数字电视发射机中功率放大器的设计

用最新的LDMOSFET器件,采用平衡放大电路结构熏设计数字电视发射机中的功率放大器。工作频段在470MHz～860MHz,整个频带内增益在12dB左右,工作在线性状态,交调抑制小于-35dB。     

基于小信号S参数的MOSFET射频功率放大器设计

介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器.在工作频段内,功率放大器增益大于23 dB,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 dB.实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值.     

动态偏置射频宽带功放设计

射频宽带功率放大器是目前功率放大器的主要发展趋势。为了提高射频宽带功率放大器的增益平坦度与效率,采用推挽结构LDmos晶体管,使用ADS软件对动态偏置电路和匹配电路进行仿真设计。详细介绍了动态偏置功率放大器的工作原理及其实现方法。实现了多倍频程带宽、确保带内增益平坦、提高功率附加效率。仿真结果表明该功率放大器对于100MHz~400MHz的信号,在整个输入功率变化范围内,功率附加效率（PAE）与传统的功放相比提高了5~15%左右。     

GPS低噪声放大器的设计与制作

利用仿真软件ADS,设计仿真了一个GPS的1575MHz频段的低噪声放大器,选用ATF-34143FET作为两级级联结构电路的放大器件,用微带线作为传输线,应用于GPS的天线接收系统中。首先设计稳定电路解决场效应管的稳定问题,然后重点进行匹配电路的设计,最后包括电源电路在内构成一个完整的低噪声放大器电路。制作实物,并进行调试,最后测试结果：增益30．5dB,噪声系数0．7dB,输入输出驻波比优于1．4,增益平坦度带内每5MHz小于0．2dB,1dB压缩点11dBm。     

一种L波段低噪声放大器的设计与仿真

研究射频电路前端的天线信号放大和抑制噪声,进行了加快低噪声放大器的设计,提出了一种利用史密斯圆图和ADS软件快速设计和仿真LNA的方法.设计时输入端采用最佳噪声匹配,以获得较小的噪声系数;输出端采用输出共扼匹配,以获得较高的功率增益和较好的输出驻波比.通过对一个L波段低噪声放大器的噪声系数、功率增益、输入输出驻波比等参数进行仿真,结果验证了上述的方法.经反复调整后放大器在L波段内噪声系数小于1dB,增益达30dB,输出驻波比小于1.5,满足了设计要求,对从事LNA的设计来说有着重要的参考价值.     

北斗高性能低噪声放大器的研究与设计

针对国内北斗行业的发展,介绍了一种适用于北斗B3频段的低噪声放大器的设计原理和设计方法,并给出了设计结果。为了达到更好的增益,采用了3级级联的方式。最终设计出的低噪声放大器在B3频段内的增益为(40±0.5)d B,输入驻波系数小于1.5,输出驻波系数小于1.2,噪声系数小于1 d B,在全频段内无条件稳定。     

用于UHF RFID的功率放大器设计

功率放大器是UHF RFID系统的重要模块,也是RFID系统中功耗最大的器件。本文采用TSMC0.18rf CMOS工艺,设计了一款用于RFID的线性功率放大器。在915 MHz频段,最大输出功率为17.8 dBm,饱和效率达到了40%,输出1 dB压缩点(P1dB)为15.4 dBm,其小信号增益达到了28.7 dB。     

驱动级功率放大器的设计与实现

设计了一个工作频段在902 MHz～928 MHz,输出功率为19 dBm、功率增益高达27 dBm、应用于射频识别(RFID)系统的驱动级功率放大器。为缩短功率放大器的研发周期并提高其开发的成功率,设计运用了仿真优化和实际测试相结合的方法。测试结果与仿真结果的高度一致性验证了这种方法的有效性。     

一种新型负反馈超宽带低噪声放大器的设计与实现

随着超宽带技术的发展,系统设计对低噪声放大器的性能提出了越来越高的要求。针对宽带放大器增益平坦度低。匹配性差等问题,本文从负反馈理论着手,改进了负反馈网络。通过ADS软件的辅助设计,实现了30MH—1．35GHz频段下的低噪声放大器的设计。通过对各项电路参数的优化,实现了增益为17．7dB,增益平坦度小于dB,输入输出电压驻波比小于1．5,噪声系数小于2．6的技术指标。     

射频宽带放大器设计

基于VCA821射频的宽带放大器设计,系统前级使用射频LNA作为前级低噪声放大器,中间级使用压控线性增益放大器VCA821,最后一级使用两片OPA695增加整体增益倍数与提高输出幅度能力。其增益可控范围为0~60dB,-3dB的截止频率约为100kHz~100MHz左右,通带内增益起伏很小,在1MHz~80MHz的频带内增益起伏不超过1d B,输入电压有效值小于20mV,通频带内最大输出正弦波电压有效值大于1V。     

基于ADS微波功率放大器设计与仿真

为了解决功率放大器设计中输出功率和效率这对矛盾的性能。对参数指标之间如何折衷处理的问题,提出了一种利用负载牵引和源牵引相结合的方法,通过功率放大器输入输出匹配网络的设计中解决矛盾问题,并对一个中心频率2140MHz PA的输出功率、功率附加效率等参数匹配的仿真验证证实方案的可行性,为方便物理实现提供了最终的设计电路。从仿真结果可以得出PA的输出功率和效率都满足设计要求,证明方法能够很好地解决输出功率和效率的折中问题,对PA的设计有着重要的参考价值。     

3.3V/0.18μm恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种3.3 V低压轨对轨(Rail-to-Rail)运算放大器。该运算放大器的输入级采用3倍电流镜控制的互补差分对结构,实现了满电源幅度的输入输出和恒输入跨导;输出级采用前馈式AB类输出控制电路,保证了轨对轨的输出摆幅以及较强的驱动能力。仿真结果表明,直流开环增益为120 dB,单位增益带宽为5.98 MHz,相位裕度为66°,功耗为0.18 mW,在整个共模范围内输入级跨导变化率为2.45%。     

多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计

开关类功率放大器相对于传统的线性功率放大器有更高的效率,其中E类开关功率放大器由于其高效、易于实现等特点被广泛运用,但在低频率时E类功率放大器难以达到足够的输出功率和效率。设计实现的多频段开关功率放大器在高频段（433 MHz）采用E类匹配方式,在较低的频段（315 MHz、230 MHz）采用新颖的方波匹配。在Cadence软件平台下进行仿真及版图绘制,结果显示该多频段开关功率放大器各频段都实现了20 dBm的输出功率,漏极效率均达到40%,同时,通过控制晶体管尺寸,可以对输出功率进行数字控制。     

Analysis and improvement of PSRR in an envelope‐tracking power amplifier using a common‐drain amplifier topology

A common‐drain power amplifier (PA) for envelope tracking systems is presented. In envelope tracking, the main PA operates mostly in compression and the power supply rejection ratio (PSRR) is not high. Furthermore, the output noise of the supply modulator can be mixed with the RF signal and generates out‐of‐band emissions. In this article, instead of using a common‐source topology, the PSRR of the envelope tracking PA is inherently improved by utilizing a common‐drain topology. A comprehensive analysis shows that the common‐drain topology is less sensitive to the supply noise, as compared to the conventional common‐source topology. The proposed common‐drain PA is implemented using a discrete LDMOS PD20010‐E RF transistor. Measurement results show that the PSRR of the proposed common‐drain PA is improved by up to 7 dB as compared to that of the common‐source PA. For a two‐tone input with 10 MHz bandwidth at the center frequency of 700 MHz, the power added efficiency (PAE) and IM3 of the envelope tracking common‐drain PA are 20% and ? 28 dBc, respectively, at an average output power of 33.4 dBm. The amplifier also shows a 12.4 dB power gain. Moreover, by utilizing the envelope tracking, the PAE is improved by more than 5%.     

程控宽带直流功率放大器的设计

以压控运放AD603、功率运放THS3092、10位串行D/A芯片TLC5615和AVR单片机ATmega128为核心,以液晶屏、键盘为人机接口,通过软件补偿增益误差,设计一种可编程控制电压增益的大功率宽带直流放大器。该放大器可实现0～60dB增益范围内1dB步进可调和DC～10MHz带宽,控制误差不大于3%,50Ω负载上最大不失真输出有效值达到10V。     

一种微波附件组合的设计与实现

在综合测试与诊断领域,随着被测系统复杂性的提高,对测试系统准确度要求进一步提高。文中设计实现了一种微波附件组合,主要由微波开关、衰减器、功率放大器和电源组成。该设备实现了各项技术指标要求,其中微波开关的驻波比在DC-1GHz时不大于1.3,在1GHz-18GHz时不大于1.5;衰减器的衰减量是40dB,精度是±3.5dB,驻波比不大于1.6;功率放大器的频率范围在0.9GHz～1.3GHz范围之内,输出功率不小于5W。该微波附件组合结合信号源、频谱仪、功率计及各类模拟器等射频仪器资源来实现射频测量通道的资源扩展、大功率信号的衰减调理、微波功率合成等功能。以满足被测试对象飞机系统中的微波射频系统、部件等微波信号性能测试的测试需求。     

宽带直流放大器的增益控制设计与研究

首先进行了方案论证与比较,分析各种方案的优点缺点,最后选择亚德诺半导体公司生产的低噪声增益可控集成运算放大器AD603和电流反馈型宽带运算放大器AD811等器件设计宽带直流放大器。输入级采用两级AD603级联,输出级设计通频带0~10MHz的带宽,通过单片机可以对放大器增益进行控制。该放大器具有频带宽、功率高、增益可调、带宽可选择等特点。此外,对提高直流放大器的各种性能指标提出了多种具体措施,在要求较高的系统中具有较强的实用性。     

2–6 GHz GaN distributed power amplifier MMIC with tapered gate‐series/drain‐shunt capacitors

In this article, using a 0.25 μm GaN HEMT process, we present a 2–6 GHz GaN two‐stage distributed power amplifier MMIC that utilizes tapered gate series capacitors and nonuniform drain transmission lines with tapered shunt capacitors to simultaneously obtain a linear gain enhancement and optimum load line for each transistor. By using well‐derived equations to provide each transistor with the optimum load impedance and to tune the phase delay between the input and output transmission lines, the nonuniform distributed power amplifier is designed for second‐stage amplification, and satisfactory performance is demonstrated. The phase balance and tapering of the gate series capacitors have a role in improving the linear gain of the two‐stage amplifier. The measured data show a linear gain of 22 ± 1 dB, an input/output return loss of more than 15 dB, saturated output power of 41.2–43.1 dBm under a continuous‐wave mode, and a power‐added efficiency of 18–22% from 2 to 6 GHz which are very competitive values compared with previous works. © 2016 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 26:456–465, 2016.