量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备, 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长, 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。     

分子束外延GaAs／AlGaAs量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。     

分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ,峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。     

半导体激光器材料的MBE生长

本文概述了我们最新引进的英国ＶＧ公司制造的Ｖ８０Ｈ型分子束外延（ＭＢＥ）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行了半导体激光器材料的生长研究工作。     

外延技术在半导体激光器中的应用

本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ）,分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展,并比较了国内外的水平差距。     

外延技术在半导体激光器中的应用

本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法,液相外延（ＬＰＥ）,金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ）,分析了各自的特点和局限性,介绍了我们在高功率半导体激光研究方面所取得的一些进展,并比较了国内外的水平差距。     

多量子阱(MQW)增益导引锁相列阵激光器

本文利用分子束外延（MBE）生长的多量子阱（MQW）晶片，通过二氧化硅（SiO2）掩模、Zn扩散等一系列工艺，实现十条增益导引激光器销相列阵。实验中观察到列阵器件远场图形呈双瓣状，单面连续最大输出功率为35mw，阈值电流为44mA，在脉冲状态下测得中心波长为7910。     

GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806－809nm。     

GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（CRIN－CSH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10W,峰值波长为806－809nm。     

高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器

利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W /A     

高功率GaAlAs／GaAs SQW激光器

利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料,利用该材料制作的激光二极管,室温连续工作,功率为１Ｗ,斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。     

980nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

利用分子束外延技术研制出了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ￣２。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８Ｗ／Ａ，线性输出功率大于１２０ｍｗ，基横模输出功率可达１００ｍＷ。ＩｎＧａＡｓ应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为４０ｍＷ，最大值可达６０ｍＷ。显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在４０ｍＷ下，中心发射波长在９７７ｎｍ，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源。     

采用有效质量法对Al_yGa_（1－y）As／Al_xGa_（1－x）As单量

介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图．为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算．其中，将超晶格的一些基本观点进行了约化，以期望更方便地应用于单量子阱结构的研究．结果表明，理论值（波长７７５ｎｍ）和实验值相吻合．说明将超晶格基本观点进行了约化后，有效质量方法对单量子阱结构的理论分析和计算是十分有效的方法．     

MOVPE生成AlGaInAs／InP应变量子阱材料研究

用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试，通过二 次离子质谱仪（SIMS）的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响，通过采用高纯原料和纯化载气，生长出了较高质量的AlGaInAs应变量子阱材料：氧含量小，光荧光强度大（25－mW,PL=0.3)，光荧光谱线窄（FWHM＝31meV)。     

采用有效质量法对AlyGa1—yAs／AlxGa1—xAs单量子阱半导体激光…

介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图，为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算。其中，将超晶格的一些基本观点进行了约化，以期望更于应用于单量子阱结构的研究。结果表明，理论值和实验值相吻合，说明将超晶格基本观点进行了约化后，有效质量方法对单量子阱结构的理论分析和计算是十分有效的方法。     

GaInAsP／GaAs半导体激光器远场特性研究

对用液相外延生长的GaInAsP/GaAs分别限制异质结单量子阱半导体激光器的远场分布特性进行了理论和实验分析。通过对三层平板波导、缓变波导及亥姆霍兹方程严格远场解三种理论的分析比较，得出了描述GaInAsP/GaAs半导体激光器远场分布的最佳模型。     

折射率线性分布多量子阱波导的色散特性

本文采用Ｆｌｏｑｕｅｒ理论和转移矩阵技术，求出了折射率线性分布多量子阱波导芯子区域的等效折射率公式和适用于ＴＥ及ＴＭ两种偏振的色散关系，其结果更适用于实际的多量子阱波导色散特性的分析。     

4．8kbps多带激励语音编码器的模拟实现

文章阐述了多带激励（ＭＢＥ）语音产生模型与以往单一激励语音产生模型的区别及其优越性。研究了以ＭＢＥ模型为基础进行语音分析合成的基本原理和实现的算法。提出了４．８ｋｂｐｓＭＢＥ语音编码方案，并在计算机上进行了模拟实现。实验结果表明，所模拟的４．８ｋｂｐｓＭＢＥ语音编码器系统是成功的。其合成语音在可懂度与自然度方面，与以往的线性预测（ＬＰＣ）、码激励线性预测（ＣＥＬＰ）语音编码系统相比都有了明显的改善。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料 (GRIN—SCH—SQW )。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到 1 0W ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm