采用MCECR等离子体溅射方法制备硬碳膜

采用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了高质量的硬碳纳米微晶薄膜,膜层厚度约40 nm,采用氩等离子体溅射碳靶.薄膜的键结构采用X射线光电子能谱仪(XPS)分析,纳米结构采用高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)分析.本文研究了基片偏压对薄膜的纳米结构、摩擦特性(摩擦系数及磨损率)以及薄膜的纳米硬度的影响.摩擦特性采用POD摩擦磨损仪测试,纳米硬度采用纳米压入仪测试.     

高频溅射法氮碳膜的生长及结构

本文用扫描电镜、红外吸收光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射技术对高频溅射沉积法制备的氮化碳膜的生长过程进行了研究．改变溅射条件,研究了氮化碳膜的形貌和结构与其性质之间的关系,通过溅射条件的优化,可使氮化碳膜中的氮含量增加,薄膜的结构接近β-C₃N₄相．     

溅射镀成膜速率的研究

真空溅射镀与蒸发镀相比,膜层较牢固、致密,但成膜速率较低。如何提高成膜速率,已成为改进溅射镀工艺的主要方向。由于溅射镀的机理比较复杂,难以确定的因素较多,因而成膜速率的理论估算有困难。本工作详细研究了靶材的迁移过程,得到成膜速率的计算公式,与实验结果符合。该公式所反映的参量关系,有可能对提高成膜速率提供较清晰的途径。     

溅射镀Ni-Co磁性膜的研究

用电镀方法制作磁性靶材，在真空室中增设磁场进行溅射镀Ni-Co磁膜的方法。此方法已应用于计算机磁盘的生产中。     

塑料表面溅射电磁屏蔽膜的研究

电磁干扰(EMI)日益严重,在产品表面镀覆电磁屏蔽膜成为抗EMI主要措施之一.本文采用磁控溅射技术在聚酯塑料(PET)上制备出附着力大于5 MPa、2 GHz～4 GHz频率范围内屏蔽效能大于60 dB的复合结构的电磁屏蔽膜,并研究了导电膜、导磁膜及其复合膜层的电磁屏蔽特性.有关数据表明:镀覆500 nm Cu+300 nm 1Cr18Ni9Ti的复合屏蔽膜可以获得屏蔽效果、成膜速率和结合力的综合好效果.溅射功率、膜层厚度对电磁屏蔽特性和结合力有一定影响.     

离子束溅射技术制备高性能光通信带通滤光膜的研究

光通信以其传输速率高、信息容量大、保密性能好、抗干扰能力强等优点, 在通信领域得到了广泛应用, 是未来信息网络的主要通信方式。光通信的信息载体是光波, 为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量, 满足光通信系统的使用要求, 对高性能的带通滤光膜进行了研制。采用离子束溅射技术, 以Ta₂O₅和SiO₂作为镀膜材料, 设计了含有12个谐振腔的带通滤光膜, 分析并解决了耦合层膜厚监控的问题。制备的带通滤光膜在1528~1571 nm处插入损耗小于0.2 dB, 1470~1521 nm和1578~1651 nm处透射隔离度大于40 dB, 满足实际使用要求。     

平行板电极阴极溅射金膜的溅射特性

在压强为4×10~(-1)～1×10~(-2)托范围的残余空气中,对反常辉光放电溅射金的阴极溅射特性进行了实验研究。得到溅射率Q与极间电压V、溅射电流I、真空度P和极间距离d等各参量间的关系。对所得数据进行了分析,从中得出了在平行板电极情况下阴极溅射产生优质金膜层的物理条件。在一项对测量β放射性仪器的刻度工作中,需要在云母片上淀积金膜层(厚度约100A)。它是作为β计数器电极的一部分,既产生均匀电场,又是让β射线穿过的“窗”。金的     

溅射膜的光学厚度控制器

本文叙述了如何改装商用溅射装置、以便对溅射膜的光学厚度进行实时监控。改装后的装置在靶面中心安置了一个小真空窗、使氦氖激光束能从中通过。利用所镀溅射层对光束反射率的影响、便可进行厚度的实时测量。     

真空管道自体溅射镀TiN膜研究

本文详细介绍了长真空管道内表面直流溅射镀TiN膜技术和成膜系统配置。采用真空管道自体真空镀膜方法解决细长管道内表面镀膜问题，特殊的阴极靶结构设计成功地解决了长管道内表面直流溅射镀膜的问题。本实验方法在真空管道内壁获得了均匀的、高品质的TiN膜层，并实现了细长真空管道大面积镀膜过程的稳定性、重复性和一致性。真空管道自体直流溅射镀膜实验中采用的工作原理以及设备简单，操作方便，成本低廉。     

溅射镀Ni—Co磁性膜的研究

用电镀方法制作磁性靶材，在真空室中增设磁场进行溅射镀Ｎｉ－Ｃｏ磁膜的方法，此方法已应用于计算机磁盘的生产中。     

对向靶溅射制备CN膜研究

使用对向靶系统在Ｓｉ（１００）基片上于不同Ｎ２分压下制备ＣＮ膜样品。Ｘ射线衍射表明样品为非晶结构。用Ｘ射线光电子谱测量膜中Ｎ的含量,结果表明膜中／Ｃ随Ｎ２分压提高而增大,当Ｎ２分压为１００％时,Ｎ／Ｃ达到０．４６。用Ｘ射线光电子谱和红外谱研究了膜中Ｃ与Ｎ的键态,结果表明膜中Ｃ与Ｎ之间存在化学键合。Ｎ与Ｃ的键态主要由Ｎ－ｓｐ＾２Ｃ和Ｎ－ｓｐ＾Ｃ及少量Ｃ＝Ｃ组成。     

离子轰击碳膜形成碳尖端的研究

用CH4、NH3和H2为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积系统在沉积有碳膜的Si衬底上制备了碳尖端.利用原子力显微镜和显微Raman光谱仪对沉积的碳膜表征的结果表明碳膜是非晶碳膜,并且粗糙不平.用扫描电子显微镜对碳尖端表征的结果表明碳尖端的形貌与偏压电流有关,即随着偏压电流的增大,碳尖端的顶角减小,高度增大.由于在碳尖端形成的过程中,既有离子的沉积又有离子的溅射,结合有关等离子沉积和溅射的理论,建立了碳尖端的形成模型,并根据模型分析了实验结果.     

溅射工艺对ITO膜性能的影响

采用磁控反应溅射技术在玻璃表面上淀积大面积掺锡氧化铟薄膜(英文缩写为ITO),成功的应用到各种除冰霜用挡风电热玻璃、液晶显示透明电极和场致发光器件等。本文主要讨论不同的靶材比例、溅射电压、氧分压、基片温度、膜层厚度等工艺参数对ITO膜特性的影响。     

离子束溅射沉积Co膜光学特性的尺寸效应研究

本文采用离子束溅射沉积了不同厚度的Co膜,利用Lambda-900分光光度计,对不同厚度的Co膜从波长为310nm到1300nm范围测量了薄膜的反射率和透射率.选定波长为310、350、400、430、550、632、800、1200nm时对薄膜的反射率、透射率和吸收率随薄膜厚度变化的关系进行讨论.实验结果显示,Co膜的光学特性都有明显的尺寸效应.对在可见光范围内同一波长时的反射率和透射率随薄膜厚度变化关系的实验结果作于同一图上,发现反射率曲线与透射率曲线都有一个处在网状膜阶段的交点,这个交点对应的厚度作为特征厚度,该厚度可认为是金属薄膜生长从不连续膜进入连续膜的特征判据.     

离子束溅射制备Si／Ge多层膜研究

采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si／Ge多层膜，通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si／Ge多层膜样品；通过X射线衍射、Raman散射等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流（10mA）、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si／Ge多层膜。     

PU纳米纤维表面溅射PTFE防水透湿膜研究

利用射频磁控溅射在聚氨酯纳米纤维膜表面溅射聚四氟乙烯,制备了一种新型的防水透湿薄膜。通过原子力显微镜、扫描电镜、接触角测量仪等对薄膜的表面形貌、浸润性以及透湿性进行了研究。结果表明:溅射后,聚氨酯纳米纤维膜表面出现双重粗糙度,纤维表面出现几十到几百纳米的的小岛型颗粒;薄膜表面的接触角增大至128.6°,5min后接触角只减小了1.5°;透湿量受溅射的影响较小,可达到6760g/m2·24h。     

溅射膜电极与氧化锌压敏陶瓷的界面机制研究

利用溅射法制备半导体陶瓷表面的电极有着广阔的产业化前景,但关于溅射膜电极与陶瓷表面的界面机制研究尚鲜有报道。本文采用磁控溅射法在ZnO压敏陶瓷表面制备了Cr+Cu电极,通过X射线光电子能谱等技术研究分析了Cr/ZnO的界面反应及界面成分。研究结果表明:常温下Cr膜在氧化锌表面的沉积模式为混态生长模式,在Cr的初始沉积阶段,Cr价层电子与氧化锌表面存在电子转移作用,有氧化态的Cr生成;随着覆盖度的增加,电子转移逐渐减弱,最后Cr完全呈现为金属态的中性吸附。该界面反应生成的化合物对溅射膜电极的欧姆接触,附着力等性能有重要作用,而且能有效阻止电极元素Cu或Ag的纵向扩散。     

现场金相复型技术浅析

详细介绍了金相复型技术的原理和试验方法,分析总结了金相复型技术应用的技术要点、注意事项及优缺点,提出了金相复型技术的未来研究方向.结果表明:金相复型技术操作简单、快捷,能满足现场检验的需求,提高了工作效率,为特种设备检验和安全评估提供了详实的依据.     

溅射沉积Cu膜生长的Monte Carlo模拟

在本文中,我们建立了一个较完整的基于动力学晶格蒙特卡罗方法的模拟薄膜生长的三维模型,利用该模型我们研究了溅射沉积条件下粒子的沉积角度、沉积速率以及入射能量对Cu膜生长的影响.模拟结果表明Cu膜表面粗糙度会随沉积角度和沉积速率的增大而增大,而相对密度随之减小.模拟的薄膜的三维形貌显示,在薄膜的表面存在着柱状结构,这与实验是相符的.     

溅射工艺因素对Ni-Fe膜性能的影响

一、前言磁泡常规器件的许多功能是通过Ni-Fe合金薄膜图案完成的。因此,制备性能合乎器件要求的Ni-Fe膜是器件工艺重要的一环。磁泡器件对Ni-Fe膜的要求是:膜厚适当、矫顽力Hc低和磁阻系数η大。制备Ni-Fe膜曾采用电子束蒸发法,现大多改用高频溅射。和蒸发法相比,高频溅射有不少优点:(1)沉积的薄膜成份与靶的成份一致,这使得膜的成份和矫顽力易于控制;(2)沉积速率和膜厚容易调节;(3)无入射角影响;(4)薄膜与衬底结合牢固,使器件有较高的成品率。