镝的光度分析进展

对近10a来的用荧光法和导数光谱法测定镝的研究及应用进行了综合报道。参考文献30篇。     

钇的光度分析进展

对钇的光度分析方法,包括常规光度法、化学发光法、流动注射力学法和荧光光度法等近些年的进展进行了综述,参考文献52篇。     

铌的光度分析试剂及其在光度分析中的应用

铌的分析测定对于航天、电子、通讯、能源等行业的发展都具有重大意义。近年来各种新试剂、新方法的不断涌现，使铌的光度分析有了新的进展。通过对铌的光度分析试剂予以综述，重点介绍了各类显色剂及其显色反应体系、相应光度分析方法的最大吸收波长、摩尔吸光系数、检测限、干扰情况及其应用。     

十年来我国无机光度分析的成就和进展

本文简要地总结并回顾了近十年来我国无机光度分析及荧光分析的成就和进展。全文主要包括:(1)新型有机显色剂及荧光试剂的合成及应用;(2)超灵敏光度分析体系的进展;(3)表面活性剂胶束增效作用的研究;(4)多波长、导数光谱、高效液相色谱以及流动注射分析等新技术与光度分析的结合;(5)化学计量学及其在多组分同时测定中的应用。全文附有参考文献271篇。     

卟啉试剂在光度分析中的应用

本文论述了近的来卟啉试剂在光度分析中的应用及其发展状况，介绍了该类试剂在光度分析中用作显色剂及显色反应的条件，以及相应光度分析方法检出限和测定范围等。     

锌光度分析的进展

综述了近年来锌的吸光光度法，导数光度法，荧光光度法，流动洲央求我度法以及计算数学光度法等光度分析方法的进展及其在锌测定中的应用。     

钇的光度分析进展

评述了钇的光度分析方法的新近发展状况，重点介绍了三苯甲烷类试剂光度法，偶氮膦试剂光度法，一般偶氮试剂光度法，含氮试剂光度法，羟基氧化蒽羧酸光度法。     

钨的光度分析新近进展

目前,钨的光度分析论著较多,其实际应用也较普遍,它不仅用于微量,也用于高中量钨的测定。本文就钨的光度测定方法的新近发展状况,做一归纳和讨论。一、硫氰酸盐光度法在盐酸介质中,在SaCl_2或TiCl_3存在下,钨(V)与硫氰酸盐形成K[WO(SCN_4)]黄绿色配合物,已广泛应用于岩石矿物以及钢铁等样品中钨的测定。λ_(mox)=398纳     

铱的光度分析进展

综述了近年来铱的光度分析方法的研究状况,主要介绍了常规光度法、催化动力学光度法、化学发光法和荧光光度法的研究进展。参考文献49篇。     

钍的光度分析概况

总结了近年来钍的常规光度法和荧光光度法发展概况。参考文献59篇。     

钐的光度分析进展

根据查阅到的文献,综述了近十多年来钐的常规光度法和荧光光度法研究进展。指出新显色剂的合成及原有显色剂灵敏度、选择性方面的改善是今后应重点研究和解决的课题。     

金属铽制备过程中影响金属铽收率因素探讨

针对影响金属铽制备过程中金属收率的原料成分及反应过程不同阶段的各项工艺参数进行试验，确定了金属铽生产中获得最佳收率的工艺条件。     

高纯金属铽制备工艺研究

在SL63—7BL真空电阻炉中使用钨坩埚，钽片做收集筒，在真空度为10^-3Pa和1750～1800℃温度下蒸馏提纯金属铽，工艺可靠，可以批量生产。     

高纯金属铽的制备工艺研究

本文在高纯金属铽的制备进行了研究，结果表明：采用低温氟化，真空蒸馏是制备高纯金属铽的有效方法，并对其影响因素作了探讨。     

ICP-AES法测定金属铽中钽

采用ICP—AD法测定金属铽中钽，结果令人满意。     

Organic Light Emitting Devices Based on Terbium Complex

Rare earth complex Tb(BA)3phen was synthesized, which is first used as an emitting material in electroluminescence. The properties of monolayer device with the swing film rate of 1000 r·min-1(70 nm) and the weight ratio of 1:5(PVK:Tb(BA)3phen) are the best. And the highest brightness of this device reached 26.8 cd·cm-2 at a fixed bias of 21 V. Bright green emission could be obtained from the optimized double-layer device and the highest EL brightness of the device reached 322 cd·m-2 at the voltage of 22 V.