ADI ADCA51905 MHz-1800 MHz宽带CATV放大器解决方案

<正>ADI公司的ADCA5190是5MHz-1800MHz宽带中功率有线电视(CATV)放大器,具有极好的线性度,能在各种应用中实现功率效率设计.器件在高达1800MHz频率提供19.1d B平坦增益,非常适合于有线电缆数据服务接口规范(DOCSIS?)4.0下行应用.器件还适合于输出级到700MHz的上行应用.器件的封装是工业标准32引脚5mmx5mm引线框架芯片级封装(LFCSP),封装底部裸露焊盘,     

ADI ADCA5190 5 MHz-1800 MHz宽带CATV放大器解决方案

<正>ADI公司的ADCA5190是5 MHz-1800 MHz宽带中功率有线电视(CATV)放大器,具有极好的线性度,能在各种应用中实现功率效率设计.器件在高达1800MHz频率提供19.1d B平坦增益,非常适合于有线电缆数据服务接口规范(DOCSIS?) 4.0下行应用.器件还适合于输出级到700MHz的上行应用.     

RFMD新推出的RFCA3302高性能InGaP HBT MMIC放大器

正RFMD新推出的RFCA3302是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器,无需外部降压电阻器即可在+5 V单电源下工作。该组件具有高增益、高线性度和低失真的特点,且可在40 MHz至1008 MHz的频率范围下工作,因此非常适合于宽带电缆应用。集成的偏置电路可确保为其提供稳定的增益(在各种温度和工艺条件下)。该器件采用小型SOT-89封装,符合RoHS标准。特点:高增益,21 dB;高线性度;低失真。o 40 dBm IP3;o-65 dBc CSO;o-83 dBc     

微波低噪声SiGe HBT的研制

利用3μm工艺条件制得SiGeHBT(HeterojunctionBipolarTransistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景     

微波低噪声SiGe HBT的研制

利用3μm工艺条件制得SiGe HBT(Heterojunction Bipolar Transistor),器件的特征频率达到8GHz.600MHz工作频率下的最小噪声系数为1.04dB,相关功率增益为12.6dB,1GHz工作频率下的最小噪声系数为1.9dB,相关功率增益为9dB,器件在微波无线通信领域具有很大的应用前景.     

莫托洛拉公司正在努力降低管壳成本

<正> 随着高频功率晶体管载体的金属化技术的发展,通讯晶体管公司已生产了一系列大功率器件,这些器件封装在常用的 TO-220塑料管壳中,仍然能在高达500MHz 的频率下工作。该公司声称,由于采用了塑料封装,器件的成本大约为采用铜-陶瓷管壳的高频大功率晶体管成本的一半。然而,近来莫托洛拉公司对 TO-220型塑料管壳的作用持异议,认为塑料封装的功率晶体管的功率在30MHz 及更高的频率下大约为10W 左右。这种极限可能是由于晶体管发射极     

硅功率场效应晶体管的研究

由于采用了“二氧化硅隔离准平面结构”制作硅结型垂直沟道功率场效应晶体管,使器件频率特性有了明显提高,分别在800MHz和1000MHz下得到了10W与8W的输出功率,其功率增益大于7分贝.这种器件可应用在P～L频段.本文从器件的等效电路出发,提出了这种高频功率器件在作结构设计时应遵循的基本原则;简略地介绍了“二氧化硅隔离准平面结构”的特点;着重指出了研制中应注意的问题;最后,简述了影响器件直流参数的有关因素.     

第二代大功率MOSFET

美国莫托罗拉公司推出的28 VMRF175 GVGU和50 VMRF 176GV/GU是当今最大功率、最高频率第二代RF功率MOSFET。GV型(225MHz)最大增益可到17dB,功率达200W;GU型(400MHz增益为14dB,功率是150W。这两种类器件热阻都较小,无论在VHF范围内     

Microchip双重连接运算放大器

Microchip Technology(美国微芯科技公司)近期推出一款适用于数码应用的创新模拟器件。新器件采用具有低功耗片选的8引脚封装,并实现标准二级放大器信号链。器件内部的二级放大连接功能可将一个运算放大器的输出作为另一个运算放大器的输入,从而使得整体设计更为紧凑。Microchip MCP62x5器件能在扩展工业温度范围(即-40℃～+125℃)内运行,能提供轨到轨输入/输出(I/O)的单端运算放大器。新器件的增益带宽积(GBWP)为2MHz、5MHz及10MHz,可在低供电电流下运行,有助于设计人员开发高效电流流量设计。新器件广泛适用于传感器、汽车、仪表…     

一种新型波导基C波段空间功率合成器的设计和实现

 介绍了一种新型波导基空间功率合成器的结构设计.采用优化的Klopfenstein型鳍状天线阵,制作实现了C波段(3.2~4.9GHz)2×3层空间功率合成器.器件的外部结构尺寸为70.12mm×98.44mm×160mm,内部集成了6只内匹配的砷化镓微波单片功率管.对该器件进行了功率合成特性的测试,实测性能指标为:在4.2GHz,该器件在连续波输入下线性增益为8.5dB,饱和输出功率为42.82dBm(19.1W),功率附加效率为25.3％ ,功率合成效率达到72.3％.     

新产品介绍

特点·完整、校准的单片式器件·5级直流耦合放大器和限幅器 每级10dB增益,350MHz带宽·直接耦合差分信号·在全部军品温度范围内对数 斜率、交点和交流响应稳定·双极性电流输出,1mA/Decade 电压斜率选择(1V/Decade)·低功耗(±5V时,典型值220mW)·可提供低价格塑料封装·封装形式20脚DIP,PLCC和LCC应用·雷达、声纳、超声和视频系统·直流至120MHz精密仪表·带绝对校准功率测量·宽范围高精度信号压缩·可替代分立或混合电路中频部分·可替代几个分立对数放大器     

振荡器

基于晶体控制的无锁相环振荡器VPLC54E可用在622.08MHz,适合于OC48和OC192的应用。工作在3.3V的这种器件被安装在以FR4为衬底的1×1.2英寸的SMT封装内。     

3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管

最近南京电子器件研究所在研制长脉宽工作、高增益硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展。器件工作频率 3.1～ 3.4GHz,脉冲宽度 30 0μs,占空比 1 0 % ,输出功率大于 1 2 W,功率增益大于 9.5 d B,效率大于 35 % ,顶降小于 0 .5 d B,带内平坦度小于 1 .2 5 d B。器件具有抗 1 d B输入过激励、3∶ 1输出失配的能力。图 1　器件外型图( E:发射极 ;B:基极 ;C:集电极 )Fig.1　 Devise outline( E:Emitter;B:Base;C:Collector)芯片在 76 mm硅工艺线上研制成功 ,具有较高成品率和可靠性。器件采用共基极结构、气密性金属陶瓷封装 ,C类工作。…     

双栅MOSFET高频特性的实验研究

设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅MOSFET在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.     

工作在900MHz下的大功率高增益VDMOSFET

已经研制出一种新的垂直双扩散MOSFET(VD-MOSFET),能在900MHz下输出 100瓦功率。这种器件能提供 8分贝的增益与45％的漏极效率。双扩散自对准栅允许器件控制亚微米沟通的形成,而这对于高跨导,商增益,以及最小的栅-源电容(C_(gs))是必不可少的。MoSi_2既用作栅电极,也作为埋在栅区内CVD氧化层下面的屏蔽板。低电阻率栅减小驱动栅的额外功耗,而屏蔽板则使栅漏电容(C_(gd))降低一半。用12个组合单元的姑VD-MOSFET实现了最大的输出功率。它们被安放在与内部输入匹配电路封装在一起的两块BeO片上。在推挽放大器中测量了功率。     

产品

通用ICADI高精度和带宽仪表放大器美国模拟器件公司(ADI)发布了两款具有高精度和带宽的数字可编程增益仪表放大器。AD8250和AD8251可实现12MHz带宽。采用亚微型iCMOS(工业CMOS)工艺,这两款仪表放大器的拉电流只有3.5mA,比同类器件减小75%。10引脚超小外形塑料封装(MSOP)比同类最接近的仪表放大器减小90%。这些产品适合于要求大电压工作范围的工业和仪表仪器设备,它们采用±5V￣±12V电源供电,可提供0.5μs的建立时间,以及1μV/℃的失调电压和10ppm/℃增益漂移。AD8250和AD8251的千片批量报价为4.95美元。www.analog.com/pr/A…     

使用表面安装型封装的MMIC

<正> 三种新MODAMP硅双极MMIC放大器封装在低成本塑料SOT-143管壳中。这种MMIC常用于窄带或宽带中频和射频放大器设计的50Ω增益部件。它只需5V的电源电压就可启动。一般在500MHz下,这种MSA-0311模块具有11.5dB的增益、10dBm的输出功率和5.5dB的噪声系数;MSA-0611模块具有18dB的增益、2.0dBm的输出功率和3.0dBm的噪声系数;MSA-0711模块具有12.5dB的增益、5.5dBm的输出功率和5.0dB的噪声系数。这种     

世界固体电子新闻

<正>L波段脉宽10μs输出750W的微波晶体管 据《Microwaves&RF》1992年第10期报道,菲利浦公司已研制成1030～1090 MHz MX1011B700Y型硅双极微波晶体管,典型输出功率为750W。这种晶体管适合于中等脉宽10μs,占空因子为1％的脉冲发射机。典型效率为54％,功率增益大于6dB。晶体管封装在FO91B金属陶瓷法兰盘式的管壳内。 (盛柏桢)     

基于GaN HEMT 多倍频程高效率功率放大器设计

使用GaN HEMT 功率器件,设计了一款多倍频程高效率功率放大器。利用负载牵引技术分析输入功率、偏置电压、工作频率对功率器件输出阻抗的影响,从而寻找出满足宽带性能的最优阻抗区域;输入、输出匹配网络采用了切比雪夫多节阻抗变换器的综合设计方法,很好地拓展了匹配网络的带宽性能,从而实现了0. 8 ~4. 0 GHz(相对带宽133%)多倍频程高效率功率放大器电路。连续波大信号测试结果表明:在0. 8 ~ 4. 0 GHz 的频率范围内输出功率为39. 5 ~42. 9 dBm,漏极效率为54. 20% ~73. 73%,增益为9. 4 ~12. 0 dB。在中心频率2. 4 GHz 未利用线性化技术的情况下使用5 MHz WCDMA 调制信号测试得到邻近信道泄漏比(ACLR)为-27. 2 dBc。设计的工作频率能够覆盖目前主要的无线通信系统GSM900M、WCDMA、DCS1800 LTE、PCS1900 LTE、3. 5GHz WiMAX 以及下一代移动通信系统(5G)等。     

中国功率器件市场分析

全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升,使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势.为此,电源管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多地应用到整机产品中.在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下,中国功率器件市场在2007～2011年将继续保持快速增长,但由于市场基数的不断扩大,市场增长率将逐年下降.预计到2011年时中国功率器件市场销售额将达到1680.4亿元,2007～2011年中国功率器件市场年均复合增长率为19.1%.这其中电源管理IC、MOSFET一直是占销售额比重最大的两类产品.