断路器的旋转式互联双动触头接触系统设计

文中设计了一种断路器的旋转式互联双动触头接触系统,包括可转的安装在底座上的主动触头组件和从动触头组件,主动触头组件和从动触头组件构造成驱动连接.主动触头组件在外力作用下带动从动触头组件分别沿彼此相向方向转动,以使其触头彼此接触;主动触头组件和从动触头组件在其各自复位件的作用下同时沿彼此相反方向转动,以使其触头分开.所设...     

中置柜梅花触头发热机理分析及改进设计

介绍两起因中置柜梅花触头烧毁引发的电网故障案例,分析梅花触头烧毁原因。为解决梅花触头温升问题,基于记忆合金的形状记忆效应,设计一种带辅助触头,用记忆合金压片取代紧箍弹簧的组合式梅花触头。对普通梅花触头和组合式梅花触头进行大电流温升对比试验,试验结果表明,该组合式梅花触头能有效解决梅花触头温升问题,提高了供电可靠性。     

12 kV真空灭弧室触头电动斥力计算与结构优化

在真空灭弧室合分闸过程中,动静触头间产生的电动斥力会加剧触头弹跳现象,引起高温电弧烧蚀触头,从而影响到真空灭弧室的工作性能。文中运用虚拟样机技术建立真空灭弧室触头结构三维有限元模型,并引入圆柱状导电桥模型作为接触点模拟触头间的电流收缩现象,采用电磁场仿真软件Ansoft Maxwell计算出动静触头间电动斥力;并对触头结构进行优化以减小触头间电动斥力。计算结果表明:触头闭合时洛伦兹力与霍尔姆力方向相反,存在一个合适的接触力能够使触头的总电动斥力降低至0N;灭弧室触头产生的电动斥力随着杯座开槽个数、杯指回旋角度、触头片开槽长度增加而减小;在4种铁芯结构触头中,环状铁芯优化效果较好,既可有效减小触头间电动斥力,同时也能改善触头的磁场特性。     

纳米触头材料电性能研究进展

分析了纳米材料与常规材料在热学性能和机械性能上的差异,综述了纳米触头材料在截流水平、抗电弧侵蚀和耐压能力等电性能研究上取得的进展,并对已有研究成果进行了概括和总结。结果表明:相对于同种配比的常规触头材料,纳米CuCr和AgFe触头材料的截流水平低于常规触头材料;纳米CuCr和AgFe的直流电弧稳定性高于常规触头材料,直流电弧寿命大于常规触头材料;纳米CuCr触头材料的耐压能力高于常规触头材料;纳米AgSnO2和AgNi触头材料的抗电弧侵蚀性能优于常规触头材料。因此,在今后对纳米触头材料的研究和开发过程中,加强纳米触头材料制备工艺研究和纳米触头材料的理论研究,有利于提高纳米触头材料电性能。     

浅论真空有载分接开关研发技术的要素(下)

正4真空触头切换机构设计真空OLTC触头切换机构是在铜钨触头OLTC的触头切换机构基础上设计的,即真空OLTC就是采用真空管替代铜钨触头而转换负载电流。要实现这一转换功能,真空管内动定触头必须通过有一定操作程序要求的凸轮机构操作来实现。4.1真空管触头切换系统真空管触头切换系统由真空管、动触头导电杆     

知识窗

触头电侵蚀contactelectricalerosion触头工作过程中由于触头间发生的热和电的作用,伴随出现的金属液桥、电弧和火花放电等现象所引起的触头损失。触头机械磨损contactwear触头工作过程中由于触头相互撞击、摩擦等机械运动引起的触头损失。(触头)咬合interlock随着触头的损耗、转移而带来的变形,接触面机械啮合,造成触头不能断开的现象。粘着adhesion触头接触面发生粘附致使触头分断困难的现象。熔焊welding由于电弧放电和焦耳热的影响,致使触头接触面熔化、凝结,造成触头不能正常断开的现象。熔焊分静熔焊和动熔焊。静熔焊staticwelding触…     

SF6高压电器产品中各类触头形式的优劣对比

各类触头形状各异．用选不同．但从其工作原理划分．触头分为自力型触头、非自力型触头。自力型触头是触头材料自身的变形所产生的屈服弹力来提供接触压力的，常见的有指形触头、盘形触头、表带触头等，非自力型触头是指以其它动力来提供接触压力的，常见的有梅花触头、块状指型触头、复合型表带触头等。从其工作用途分，触头分为静连触头，动连触头。顾名思义，     

真空断路器合闸速度与动触头合闸弹跳探析

由于真空断路器触头采用平面对接方式接触,合闸瞬间动静触头碰撞会引起动触头弹跳,动触头合闸弹跳时间是真空断路器机械特性的一项重要参数。对真空断路器而言,稳定的性能参数是其安全运行的前提。动触头合闸弹跳时间是影响真空断路器的电寿命、机械寿命、触头熔焊和合闸过电压的重要因素。真空断路器动触头合闸弹跳分散性很大,影响因素也很多。从动静触头接触产生碰撞为切入点,研究解决动触头合闸     

五种纵向磁场真空灭弧室触头磁场特性分析比较

用三维有限元法研究了线圈、杯状,两极和四极及双线圈五种纵磁真空灭弧室触头的纵向磁感应强度分布、触头片上涡流分布和纵向磁场滞后时间.研究表明:(1)电流峰值时纵向磁场由强到弱依次排列为:线圈式触头、两极式结构、双线圈式触头、杯状和四极式触头;(2) 电流过零时剩余磁场由弱到强依次为:四极式触头、两极式触头、杯状触头、双线圈式触头和线圈式触头; (3)纵向磁场较强处滞后时间由小到大依次为:两极式触头、四极式触头、线圈式触头、双线圈式触头和杯状纵磁触头.     

一种具有横纵磁场的新型真空灭弧室触头三维磁场仿真

对一种由螺旋槽横磁触头和杯状纵磁触头并联组成的新型真空灭弧室触头结构进行了磁场仿真,该触头内部的横磁触头和环形触头片材料为CuCr50,外部的纵磁触头的杯座材料为不锈钢。建立了三维触头结构模型,采用有限元分析方法对电流处于峰值时和电流过零时动、静触头表面和触头间隙中心处的静态磁场和瞬态磁场进行仿真,瞬态磁场计算过程中考虑到了涡流的影响。结果表明,该结构触头产生的纵向磁场在动、静触头表面及触头间隙中心处分布较均匀且磁通密度满足要求,有效磁通密度区域占触头表面积较大,电流过零后剩余磁场少,磁场滞后时间小,且导体电阻小。