EDTA对KDP晶体光散射性质影响的研究

不同EDTA（乙二胺四乙酸）掺杂浓度条件下生长了KDP（磷酸二氢钾）晶体,超显微法观察了EDTA对KDP晶体光散射性质的影响。结果表明,随着溶液中EDTA含量的增加,相应晶体内部的光散射现象加重。其原因在于当溶液中EDTA含量较高时,阻碍了KDP晶体的生长,导致了液相包裹物的产生,造成光散射;同时发现,同一晶体不同部分的光散射也不同。对EDTA的影响机理进行了初步的探讨。     

红外材料Tl3AsSe3晶体的生长

Ｔｌ３ＡｓＳｅ３是一种性能优良的红外非线性和声光材料。我们用元素直接化合的方法制备了多晶料，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长出了Ｔｌ３ＡｓＳｅ３晶体并对该晶体进行了初步测试。报道了我们的生长方法及有关结果。     

分子束外延InAlSb/InSb晶体的质量研究

InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体质量进行了分析,找出了影响晶体质量的因素,提高了InAlSb分子束外延的技术水平。实验结果表明,通过优化生长温度、束流比、升降温速率以及退火工艺等生长条件,可以获得高质量的InAlSb分子束外延膜。     

微重力条件下生长GaAs单晶的电学和光学性质研究

用多种实验手段分别对地面和太空生长的掺Te砷化镓单晶的电学、光学均匀性和深能级行为进行了实验研究.初步结果表明:在太空进行再生长的GaAs单晶电子浓度比原地面生长的籽晶小一个数量级,电子浓度由地面晶体到太空晶体的过渡是陡变的;DLTS测量发现太空单晶中存在两个电子陷阱,分别位于导带下0.27eV和0.60eV处,深能级密度为浅施主N_D的10~(-3)-10~(-4);少子注入未观察到空穴陷阱;用太空GaAs单晶为衬底制备的25个单异质结(SH)二极管,具有一致的I-V和发光特性,这反映了太空晶体的均匀性优于地面晶体.此外,还对太空生长GaAs单晶电子浓度降低的可能原因、深能级行为以及太空生长高质量晶体的前景作讨论.     

优质大直径Nd:YAG晶体研制途径的探讨

一、引言Nd∶YAG激光晶体在我国经过十多年研究,已经进入生产阶段。广泛的应用要求它在质量和数量方面有待进一步提高。1975年以来我国有几个单位用电阻加热提拉法研制直径φ40毫米左右的Nd∶YAG晶体,获得了初步成果,但是晶体质量尚未过关(易开裂,散射较严重,消光比低)。用感应加热提拉法生长的晶体,直径约φ29毫米,需要进一步提高光学均匀性和增大晶体直径。美国是世界上最主要的研制YAG晶体国家。它不仅供应本国每年数千根激光棒的需要,     

ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。     

籽晶偏向对高纯半绝缘4H-SiC晶体影响的研究

采用PVT法得到高纯4H-SiC体单晶。研究了0°、1°、4°晶体对晶体台阶流、晶体结晶质量、晶体缺陷、晶体电学性能的影响;晶体台阶流采用奥林巴斯显微镜进行表征,晶体缺陷采用莱卡体系显微镜进行表征,晶体结晶质量采用高分辨XRD进行表征,晶体电学性能采用非接触电阻率测试仪进行表征。实验结果表明:4°籽晶生长的晶体缺陷最少,1°与4°籽晶生长的晶体结晶质量相当,0°籽晶生长的晶体电学性能最均匀。     

Ba_2NaNb_5O_(15)单晶生长工艺对条纹及光学性能的影响

本文对铌酸钡钠生长工艺与条纹的关系进行了探讨。在较低温度梯度范围内采用停晶转工艺生长晶体,能够消除生长条纹,光学质量明显提高。径向温度的对称性同样是改进晶体质量的因素,它对减少晶体热应力,防止晶体开裂起了重要的作用。     

CAS晶体生长与习性研究

采用中频感应上称重提拉技术对Ca_2Al_2SiO_7(CAS)压电晶体进行了生长,研究了不同转速及生长方向下晶体的生长习性,从理论上分析了转速和生长方向对晶体形貌的影响。结果表明,晶体外形随转速的增加,其形貌由圆柱状变为正方形,再变为长方形,当转速到一定临界值时,晶体呈多晶状;随晶体生长方向的不同,晶体有不同的显露方向,并都有强的显露面(001)。对晶体不同显露方向进行了X线衍射分析,且对(001)面进行回摆测试。结果表明,晶体结构完整,结晶性能好。     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

上海光机所生长出大尺寸优质Nd:YAG晶体

1986年1月14日,来自全国各地的20多位专家对中国科学院上海光机所生长的大尺寸优质Nd:YAG晶体进行了技术鉴定。 目前国际上一般采用感应加热铱坩埚引上法生长Nd:YAG晶体。上海光机所在多年生长Nd:YAG晶体的基础上,承担了1983～1986年的攻关任务,采用感应加热,电阻加热引上法及温梯法三种工艺生长晶体,研究了晶体的生长习性,注重晶体棒的精细选取,并进行了RAP(反应气氛法)处理原料和激光棒的实验,提高了激光棒的光学均匀性与激光效率。     

Nd~(3+):YAG晶休微区发光的研究

Nd~(3+):YAG晶体是近一、二十年来十分受人重视和应用较广泛的红外激光材料。但由于Nd~(3—— YAG单晶生长工艺复杂,很多因素会导致晶体产生缺陷,影响了晶体的光学质量。本工作是通过SEM-CL方法对Nd~(3+):YAG晶体的生长条纹进行分析研究。用提拉法生长的Nd~(3+):YAG晶体由于生长过程中某些因素的影响,会使晶体产生生长条纹,生长条纹可反     

一种特定掺杂YAG晶体及其多功能特性的研究

自从1978年至1981年发现个别偶然着色的Nd:YAG晶体具有自调Q、选横模、输出偏振、自锁模和可做被动开关等多种功能特性以来,经一年多的研制,初步掌握了生长该种晶体的规律性,为深入研究该种晶体的多功能特性和新型激光器的研制提供了良好的物质条件。生长该种特定掺杂的YAG晶体更容易出现组分过冷,目前已能生长出φ20×100毫米的优质单晶。实验发现,特定掺杂YAG晶体是一种兼有增益和饱和吸收二重特性的晶体,其增益来自激活中心Nd~(3 ),而饱和吸收则来自由于特     

研制超高功率激光系统所需的优质大尺寸钛宝石晶体(Ti3+∶Al2O3)

对作者采用温度梯度法(TGT)生长的钛宝石晶体与美国晶体系统公司的晶体进行了性能比较,结果表明,两者晶体质量水平相当.     

温度起伏对ZnO纳米晶体形貌的影响

用退火法在玻璃衬底上生长ZnO籽晶,然后将衬底置于醋酸锌和六亚甲基四胺溶液中,分别对溶液温度和物质的量浓度进行调控,生长了棒状、片状和菊花状等多种形态的纳米晶体.采用X射线衍射仪分析了纳米晶体的结构及择优生长和排列特征,用扫描电子显微镜观察了纳米晶体的形貌,研究了生长温度的起伏和溶液物质的量浓度的变化对ZnO纳米晶体形态的影响.结果表明,ZnO纳米晶体生长过程中溶液物质的量浓度的变化对纳米晶体形态的影响很小,而温度的起伏对纳米晶体的形态起到了至关重要的作用.     

0.5～22μm宽光谱ZnSe单晶窗口制备

采用电阻加热水平物理输运法对生长ZnSe晶体的原料进行提纯,使其纯度达到5N(99.999%).利用Bridgman单晶生长方式生长ZnSe晶体,所得晶体尺寸为φ35 mm×100 mm.在对晶体性能进行分析后,寸晶体进行切割、研磨、抛光,获得粗糙度为光学四级的晶体器件.晶体抛光后未镀膜,在0.5～22μm的波艮范围,平均透过率达到60%以上.晶体镀膜后,在波长为10.6μm处的透过率可达98%以上.     

提拉法生长的金绿宝石晶体中Cr^3＋有效分凝系数的初步测定

用原子吸收光谱法测定了提拉法生长的金绿宝石晶体中Cr^3＋的有效分凝系数，初步结果为Keff≈2．1。     

PSKNN铁电单晶及其激光法生长

采用改进的激光加热基座法 (LHPG)生长出了位于准同形相界附近的含有 Pb元素的钨青铜结构的铁电晶体 (1- x) Pb2 KNb5O15- x Sr2 Na Nb5O15(PSKNN)。通过调节激光功率和陶瓷源棒中 Pb O的含量 ,有效地控制和补偿了晶体生长过程中 Pb O的挥发。通过选择适当的籽晶 ,可以得到沿 [0 0 1],[10 0 ]和 [110 ]方向生长的 PSKNN晶体。研究了所生长晶体的铁电、介电和压电性质 ,并对其准同形相界进行了初步的讨论。     

钕浓度对掺钕铝酸钇激光性能的影响

前言铝酸钇是一种新型的激光晶体,和钇铝石榴石相比,具有生长速度快、掺杂浓度高、各向异性和输出线性偏振光等特点。为使这种优良的激光工作物质早日服务于我国社会主义建设和国防需要,必须研究改善它的性能,消除缺陷,提高激光输出效率的途径。作为激光工作物质的铝酸钇,激活离子浓度及其在晶体中的分布严重影响晶体的光学性质及激光性质,迄今对这一问题注意不够,甚至晶体中钕浓度的表示方法都很混乱。我们和激光材料厂协作,将工人师傅请进实验室,采用“三结合”方法搞科研,对钕离子浓度与铝酸钕晶体光学性质和激光性质的关系作了探索,得到一些初步规律。在此基础上,采用自动控温,改进     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.