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相似文献
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1.
将Ag2O与La0.67Ca0.25Sr0.08MnO3均匀混合经高温烧结后形成La0.67Ca0.25Sr0.08MnO3/xAg两相复合体系。随Ag掺入量的增加,样品的电阻率明显下降,磁化强度有小量下降,TC及电阻率的峰值温度TP没有明显变化。304K温度下,从x=0.25样品中得到最大磁电阻效应,磁电阻比约为41%,分别是La0.67Ca0.25Sr0.08MnO3和La0.67Sr0.33MnO3样品的1.6及10倍。磁电阻的本征效应和传导电子在界面处的自旋相关散射作用是产生室温下增强磁电阻效应的主要原因。结果说明,利用离子的掺杂效应调整居里温度到室温附近,再结合金属/钙钛矿复合体系界面属性丰富的特性来制备庞磁电阻材料是提高室温磁电阻有效的途径,这对应用研究具有十分重要的意义。  相似文献   

2.
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备La0.67Sr0.33-xAgx-y□yMnO3/Agy(x=0.20,0.30)多晶粉末,经压制与1 400℃/12h烧结获得相应的块体材料,借助X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和多功能物性测量系统(PPMS,附件VSM),对材料的相结构、微观结构和磁性能进行研究。结果表明:La0.67Sr0.33-xAgx-y□yMnO3/Agy粉末形貌为接近球形的凸多面体,平均粒度在150 nm左右,块体材料结构致密但粒度变大。另外,粉末与块体材料中都有金属Ag相和Sr空位存在。在室温下块体材料的磁电阻较小,而且为负值。在低温区,外加磁场越高,则磁电阻越大,在外加磁场为3T、温度为174和20 K条件下,La0.67Sr0.13Ag0.20-y□yMnO3/Agy的磁电阻分别为-37.5%和-43.3%,在141和20 K温度下La0.67Sr0.03Ag0.30-y□yMnO3/Agy的磁电阻分别为-45.1%和-53.9%。  相似文献   

3.
用固相反应法制备了(1 -x)La0.6Dy0.1Sr0.3MnO3/0.5x( Sb2 O3)系列样品,通过电阻率-温度(ρ-T)曲线以及ρ-T拟合曲线,研究了样品的电输运性质,电输运机制及低场磁电阻效应.结果表明:所有样品在高温区表现为绝缘体导电,在低温区表现为金属导电,产生绝缘体-金属相变;在金属导电区主要是单磁子散射起作用,可以用公式ρ=ρ0+AT拟合;所有样品在整个温区随温度降低MR持续增大,表现出低场磁电阻特征,复合样品的磁电阻(MR)与纯的La0.6Dy0.1Sr0.3 MnO3的MR相比,在低温区减小,在高温区增大,对x=0.15的样品在高温区的MR大幅度提高,当B=0.2 T,T=300 K时,MR达7.79%,比纯La0.6Dy0.1 Sr0.3 MnO3的MR增大2.6倍,有利于MR的实际应用.  相似文献   

4.
用磁控溅射镀膜方法,制成了巨磁电阻自族间多层膜Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta.它具有优良的特性.其室温磁电阻比率MR>2%,自由层矫顽力Hc1<160A/m,自由层零磁场漂Hf<800A/m和钉扎层交换场Hex≈20×103 A/m.作为新型磁功能材料,它满足高灵敏磁性传感器和硬盘读出头的要求.对多层膜制备的方法也作了系统研究,并讨论了缓冲层和钉扎层的制备工艺和微结构对磁性能的影响.  相似文献   

5.
用固相烧结工艺制备Ba2NiMoO6陶瓷样品,采用多晶X射线衍射仪和扫描电子显微镜技术对样品的物相成分、晶体结构和晶体表面形貌进行表征与分析.X射线的实验结果表明:Ba2NiMoO6晶体原胞(a=b=c8.045 nm)属于立方晶系,空间群为Pm3m(No.221),布拉格衍射峰(111)和(311)为样品中Ni离子和Mo离子有序占据B位超晶格有序峰.振动样品磁强计(VSM)测量室温样品磁化强度与磁场强度关系,表明样品在室温下呈现顺磁行为.由电子顺磁共振(ESR)测量样品的室温吸收曲线,可以计算出朗德因子(g=1.3).  相似文献   

6.
章晓中  薛庆忠 《稀有金属》2006,30(4):429-431
利用激光脉冲沉积(PLD)方法制备了沉积于硅基片上的掺杂过渡金属的非晶碳膜结构Fex-C1-x/Si。Fex-C1-x/Si的磁电阻(MR)可正可负,随温度而变化。当温度T〈258K时,Fe0.011-C0.989/Si的MR为负值;当258K〈T〈340K时,该材料的MR为正值,在室温磁场为1T时,该材料的正MR可以大于20%。且在不同的温度范围中,该材料的MR和外加磁场的依存关系呈现出不同的特点:在T=280和300K时,当磁场小于1T时,MR随磁场的增加而快速增加,之后随磁场的继续增加MR增加开始变得缓慢;在T=350K时,MR近似以磁场的B^1.5。的规律变化;而在T=30K时,MR为负值且其大小随磁场的增加而减小。利用双通道模型对该MR效应进行了初步解释。  相似文献   

7.
用固相反应法制备La0.5Sm0.2Sr0.3MnO3/(Ag2O)x/2(x=0.00,0.04,0.08,0.25,0.30)样品,通过X射线衍射谱线(XRD),扫描电子显微镜(SEM)照片及SEM能谱(EDS),ρ-T曲线,研究样品的输运行为及磁电阻效应。结果表明:少量掺杂时Ag全部挥发。掺杂量较多时,挥发后多余的Ag主要以金属态包覆在母体颗粒的表面,使体系形成两相复合体。掺Ag为30%摩尔比时,样品的电阻率较低掺杂样品的电阻率降低一个数量级,在300K、0.5T磁场下,磁电阻明显增强,达到9.4%,这与颗粒母体界面结构的改善有关,也与材料电阻率的降低有关。  相似文献   

8.
采用固相法制备了钙钛矿型氧化物Sm0.5-xCdxSr0.5CoO3-δ(x =0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5)粉体.利用XRD分析材料的物相组成,用热膨胀仪测定了材料的热膨胀系数.利用交流阻抗法测试了Sm0.5-xGdxSr0.5CoO3-δ/SDC复合阴极的极化电阻.结果表明,粉体在1200℃热处理6h后形成正交钙钛矿型结构;从室温到800℃范围内,材料的平均热膨胀系数TEC为11.43×10-6℃-1~14.35×10-6℃-1,掺杂Gd3+以后Sm0.5-xGdxSr0.5CoO3-δ样品的热膨胀系数比Sm0.5Sr0.5 CoO3-δ样品的热膨胀系数略有增加.800℃时,复合阴极的极化电阻随x的增大先减小后增大,在x=0.1时,最小为0.05Ω;所有样品的极化电阻随测试温度的升高而降低.  相似文献   

9.
Al2O3层对超薄各向异性磁电阻薄膜性能影响的研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中.器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄.采用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了Ta/NiFe/Ta磁电阻超薄薄膜,将几个纳米厚的Al2O3层插入Ta/NiFe/Ta薄膜的Ta/NiFe界面,研究该插层对超薄NiFe薄膜性能的影响.结果表明:由于Al2O3层的“镜面反射”作用,适当厚度和结构状态的Al2O3层可以提高薄膜的磁电阻值, 当NiFe薄膜厚度为5 nm时,通过在界面处插入约2nm的Al2O3层,薄膜的磁电阻值从0.65%提高到了0.80%,增加幅度超过20%.性能提高的主要原因是除纳米Al2O3插层的“镜面反射”作用外, 抑制Ta/NiFe的界面反应以及减少Ta层分流也是重要的影响因素.  相似文献   

10.
铈掺杂双钙钛矿氧化物Gd_2NiMnO_6的电运输性质   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用传统高温固相反应法制备了双钙钛矿氧化物Gd_((2-x))CexNiMnO_6(x=0,0.1,0.2,0.3)多晶样品。通过样品的XRD谱及电阻率随温度的变化数据(ρ-T曲线)研究了样品的结构和电运输性质。结果表明:该组样品均呈现良好的单相性,属于单斜晶系,空间群为P2_1/n;该组样品均属于半导体材料,磁场的存在不利于电传导;随着铈元素的掺杂,导电性越来越好;在所测温度区间内,铈的较高浓度掺杂改变了其导电方式,导电机制由变程跳跃方式转变为热激活方式。  相似文献   

11.
用非磁性Ga3+部分替代Sr2MnMoO6中的Mn2+,获得Sr2Mn1-xGaxMoO6(x=0,0.1,0.2,0.3)多晶样品,通过X射线衍射(XRD)分析和磁性能测量研究Ga3+对晶体结构和磁性的影响。XRD谱Rietveld结构精修分析表明,Sr2Ga1-xMnxMoO6具有四方对称晶体结构(空间群I4/m)。随着Ga含量增加,B/B-原子占位有序度降低,平均键长减小,而平均键长增大,平均键角保持180o不变,平均键角逐渐扩张。5 K及300 K温度下,样品均为反铁磁体,但低掺杂样品在低温(5 K)下表现出微弱的铁磁性。上述结果表明,Ga3+对Mn2+的电子掺杂引起部分Mo离子价态由+6价转变为+5价。  相似文献   

12.
The ordered double perovskites, Sr2-xLaxMnMoO6, were prepared by sol-gel reaction. Structural, magnetic, and electrical properties were investigated for a series of ordered double perovskites Sr2- x Lax MnMoO6 (0 ≤ x ≤ 1 ). The compounds have a monoclinic structure (space group P21/n) and the cell volume expands monotonically with La doping. The Tc and the magnetic moment rise and the cusp-like transition temperature below which the magnetic frustration occurs shifts to high temperature as x increases. With La doping, electrical resistivity of Sr2-x LaxMnMoO6 decreases only at low doping levels (x ≤0.2); while at high doping levels (0.8≤x ≤1), electrical resistivity tends to increase greatly. The resuits suggest that the competition between band filling effect and steric effect coexists in the whole doping range, and the formation of ferrimagnetic interactions is not simply at the expense of antiferromagnetic interactions.  相似文献   

13.
二次冷轧技术应用研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
厚度仅为0.08~0.18 mm极薄冷轧带钢广泛应用于电子、制罐等领域,其特点为规格薄、强度高,生产难度大。目前国内只有宝钢采用二次冷轧(DCR)技术进行生产。简要介绍了二次冷轧技术的特点和发展,概述了二次冷轧机组的基本功能和组成。针对宝钢冷轧薄板厂新建二次冷轧机组,对二次冷轧技术的应用方法和产品用途进行了详细的论述。  相似文献   

14.
针对锑白生产过程中产品含铅高这一问题 ,用化学纯试剂研究了PbCl2 在不同盐酸浓度、Sb3 浓度和温度条件下的溶解度。  相似文献   

15.
Ionicconductingsolidmaterialshavereceivedconsiderableattentioninthelastfewyearsduetotheirpotentialutilityinhighenergybatteriesandotherelec trochemicaldevices .SeveralsystemsoflithiumfastionconductorsareknowntoshowhighlithiumionconductivitysuchasγLi3PO4 typesolidsolution[1] ,LiTi2 (PO4 ) 3anditsderivations[2~4 ] andLi14 Zn(GeO4 ) 3solidsolution[5] .However ,exceptforlowpowerapplications ,onemajorproblemwiththepracticalapplicationsisitslowconductivityatroomtemperature .Recentyears ,morean…  相似文献   

16.
分别采用共沉淀法和溶胶.凝胶法制备了钙钛矿结构的MSnO3(M=Ca和Ba)纳米晶。研究发现,在共沉淀法的制备过程中,CaSnO3成相的焙烧温度须高于BaSnO3;而在溶胶.凝胶法制备过程中,情况正好相反。从反应机制和物质本征结构两方面对此进行了讨论。  相似文献   

17.
 Abstract: Hydrogen-enrich iron making process is certainly to be an effective method to reduce greenhouse gases emission. However, the effect of hydrogen addition on the low temperature metallurgical property of sinter is still unclear. A detailed investigation was performed on the above topic. The results are as follows. When CO is partially replaced by H2, the RDI<315 (RDI<28) of sinter decreases with the increase of the H2 content; when the content of H2 increases, the CO, CO2 and N2 decrease proportionally, in this case, RDI<315 (RDI<28) of sinter increases with the increase of H2 content; the value of RDI<315 (RDI<28) basically depends on the reduction index (Ri).The experimental data of RDI<28 based on Japanese industrial standard (JIS) are a little higher than the data of RDI<315 based on Chinese industrial standard (CIS) in the same condition. In addition, for part of CO is replaced by H2: RDI<28=338394+11585 RDI<315; for other gases, except H2, are decreased proportionally: RDI<28=1739678+042922 RDI<315.  相似文献   

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