采用12MeV电子辐照技术制造高反压大功率开关晶体管

本文研究了首次应用最佳能量（１２ＭｅＶ）电子对大功率开关晶体管辐照的结果。应用结果表明：１２ＭｅＶ电子辐照开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。     

晶体管的电路应用

1.晶体管类型和特性概述本文的主要目的是介绍半导体晶体管的基本应用电路。晶体管至目前为止已证明适用于一般低功率的通信电路、电源供给以及开关脈冲电路。电话系统及计算机需要大师的低功率及高速度的放大和开关的元件,晶体管可用来代替电磁继电器与电子管。在自动控制与远距     

稳频、稳流、稳压电源

开关电源转换器的非线性与线性鲁棒控制(见0015653)硬、软开关用的平面与开槽绝缘栅双极晶体管性能评价(见0014408)具有击穿与非击穿结构的3.3KW 高压绝缘栅双极晶体管的开关性能(见0014407)软开关应用的绝缘栅双极晶体管模型验证(见0014405)     

晶体管的开关特性参数ts对电子镇流器电气性能的影响

本文简要介绍了晶体管的开关特性参数，详尽分析了ts值相差较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题。     

了解这些 就可以搞懂IGBT

<正>绝缘栅双极晶体管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种三端功率半导体器件,主要用作电子开关,在较新的器件中以结合高效和快速开关而闻名。IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管,将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT用于中到大功率应用,如开关电源、牵引电机控制和感应加热。     

砷化镓双异质结高速开关晶体管

本文描述了NpN GaAs双异质结双极型晶体管的设计和制作工艺。给出和分析了这种晶体管的直流特性和开关特性。饱和压降小、开关速度快、能双向运用是这种晶体管的三个主要特点,文章对三种GaAs开关晶体管的优缺点进行了对比和分析。分析的结果表明,对高速开关双极晶体管来说NpN-GaAs双异质结晶体管是最理想的。     

半导体激光器快速激励脉冲的形成电路

本文讨论用雪崩晶体管作放电开关,分别和电容器、传输线两种储能元件构成的毫微秒脉冲发生器的工作特点,及有关电路参数的选择。也介绍了雪崩晶体管与高频大功率晶体管、大功率MOS场效应管的组合应用。     

石墨烯场效应晶体管研究进展

制备场效应晶体管的石墨烯主要分三种类型:大面积单层石墨烯、石墨烯纳米带和双层石墨烯片。文中介绍了这三类石墨烯场效应晶体管器件的研究进展和标志性成果,探讨了石墨烯对于场效应晶体管的影响。研究认为:与大面积单层石墨烯晶体管相比,由石墨烯纳米带制得的石墨烯场效应晶体管的开关比和电流密度等性能能够大幅度提升,可应用于逻辑电路;与大面积单层石墨烯和石墨烯纳米带相比,双层石墨烯晶体管具有更高的开关比,因此其实际应用的潜力最大。     

晶体管参数ts引起的电子镇流器功率变化问题探讨

本文简要介绍了晶体管的开关特性参数,详尽分析了ts对电子镇流器振荡频率和线路输入功率的影响。讨论了ts值相关较大的晶体管在电子镇流器中应用时出现的某些问题。     

电子镇流器用新型功率开关器件

荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率开关晶体管的要求是非常苛刻的。在一些高压高速电子线路中作为开关使用的晶体     

下一代低VCEsat双极晶体管

近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域.恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS 4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创造了新的应用领域.     

高频开关整流器的应用和电路原理

介绍了高频开关整流器的特点和技术发展，国内外通信企业中的应用及其一般电路原理；重点对高频开关整流器功率因数有源和无源补偿法，高频变换技术，绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）和金属氧化物半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）并联电路原理作了介绍和分析。     

容错继电器驱动器电路

机械继电器非常适用于需要在控　　　制电路和开关电路之间进行电气隔离的远距离切换场合。驱动继电器线圈的传统方法使用一个晶体管共发射极开关，以及一个抑制二极管。这种基本电路常常通过把由单独控制器驱动的２个晶体管开关并联在一起而扩展成冗余系统。但是，在高可用性系统中，这些器件是一个潜在的故障点。附图示出一种在继电器驱动器电路中减少不可恢复的故障可能性的电路。附加的晶体管开关与原先的控制晶体管串联在一起，则可在一个晶体管发生故障的情况下保持正常的工作。如果集电极一基极结击穿的话，那么，与上面晶体管连接的…     

金属化工艺对开关晶体管工作可靠性的影响

文本文对在工作过程中损坏的开关晶体管的解剖结果进行了分析 ,发现管芯正背面金属膜质量是引起开关晶体管失效的重要原因之一 ,指出正背面金属化工艺过程中应注意的几个问题     

三维光电开关继电器芯片

日本夏普公司最近推出三维光电开关继电器芯片。这种芯片包括两个单元:光线接受单元和开关晶体管单元。上述两个单元分两层结构,中间有隔离层。光线接受单元灵敏度高,开关晶体管响应速度快。这种开关管是采用MOS FET工艺在硅基片上形成的,     

EBERS-MOLL模型在脉冲数字电路教学中的注记

EBERS-MOLL模型能对晶体管电路作最确切的、形象化的描写,尤其可用以求得在大信号运用情况下晶体管特性曲线与指标间的关系。例如通常认为晶体管的饱和压降V_(ces)=0.3V,实际上这是指NPN管的正向运用情况下的数据,常用于晶体管开关电路,但不适用反向运用情况。而反向运用的晶体管常用作模拟开关.这是因为反向运用晶体管饱和压降极小,基本上符合模拟开关要求。本文将用EBERS-MOLL模型来探讨与求解正、反向运用情况下晶体管的饱和压降。     

病毒晶体管有望大幅提高芯片处理速度

美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)的研究人员已经用烟草花叶病毒制造出了开关速度非常快的"病毒晶体管".由于晶体管的开关速度直接关系到芯片处理信息的速度.如果能将病毒晶体管大量集成制造成芯片,将有望大大提升电子产品的性能.     

固态调制开关设计与实验

随着半导体器件研制及其应用的发展,使得以大功率半导体开关器件作为固态的调制开关,在高压脉冲调制器中的应用越来越多。基于模块化设计的思想,设计了基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)串联的固态调制开关模块,并讨论了该模块的技术难点,同时通过实验验证了单个固态调制开关模块的性能,在此基础上,进行两个固态调制开关模块串联的实验,进一步验证了其性能,并给出了实验波形。     

FPGA 布线开关的电路设计

在分析隔离岛式FPGA布线结构的基础上，设计了导通晶体管布线开关和三态缓冲布线开关。设计了级恢复电路，解决了导通晶体管开关引起的静态功耗问题。提出了基于扇人的三态缓冲开关bufm，避免了一般缓冲开关的扇出问题。最后，我们对各种布线开关的延时特性作了比较，提出了一些合理的建议。     

金属化工艺对开关晶体管应用可靠性的影响

本对在工作过程中损坏的开关晶体管的解剖结果进行了分析，发现管芯正背面金属膜质量是引起开关晶体管失效的重要原因之一，指出正背面金属化工艺过程中应注意的几个问题。