制备GaP的新方法

一、简况: 作为发光材料包括诸如GaAs,GaPGaAlAs,GaAsP,InGaP合金等Ⅲ—Ⅴ半导体化合物,以及在GaAs上涂布萤光如YoCl、Y_b、E_r、T_m等材料。除此之外,还有Ⅳ族半导体SiC,Ⅱ—Ⅵ族半导体ZnSZnSe、CdTe、新制材料GaN等。其中,     

Ag/Zn双元离子注入不锈钢的研制与抗菌性能研究

在单一金属离子抗菌性能和作用范围存在不足的基础上,提出了Ag/Zn双元抗菌金属离子注入制备抗菌不锈钢的方法。该方法将有助于抗菌广谱性和抗菌性能的提高,迄今未有双元抗菌金属离子不锈钢的报道。平板菌落计数法表明,Ag/Zn双元离子注入试样对革兰氏阴性大肠杆菌(E.coil)和革兰氏阳性金黄色葡萄球菌(S.aureus)都具有优良的抗菌效果(抗菌率99%);电化学极化曲线表明,注入试样的耐腐蚀性能较未注入试样略有提高;X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)等对离子注入层离子化学状态及微观形貌进行了表征,并初步讨论了注入层性质与抗菌性能之间的关系。     

ICP刻蚀GaP表面形貌控制

不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子（ICP）刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中.     

离子注入机专利技术

离子注入机的基本原理是入射离子与半导体(靶)的原子核和电子不断发生碰撞,其方向改变,能量减少,经过一段曲折路径的运动后,因动能耗尽而停止在某处从而改变该处的电学特性以及实现掺杂。该文根据离子注入机各部分的不同作用,将离子体注入机分解为六个技术分支,具体包括离子源、离子筛选系统、加速结构(加速或减速)、束流系统(包括扫描、聚焦等调整注入前束流种类或参数的其他结构)、靶室、控制系统等,根据离子注入机领域产业的发展现状、多个关键技术领域的专利状况,分析了该领域的专利申请量和核心,同时对该领域未来发展趋势进行了预测。     

GaP薄膜的制备与性能研究

利用磁控溅射法成功地制备出GaP薄膜,并对GaP薄膜的沉积速率、成分、结构及红外光学性能进行了研究。结果表明,沉积薄膜中Ga与P的原子比接近1:1,形成了GaP化合物,呈非晶态结构。设计并制备出GaP/DLC复合膜系,结果表明该膜系在8～11.5um波段对ZnS衬底具有明显的增透效果。制备的GaP薄膜的硬度明显高于ZnS衬底的硬度,且与ZnS衬底结合牢固,可提供良好的保护性能。     

国外GaP LED和单晶制备技术

本文介绍了GaP的发光性能及作为LED材料的应用前景。评述了GaP单晶制备的工艺研究、等径控制技术,商品生产的发展和现状以及今后发展动向。     

日本用GaP进行单一光子发生获得成功

日本物质材料研究机构半导体材料中心和日本筑波大学利用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaP在结晶时形成的称为等电子陷阱的能级上的电子-空穴对，从各个等电子陷阱发生能量非常一致的单一光子。这在世界尚属首次。     

离子注入抑制金属氢脆

“氢脆”就是氢扩散到金属内部使金属原子结合力下降,基体脆化,或形成很脆的氢化物导致金属的脆断。氢几乎对所有金属都存在不同程度氢脆倾向,使金属部件产生突然的脆性断裂,如航空及宇航工业上使用的高强度结构钢在低应力静负荷下产生的破坏就是由于含有微量氢所引起。对Fe基合金,一般公认氢在合金中的传送是氢脆控制因素。金属中缺陷、溶质原子和沉淀对氢的捕获可以改变氢的传送率,因此这是抑制氢脆一种有希望的手段。例如人     

离子注入技术及离子注入对不锈钢腐蚀电化学行为的影响

离子注入方法及注入工艺对改变金属表面成分和表面性能是极为有效的技术．离子注入对金属腐蚀行为的研究已有约30年的历史。本文概述了离子注入技术及离子注入对不锈钢腐蚀电化学行为的影响，涉及的注入离子达十余种。     

等离子体源离子注入技术

介绍了等离子体源离子注入(PSII)的现状、特点、原理和应用效果。     

离子注入技术及其应用

本文简述了离子注入技术的特点、原理和装置;介绍了目前国内外离子注入机的类型和主要参数;详细地综述了离子注入技术在提高金属材料表面的机械性能(如硬度、耐磨性能、耐疲劳性能等)、抗氧化和耐腐蚀性能等方面的工艺、效果及其工业应用实例:阐明了这种新技术为金属材料科学、固体化学及腐蚀科学等科学领域的理论与应用的研究开辟了一条新的途径;指出了离子注入技术正在朝与气相沉积-电子束技术以及激光表面强化等新技术相互渗透与结合的方向发展。实践证明,离子注入技术是一种多功能的、并兼有理论研究和工业应用两方面发展前景的新技术。     

离子注入技术的新动态

近年来,世界各国由于电子技术的发展,对新型材料及新型器件提出了新的要求。离子注入技术是当前发展电子材料及器件中的关键手段之一,各先进工业国家均采用该技术发展新型器件及新型材料。如所周知,离子注入技术具有掺杂均匀性好、不受表面氧化层的影响、注入量可精确控制、横向扩散小等优点。更重要的是,从原理上离子注入到各种材料,可不受化学     

GaAs、GaP、InP化合物半导体及结晶材料

一、2008年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2006年度（2006年4月～2007年3月）化合物半导体材料的出货额比2005年度增加8％（内需减少4％，出口增加20％），达509亿日元。出口比例增加至55％。     

GaP纳米复合发光材料的制备和性质

用微波水热方法制备了GaP纳米晶／桑色素复合发充材料，研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响。结果表明：在微波水热条件下，GaP纳米晶的晶体结构不发生变化，只是在复合反应后粒度有所长大；与纯CaP纳米晶的发光光谱相比，复合后材料的发光峰变窄，发光强度显著增加，而且发光峰峰位向短波方向移动；另外，复合材料的发光波长和效率与GaP纳米晶的粒度有密切关系，粒度减小时相应的复合材料发光波段蓝移且发光效率提高。     

GaP纳米复合发光材料的合成及性质

用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4～8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.     

等离子体浸没离子注入技术综述

作为一种新的表面处理技术,离子注入技术在工业制造零件表面改性方面取得巨大的贡献,本文对等离子体浸没式离子注入技术做了简单介绍,主要介绍了其在材料表面改性方面中的优缺点及应用,就其发展前景做了展望。     

离子注入技术提高聚合物导电性

离子注入已成为生产集成电路用半导体的掺杂方法,最近,这种掺杂技术已发展到能提高某些共轭聚合物(包括聚乙炔、聚硫氮化物和聚喹啉)的导电性,且所有这些物质的导电性都能达到半导体的水平。虽然离子注入技术还有些缺点,但已被认为是生产带有导电聚合物薄膜的微电子装置的理想方     

离子注入制备纳米晶研究进展

离子注入技术是一种在材料近表面形成埋层纳米晶的一种非常有效的方法，纳米晶的出现使得基体材料具有特殊的物理性质，综述了近几年来利用离子注入技术的金属，半导体、磁性材料纳米晶的发展情况及其潜在的应用，并提出了现存的问题。