2018年第8期“电力电子器件散热与封装”专辑征文启事

<正>本刊拟将2018年第8期辟为"电力电子器件散热与封装"专辑。专题征文范围包括:①电力电子器件封装的有限元模型与多物理场耦合分析;②电力电子器件封装的关键工艺;③电力电子模块的绝缘管理、热管理与电磁管理;④电力电子器件封装可靠性与失效研究;⑤电力电子模块的测试技术与评价方法;⑥针对宽禁带功率半导体的高压、高温、高开关速度的新型封装技术;⑦电力     

2018年第8期“电力电子器件散热与封装”专辑征文启事

正本刊拟将《电力电子技术》杂志2018年第8期开辟为"电力电子器件散热与封装"专辑,以集中反映这一技术领域的最新科研成果,关键技术发展和创新,新方法、新产品的设计、生产和运行经验,国外相关情况和发展趋势。欢迎相关产品生产企业和研究机构的专家学者踊跃投稿。专题的征文范围包括但不限于以下内容:①电力电子器件封装有限元模型与多物理场耦合分析;②电力电子器件封装关键工艺;③电力电子模块绝缘管理、热管理与电磁管理;④电力电子器件封装可靠     

无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考

无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因;(2)介绍了无压低温连接技术的最新发展;(3)基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求,阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展;(4)提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题。     

碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐高压、高温,导通电阻低,开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战:传统封装杂散电感参数较大,难以匹配器件的快速开关特性;器件高温工作时,封装可靠性降低;以及模块的多功能集成封装与高功率密度需求等。针对上述挑战,论文分析传统封装结构中杂散电感参数大的根本原因,并对国内外的现有低寄生电感封装方式进行分类对比;罗列比较现有提高封装高温可靠性的材料和制作工艺,如芯片连接材料与技术;最后,讨论现有多功能集成封装方法,介绍多种先进散热方法。在前面综述的基础上,结合电力电子的发展趋势,对SiC器件封装技术进行归纳和展望。     

2015年第12期“电力系统中的电力电子技术”专辑征文启事

<正>为了更好地推进"电力系统与电力电子"相关技术的研究与应用,本刊拟将2015年第12期辟为"电力系统中的电力电子技术"专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。主要征文范围包括:(1)电力电子器件与装置的国内外开发与应用现状;(2)高压大容量碳化硅器件设计、封装、驱动与保护技术;(3)电力电子器件及电力电子系     

2015年第12期“电力系统中的电力电子技术”专辑征文启事

<正>为了更好地推进"电力系统与电力电子"相关技术的研究与应用。本刊拟将2015年第12期辟为"电力系统中的电力电子技术"专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。主要征文范围包括:(1)电力电子器件与装置的国内外开发与应用现状;(2)高压大容量碳化硅器件设计、封装、驱动与保护技术;(3)电力电子器件及电力电子系     

2015年第12期“电力系统中的电力电子技术”专辑征文启事

<正>为了更好地推进"电力系统与电力电子"相关技术的研究与应用,本刊拟将2015年第12期辟为"电力系统中的电力电子技术"专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。主要征文范围包括:(1)电力电子器件与装置的国内外开发与应用现状;(2)高压大容量碳化硅器件设计、封装、驱动与保护技术;(3)电力电子器件及电力电子系     

2020年第10期“宽禁带电力电子器件的应用基础”专辑征文启事

正为了更好地推进"宽禁带电力电子器件、封装与应用"相关技术的研究,本刊拟将2020年第10期辟为"宽禁带电力电子器件的应用基础"专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。专题征文范围包括:①碳化硅、氮化镓电力电子器件特性与建模;②碳化硅、氮化镓电力电子器件封装。上面专题是本次征稿的重点方向,但不局限于此,与宽禁带电力电子器件、封装与应用相关的研究都可以投稿,欢迎广大学者和专家踊跃投稿。     

第三届电工技术前沿问题学术论坛征文通知

一、会议主题1.新型功率器件和电力电子集成技术(1)SIC器件和宽禁带器件(2)高频磁元件和集成磁技术(3)功率电路封装技术(4)EMI/EMC技术(5)标准化、模块化技术(6)电力电子系统集成理论     

2015年第12期“电力系统中的电力电子技术”专辑征文启事

<正>为了更好地推进"电力系统与电力电子"相关技术的研究与应用,本刊拟将2015年第12期辟为"电力系统中的电力电子技术"专辑,以集中反映这一领域国内外近期的研究情况、关键技术的发展和创新。主要征文范围包括:(1)电力电子器件与装置的国内外开发与应用现状;(2)高压大容量碳化硅器件设计、封装、驱动与保护技术;(3)电力电子器件及电力电子系统动力学规律;(4)高压器件应用装置新型拓扑与控制技术;(5)直流输电的关键设备(高压直流断路器、大容量直流变压器、直流电缆等)的开发;(6)高压多端直流输电系统拓扑结构与互联规律;(7)规模化新能源并网逆变器接口技     

电力电子系统集成研究

电力电子系统集成是一项电力电子技术与材料科学、热处理技术、结构工艺、电磁兼容等多学科边缘交叉渗透的综合性工程，可实现电力电子系统的高功率密度、高效、高可靠性以及低成本。本文从系统、模块、开关单元和元件单元三个层面分析了电力电子集成系统。系统级涉及界面定义、交互作用、通讯、EMI、容错能力和模块的并联等问题。模块级的问题主要包括封装、建模、控制通讯三个方面。讨论了电力电子系统集成中的关键技术以及电力电子系统集成在电力电子技术发展中的重要作用。     

氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展EI北大核心CSCD

氮化镓(Ga N)作为典型的宽禁带半导体材料,具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势,封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工作可靠性十分关键。文中首先对比分析Si基、Si C基和Ga N基器件/模块封装的异同,随后从封装杂散电感、封装散热设计和封装连接可靠性3个方面,分别介绍其带来的问题以及解决方案,讨论目前研究可能存在的不足。基于综述分析,最后提出未来Ga N功率器件/模块封装技术亟待解决的问题以及研究展望。     

焊接型IGBT器件封装状态监测方法分析*

焊接型IGBT广泛应用于轨道交通、新能源发电等领域,是电力电子装备的核心功率器件,其可靠性对系统安全运行至关重要。封装失效是焊接型IGBT器件主要失效模式之一,而封装状态监测技术是实现器件故障诊断、状态预测及智能运维的关键。针对焊接型IGBT器件封装状态监测问题,首先,分析焊接型IGBT器件封装结构,研究焊接型IGBT器件封装可靠性薄弱部位;其次,针对键合线失效与焊料层失效两种主要封装失效模式,分析不同失效模式对应的状态监测方法;最后,分析现有监测方法存在的问题,研究可用于焊接型IGBT器件封装状态监测的新方法。相关成果为焊接型IGBT器件封装状态监测提供新的研究思路。     

混合封装电力电子集成模块内电磁干扰的屏蔽

混合封装有源电力电子集成模块(IPEM)是目前中功率范围内电力电子集成的主要方式。然而,IGBT与控制和驱动电路高密度地集成在一起,电磁干扰是非常重要的问题。研究发现,在IGBT开关瞬态,一个仅仅在直流母线和开关器件之间流动的高频环流是功率电路对控制和驱动电路产生电磁干扰的主要原因。为了抑制这个高频环流的影响,研究了在模块内施加平面电磁屏蔽层的作用和实际效果。结果证明,在模块内设计屏蔽层是改善模块内EMC,提高模块可靠性的有效和必要手段。     

基于开关变压器技术的超大功率无触点电力电子开关模块

本文介绍了一种基于开关变压器技术的高电压大功率的式电力电子开关模块(以下简称开关变压器模块),可用于任何等级的高压交流电压调节、电流调节及功率调节。其主要特征是将电力变压器的开路特性、短路特性与可控硅的开路特性、短路特性结合起来,利用二者性能上的结合创造出耐高压的大功率电力电子开关器件。开关变压器模块的发明相当于发明了一种新的大功率无触点电力电子开关器件,成功地解决了电力电子器件串并联的低可靠性问题,可用于任何高电压大功率调节的场合,且具有极高的可靠性。     

混合封装三相桥式电力电子集成模块研究

采用混合封装工艺的电力电子集成技术研制成一台40kW全数字化控制的变频调速用三相桥式电力电子集成模块。本文详述了该模块的内部结构及其特点,并结合变频调速的不同领域给出了全数字化恒压频比控制和转差型矢量控制的实验波形。实验结果表明,该模块具有体积小、功率密度高、应用简便灵活等特点,充分验证了电力电子集成思想的可行性。     

倒装芯片集成电力电子模块

倒装芯片（Flip Chip,FC）技术广泛应用于微电子封装中,将该技术引入到三维的集成电力电子模块（Integrated Power Electronics Module,IPEM）的封装中,可以构成倒装芯片集成电力电子模块（FC-IPEM）.该文详细介绍FC-IPEM的结构和组装程序.在实验室完成由两只MOSFET和驱动、保护等电路构成的半桥FC-IPEM,并采用它构成同步整流Buck变换器,对半桥FC-IPEM进行电气性能测试,最后给出测试结果.     

混合封装IPEM中功率电路的高频环流及其对控制驱动电路的影响

混合封装电力电子集成模块(IPEM)内功率电路对控制和驱动电路的电磁干扰是非常重要的问题,本文通过仿真和实验发现直流母线的寄生电感与功率器件的寄生电容在开关瞬态的高频寄生振荡是引起IPEM内EMI的主要原因之一.研究表明这个寄生振荡电流不经过负载而直接在正负直流母线和开关器件之间流动,形成一个高频的环流,从而对模块内的控制和驱动电路造成不利的影响.     

2008年第12期“电力电子器件研发进展”专辑征文启事

器件是电力电子技术的基础,在其整个发展进程中起着"一代电力电子器件带动一代电力电子技术"的关键作用。但是,自后晶闸管时期开始以来,我国电力电子器件研发领域长期处于"万马齐谙"的状态,与非常活跃的国内电力电子应用技术领域很不相称,和新器件不断涌现的国际电力电子器     

SiC、Si、混合功率模块封装对比评估与失效分析

随着SiC器件在新能源发电、电动汽车等领域的快速发展,对定制化、高可靠SiC功率模块的需求日益迫切。然而,现有SiC功率模块大多沿用Si模块的封装技术,存在寄生电感大等问题,无法适应SiC器件的高速开关能力,难以充分发挥SiC器件的优越性能。该文梳理了功率模块的材料选型准则,以及封装工艺方法,给出了自主封装功率模块的测试流程。针对全Si、混合、全SiC功率模块,基于相同的封装技术和测试方法,对比研究了3种功率模块的动态性能和温敏特性,为不同应用需求下的器件选型提供参考。针对全SiC半桥功率模块,提出了开关损耗的数学模型,并利用实验结果验证了其有效性。此外,结合功率模块的大量故障案例建立了数学模型,分析封装失效的机理,为下一代SiC功率模块的封装集成研究提供了有益的经验和思路。