基于包络线法的薄膜光学常数分析

用电子束反应蒸发法制备了TiO2薄膜,以折射率和消光系数为主要性能指标,通过正交实验法确定了得到较优光学性能的工艺搭配。分析了基片温度、沉积速率和真空度对TiO2薄膜光学性能的影响。并通过所开发的膜系设计软件分析了在最佳工艺条件下制备的TiO2薄膜的透射率,用包络线法计算出了薄膜的折射率、厚度以及消光系数,与实测值有很小的差别,可以证明实测结果的正确性。     

Cu-MgF2陶瓷薄膜光学常数尺度效应的数值模拟

对Cu金属颗粒镶嵌在MgF2陶瓷基体中形成的金属陶瓷薄膜光学常数的尺度效应进行了数值拟研究.用修正的M-G(Maxwell-Gannett)理论对Cu-MgF2金属陶瓷薄膜,在金属微粒体积分数一定时光学常数的尺度效应进行了理论计算,并将理论计算结果与实验数据进行了比较.结果表明：金属微粒在体积分数(f1=15％)情况下...     

快速退火对HfO_2高k薄膜结构和电学性能的影响

文章采用射频反应磁控溅射法在p型Si(100)衬底上制备了HfO2高k薄膜,并对样品进行了N2气氛快速退火处理。对薄膜进行了Raman光谱、UV-VIS-NIR透过光谱、XPS以及C-V特性的分析,研究了快速退火对HfO2薄膜结构、成分、禁带宽度和电学特性的影响。结果表明,HfO2薄膜有良好的非晶稳定性,组分基本符合化学剂量比。经N2气氛快速退火处理后,薄膜的化学剂量比得到改善,禁带宽度增大,且薄膜内的固定电荷密度和平带电压偏移减小。     

Si掺杂立方HfO_2的电子结构和光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Si掺杂立方HfO2的电子结构及光学性质。计算结果表明,掺杂后立方HfO2的电子结构发生了变化,费米面进入了杂质带,同时由态密度图可知掺杂能级的形成主要是Si的3p轨道的贡献。经带隙校正后,计算了Si掺杂立方HfO2的光学线性响应函数随光子能量的变化关系,包括吸收光谱、复介电函数、复折射率、反射光谱、损失函数及复光电导谱。结果表明,由于掺杂能级的出现,导致了立方HfO2吸收带边的红移。     

Ta2O5材料光学常数的拟合及其在近紫外到近红外波段应用

Ta2O5在近紫外到近红外波段作为高折射率材料有着广泛的应用,由于色散和吸收,Ta2O5在不同波段的光学常数不尽相同.此外,不同的制备条件下,Ta2O5材料的光学常数也会出现差异.如何精确得出Ta2O5材料在确定工艺条件下的光学常数成了薄膜工作者关心的话题.本文介绍了一种采用电子枪蒸发并加以离子束辅助技术制备Ta2O5薄膜的方法,对薄膜从近紫外到近红外的光学常数进行了拟合,并举例说明了Ta2O5材料在近紫外波段的应用.     

气体压强对非晶InGaAs薄膜光学常数的影响

论述一种用透射谱包络线法计算非晶薄膜的折射率、消光系数和光学带隙的方法。通过正交实验确定除压强之外的工艺参数,研究压强的改变对薄膜主要光学常数的影响,运用最小二乘法、内插值法在matlab编程基础上,拟合出光学常数曲线,借由观察曲线的特点,分析在低工作气压下,气压的改变对光学常数的影响。     

生长温度对掺钛氧化锌薄膜光学性质的影响

以氧化锌钛陶瓷靶作为溅射源,采用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺钛氧化锌(TZO)透明导电薄膜,通过X射线衍射仪和分光光度计测试表征以及全光谱拟合法分析,研究了生长温度对TZO薄膜晶体结构和光学性质的影响.结果表明:所有TZO样品均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向,生长温度对薄膜晶粒尺寸和光学透射率的影响较明显,而对折射率、消光系数和光学能隙的影响较小.当生长温度为200℃时,TZO薄膜的晶粒尺寸最大,可见光范围平均透射率(含衬底)为76.1%,对应的直接光学能隙为3.45 eV.     

电子束蒸发沉积TiO2薄膜结构及光学性能的研究

研究了工艺条件对电子束蒸发沉积在 K9玻璃上 Ti O2 薄膜的结构和光学性能的影响。正交试验结果表明 ,基片温度是影响薄膜光学常数的主要因素 ,制备 Ti O2 薄膜的最佳工艺参数为 :基片温度 30 0℃ ,工作真空 2× 10 - 2 Pa,沉积速率 0 .2 nm/ s。采用最佳工艺沉积在透明基片上的 Ti O2 薄膜在可见光区具有良好的透过特性 ,同时也得出了薄膜的光学带隙能 Eg=3.77e V。 SEM观察结果表明薄膜为柱状纤维结构 ,柱状纤维的直径在 10 0～ 15 0 nm之间     

吸收透明导电薄膜生长与复光学常数测定

用带特殊热（冷）阱的可控制基片温度的电阻加热式真空蒸镀薄膜装置，把吸收透明导电薄膜Au和In2O3分别通过热蒸镀和活化反应淀积在玻璃基片上,In2O3的电阻为80Ω/□，光学透射率不小于80%，透明导电 薄膜的复光学常数可通过测量其反射和透射系数得到，但考虑到基片背表面的存在，必须对反射和透射系数进行修正，引入修正后所得到的复光学常数与椭偏测量的结果一致。     

PECVD工艺参数对SiO_2薄膜光学性能的影响

为探索利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depo-sition,PECVD)技术制作光学薄膜的有效方法.以SiH4和N2O作为反应气体,通过采用M-2000UI型宽光谱变角度椭圆偏振仪对制作样片进行测试,分析了薄膜沉积过程中的不同的工艺参数对SiO2薄膜光学性能的影响.实验结果表明:在PECVD技术工作参数范围内,基底温度为350℃,射频功率为150 W,反应气压为100 Pa时,能够沉积消光系数小于10-5,沉积速率为(15±1)nm/min,折射率为(1.465±0.5)×10-4的SiO2薄膜.     

新型光学薄膜研究及发展现状

综述了近年来国内外在新型光学薄膜如高强度激光膜、金刚石及类金刚石膜、软X射线多层膜、太阳能选择性吸收膜和光通信用光学膜的制备及其在器件方面的研究和应用情况，并对光学薄膜的研究进行了展望。     

电沉积制备CuInGaSe2薄膜及性能

利用电沉积方法制备出CuInGaSe2薄膜，对制备的薄膜硒化退火以提高薄膜的化学计量比。通过C射线能量色散谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）以及四探针方法对制备的薄膜进行组成成分、微观结构、表面形貌和导电类型进行分析，结果表明制备的薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀，具有较高的光吸收系数．导电类型均为n型。     

电沉积制备CuInSe2薄膜及性能研究

采用Mo／钠钙玻璃衬底为研究电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系，以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液，在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2薄膜。通过EDS、XRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行了表征，实验结果表明利用电沉积方法可以制备出晶粒分布均匀的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜，禁带宽度为1．14eV左右，具有高的吸收系数。     

Preparation of Nanometer-structured TiO_2 Thin Films by Sol-Gel Method

1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｉＯ2 ｎａｎｏｍｅｔｅｒｔｈｉｎｆｉｌｍｉｓａｖｅｒｙｉｍｐｏｒｔａｎｔｆｕｎｃｔｉｏｎｍａｔｅｒｉａｌ .Ｉｔｈａｓａｖｅｒｙｇｏｏｄｐｒａｃｔｉｃａｌｖｉｓｔａｉｎｓｏｌａｒｅｎｅｒｇｙ ,ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ ,ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｈａｎｄｌｅｏｆｏｒｇａｎｉｃｃｏｎ ｔａｍｉｎａｔｏｒ,ｅｔｃ[1- 4] ,ｓｏｍｏｒｅａｎｄｍｏｒｅｒｅｓｅａｒｃｈｗｏｒｋｈａｓｂｅｅｎｐｕｔｉｎｔｈｉｓａｓｐｅｃｔ.Ｓｏｌ ｇｅｌｍｅｔｈｏｄｉｓａｖｅｒｙｕｓｅｆｕｌ…     

Au/SiO_2复合薄膜的紫外光还原制备与光吸收性能

通过溶胶-凝胶法,利用紫外光辐射还原金(Au)得到了高均匀性Au/SiO2复合薄膜,并用SEM、TEM、XRD、UV-Vis光谱等手段对薄膜样品进行了性能表征,讨论了紫外光对金纳米粒子的还原机理。XRD结果表明,均匀分散于非晶SiO2中的Au纳米粒子呈现出面心立方多晶相;SEM结果表明,所得到的Au/SiO2复合薄膜中,纳米颗粒的尺寸较小,分布均匀;复合薄膜的UV谱表明,Au纳米粒子的表面等离子共振吸收峰随着焙烧温度的增加以及nAu/nSi的改变,从585nm附近逐渐红移至600nm附近,并逐渐增强,同时,nAu/nSi较大的3个薄膜样品分别在820,900和830nm附近的近红外区出现了吸收。     

制备参数对TbFeCo磁光薄膜性能的影响

对采用磁控溅射制备TbFeCo/Si、Ag/TbFeCo/Si系列薄膜的溅射工艺进行了研究,分析了TbFeCo薄膜的生长机理,并对其光学性质、磁性质和磁光性质进行了分析。实验结果表明,不同压强对TbFeCo薄膜的成分比有明显的影响,确定了工作压强为2.0 Pa是适合的,这时制备的薄膜的成分原子比和靶的原子比最接近。用全自动椭圆偏振光谱仪测量了TbFeCo薄膜在1.5~4.5eV的椭偏光谱,结果表明,随着工作气压、溅射功率和Ar气流量的变化,薄膜的光学性质均发生明显变化。对制备的Ag/TbFeCo/Si和TbFeCo/Si磁光薄膜的磁光性质进行了分析,结果表明,Ag保护膜对TbFeCo磁光薄膜的磁光性质会产生显著影响。