ76.2mm重掺砷硅单晶的研制

本文就如何在TDR-40A单晶炉上拉制出φ76.2mm重掺砷硅单晶作了介绍,提供了试验装置,给出了工艺条件及试验结果,并对重掺砷和重掺锑晶体的异同点进行了初步讨论。重掺锑硅单晶比重掺砷单晶需要更大的(dT/dz)_L,重掺砷硅单晶与重掺锑硅单晶同样有(111)小平面存在,但没有杂质析出现象。     

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺锑硅单晶是在ＣＧ－３０００型直拉单晶炉上研制的，直径为８２ｍｍ，晶向（１１１）。石英坩埚直径为...     

磁场中直拉单晶工艺技术进展

附加磁场的熔体直拉法(MCZ法)是近年开发的一种颇有前途的生长优质硅单晶的新工艺技术。由于磁场抑制了硅熔体中的热对流,减少了熔体的温度波动,因而能减少晶体的生长条纹,降低或控制晶体中的氧含量,提高晶体结构完整性,显著降低单晶硅片的翘曲度,并能拉制高阻硅单晶。从而为超大规模集成电路提供了优质硅材料。本文系统论述了MCZ法的发展历史、方法与原理、工艺与设备、近年的新成果和发展前景。     

国外硅材料的最新发展

本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料质量在纯度方面已能满足器件要求,只是单晶微缺陷和其它性能仍在进行研究。NTD硅单晶已经成为质量很好的商品。文内还对CZ法的ACRT和MCZ工艺以及太阳电池级硅材料作了介绍。     

中国制造出8英寸硅单晶抛光片

“直径 2 0 0mm(8英寸 )硅单晶抛光片高技术产业化示范工程”近日通过国家整体验收。承担此项目的北京有色金属研究总院 (科称“有研总院”)利用自主知识产权技术 ,形成了年产 6 0 0 0万平方英寸 8英寸硅单晶抛光片的生产能力。据介绍 ,这是我国目前建设成功的第一条可满足 0 2 5 μm线宽集成电路需求的 8英寸硅单晶抛光片生产线。有研总院院长屠海令介绍说 ,示范工程生产的硅单晶抛光片已在国内大批量应用 ,并向国际一流集成电路制造公司批量供货。如今 ,示范工程生产线运行状况良好 ,销量稳定增长。中国制造出8英寸硅单晶抛光片…     

直拉硅单晶时旋转磁场的获得

一、引言大规模和超大规模集成电路的发展,对硅单晶质量提出了越来越高的要求。直拉硅单晶中的杂质氧,使晶体在生长或器件制造的热处理过程中,产生堆垛层错、位错环和硅氧沉淀等缺陷。另一方面,氧化物沉淀引入的位错对表面沾污有本征吸杂的作用。因此硅中氧浓度是单晶质量的重要标志。一般直拉硅单晶中的氧浓度都超过1×10~(18)原子/厘米~3,而且单晶头部含量高于尾部。纵向     

科技简讯

我国第一台直拉大直径硅单晶炉诞生大直径硅单晶是发展大觇模集成电略的关键材科,用大直径硅单晶切制硅片可以提高生产率和材科利用率,从而降低成本。为把我国硅单晶材料的生产提高到一个新的水平,上海有色金属研究所自行设计、自行制造了一台高达6.5米的大直径硅单晶炉,为拉制大直径硅单晶准备了条件。经调试和投料11公斤试拉表明,各项性能均达到预定的指际:投料量可达16公斤以上,真空度达10~(-5)乇,温度控制情度达±0.5℃,可用于高真空、低真尘、充氩或     

直拉硅单晶中的微缺陷

1.引言硅单晶在整个天然、人工单晶中是最完美的晶体,完全不含有宏观位错,杂质浓度又低,直径3吋的晶体已大量生产。硅单晶制造法有直拉法(简称 CZ 法)及悬浮区熔法(简称 FZ 法)。现在,前者主要用来制造集成电路用晶体,后者主要制作功率     

〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响

一、前言 无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛下生长困难得多。实践表明<111>籽晶的取向对生长无位错单晶有较大的影响。国外曾报道过气氛下生长无位错单晶与<111>籽晶的取向有关。本实验的目的是探讨真空下生长无位错硅单晶是否与<111>籽晶取向     

单晶硅悬浮区熔炉的发展和设计要点

自七十年代以来,电子工业的发展异常迅速,这与其主要的基础材料—半导体硅单晶制备技术的日益提高紧密相关。当前,硅单晶产量的四分之三以上是用直拉法生产的,主要用于各种规模和类型的集成电路、分立元件和光电器件上。但是在冶金,机     

直拉硅单晶双元素掺杂工艺

前言直拉硅单单晶中常用的掺杂元素有磷P、硼B、砷As、锑Sb等。众所周知N型硅单晶是采用P、As、Sb三种元素作为掺杂剂,P型硅单晶是利用元素B作为掺杂剂。随着电子工业的发展,基础材料硅在质量、品种上近几年都发     

我国砷化镓单晶生长技术世界领先

我国成功拉制出国内第一根直径 4英寸ＶＣＺ半绝缘砷化镓单晶 ,使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家 ,这标志着我国砷化镓单晶生长技术进入世界领先行列。这项成果可满足高品质超高频、超高速集成电路的要求。这套设备结构简单 ,拆装容易 ,便于产业化。砷化镓 (ＧａＡｓ)是目前最重要、最成熟的化合物半导体材料 ,广泛应用于光电子和微电子领域。随着无线通讯、汽车电子等产业的迅猛发展 ,砷化镓半导体产业进入前所未有的快速发展时期。我国砷化镓单晶生长技术世界领先     

日本硅单晶生产现状

集成电路工艺技术已进入亚微米线宽时代,器件制造的基础材料一优质硅单晶是先决条件。今天对硅单晶的要求可归纳为①均匀的电阻率②高纯度③便于精确地控制杂质氧含量④在器件制造过程中,晶片结晶自身应对缺陷有较强的抑制功能⑤大直径化⑥廉价。     

自主创新 奔图实现IT产业质的突破

IT产业是目前世界经济中表现最活跃的领域之一，而在信息产业部划分的IT领域五大产业：集成电路、软件、信息化、电子基础材料和关键元器件、电子专用设备和仪器中，直到“十一五”公布之时，前四大产业因为一直没有国内企业掌握真正的核心技术而受制于人，“世界工厂”的头衔带来的只有产业链下游微薄的利润和资源、环境快速损耗的惨痛代价，“中国制造”的国际竞争力早已堪忧。