Diodes Incorporated汽车级稳压器提供5V、8V或12V输出,容许60V电池瞬态

Diodes Incorporated推出的ZXTR2105FQ、ZXTR2108FQ和ZXTR2112FQ稳压器晶体管符合高可靠性AECQ101标准,并通过生产零件核准程序(PPAP)。这些稳压器可在12V或24V额定电池供应下提供5V、8V或12V的稳压输出,极适合为汽车电子组件供电。这些装置可耐受最高60V的电池电压峰值,让无法使用标准线性稳压器的应用得以实现。这些稳压器晶体管将晶体管、齐纳二极管和电阻器整合在SOT23封装内。     

Diodes高压稳压器晶体管为微控制器提供5V电源并节省占位面积

Diodes公司推出新的稳压器ZXTR2105F,该产品把晶体管、齐纳二极管及电阻器单片式集成起来,有效在高达60 V的输入情况下提供5 V,15 mA的输出。这款稳压器晶体管采用了小巧的SOT-23封装,可减少元件数量,以及节省微控制器应用的印刷电路板面积,例如个人电脑和服务器的直流散热风扇,以及工业与汽车市场的电机驱动器、排气扇和传感器应用。     

1SS361LP3：超微型二极管

Diodes公司推出采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6．0V基纳二极管及开关二极管以0．6mm×0．3mm×0．3mm的规格供应。     

单电源随机码发生器

随着卫星接收机、有线系统和Internet商务的激增，很需要安全加密。伪随机码发生器几年前需定货，现在人们可考虑自己做。本文绘出的是一工作在单电源的真正的随机码发生器。此电路工作在单5V电源，只需最少的调节。此电路通过对齐纳二极管产生的随机噪声流与一个基准电压电平进行比较而产生随机“1”和“0”。假若正确地设置阈值而且时间周期足够长，则噪声将由高于和低于阈值的随机组数量相等的样本组成。图1所示的电路是随机噪声发生器。从1N753A齐纳二极管可获得最佳噪声性能，此齐纳二极管具有6.2V齐纳”拐点”。此二极管用来产生随…     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

铅酸电池充电器加装指示器

本电路可加装在铅酸电池充电器上作充电指示。快速充电器则提供14.4V的充电电压。本电路以黄、绿、红三只发光二极管来指示充电器的工作状态。图中的"～"端接到电源变压器的次级。当接通交流电源时,黄色发光二极管D3燃亮,表示电源已接通。" "和"0"端接到电池两端,只有电池极性连接正确,绿色发光二极管 D1才会燃亮。D5是稳定电压为12V 的齐纳二极管。当     

低价6V/12V直流电压变换器

这是一种将6V直流电压变换成12V直流电压的简单电路,它不需要变压器,并且只用少数几只元器件便能方便安装,造价特别低廉。电路还是以555芯片为主,它产生2k～10kH z的频率驱动功率晶体管BD139(T2)。555的输出频率可通过VR1来调整,此频率经R3送至T2基极,T2安装在一只铝制的散热器上。2200μF的C5和电感L1均作储能元件使用,12V齐纳二极管作为输出12V直流电压的稳定之用。电感采用环形铁氧体磁心,用24号漆包线在40m m直径的骨架上密绕100圈,圈数越多,输出至负载的电流就越大。输出电流由晶体管BC549(T1)控制,输出电压则由齐纳二极管和C5…     

一种实用的高压BiCMOS关键工艺技术研究

提出了一种实用的高压BiCMOS工艺.该工艺集成了高性能耗尽型NJFET、NPN、VPNP、高压NMOS、高压PMOS、NMOS、PMOS、齐纳二极管,以及铬硅电阻、磷注入电阻等有源和无源器件.NJFET的夹断电压为-1.5 V,击穿电压为17 V;高压MOS管的击穿电压为37 V;齐纳二极管在25 μA时其反向击穿电压为5.5 V.使用该工艺,研制了一款低压差线性稳压器(LDO),基准源静态电流小于1.5 μA.该工艺还可广泛应用于高压A/D、D/A转换器的研制.     

Diodes为功率因子校正应用提供崭新高电压整流器

Diodes公司针对功率因子校正（Power Factor Correction,简称PFC）升压二极管应用,推出一对崭新的600VDiodeStar整流器,以扩展其DiodeStar产品系列。DSR6V600P5及DSR6U600P5以Diodes专有的powerDI 5封装。该封装具备高热效能及厚度薄的特性,从而能使用之设计的产品更薄、热效能更显著。     

三支分立晶体管构建一个运放

用三支分立晶体管就可以搭一个开环增益大于100万的运放（图1）。输出偏置在电源电压的一半左右，方法是将齐纳二极管D1、输人晶体管Q1的基射电压，以及1MΩ反馈电阻R2上的1V压降结合起来。 电阻R3和电容C1构成一个补偿网络，防止电路振荡。图中的值仍提供很好的方波响应。R2与R1的比率决定了反相增益，本例中为-10。     

聚合物器件与齐纳二极管协同保护电路

在传统的电路保护组件中,经常采用齐纳二极管来防止电路中的极性反转,但是齐纳二极管也同时面临被反向电压击穿的可能.     

泰科电子推出PolyZen？48V过电压抑制器件

泰科电子于2007年4月7日宣布，其受大众青睐的PolyZen？聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉又添新成员。高性能的ZEN132V器件现有ZEN132V 075A48LS配置，它具有13．2V齐纳钳位电压，能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便携式电子器件壳受感应电压尖峰、瞬态电压、错误电源以及反偏压的损坏。新的PolyZen器件是一种节约成本与空间的方案，     

PolyZen 48V过电压抑制器件上市

泰科电子日前在美国加州Menlo Park市宣布其受大众青睐的PolyZen聚合物增强型精密齐纳二极管微组件叉添新成员。高性能的ZEN 132V器件现有ZEN132V075A48LS配置。它具有13.2V齐纳钳位电压,能够防护高达48WC的连续过电压。该器件有助于保护便携式电子器件壳受感应电压尖峰、瞬态电压、错误电源以及反偏压的损坏。     

新品发布

电路元器件二极管和TVS品种繁多 几个系列的瞬态电压抑制器(TVS)、齐纳二极管和肖特基势垒整流器已经上市。SMBJ、SMCJ、SA、P6KE和1.5KE各个系列的单向和双向TVS提供额定峰值电压5V至440V;额定峰     

齐纳二极管测试表

众所周之,利用普通万用表是很难直接检测齐纳二极管(常用稳压二极管)的稳压值的。本文介绍一种齐纳二极管测试表,它采用了限流的高压电源,将输出电压加在齐纳二极管上进行直接测量,再从LCD(液晶显示)显示器上读出被测管的击穿电压(稳压值),其测量精度为±0.1V。 电路工作原理 齐纳二极管测试电路如图所示。该电路是一种单管振荡器,其振荡频率为3kHz,其中的变压器T1用作升压变换。T1的初级绕组(2×4.5V)是晶体管Tr1的集电极负载;次级绕组(0～240V)升压后供给BR1桥式整流。当     

Diodes推出USB端口保护专用单通道电源开关

Diodes公司推出专为USB端口保护及其他3—5V热插拔互连优化的0．5A单通道电源开关AP2145和AP2155．可根据高容性负载和短路的可能性．为消费、计算和通信应用提供全面的保护解决方案。     

Diodes推出微型高速开关二极管有助减小电路板尺寸

Diodes Incorporated推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压(Breakdown Voltage)外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。     

多连续性测试器

连续性测试器是欧姆计的便携附件。若要检查某个单元或元件的连续性 ,就将其接在Ｅ1 和Ｅ2 之间 ,流过被测单元 元件的测试电流在Ｒ2 上产生压降 ,将其加至缓冲器ＩＣ2的未变换输入端。把运算放大器的输出加至晶体管Ｔ1 ,Ｔ1 的发射极电路有很多并联的发光二极管 (ＬＥＤ)。每个ＬＥＤ都与 1个齐纳二极管和 1个电阻器串联。该齐纳二极管的齐纳电压可与图中不同。当Ｒ2 两端的压降超过Ｔ1 的基极射极电压、齐纳电压以及与该齐纳二极管串联的ＬＥＤ阈值电压之和时 ,相应的ＬＥＤ就发光。该图给出了被测单元 元件在那个电阻范围时 ,特定的Ｌ…     

齐纳二极管调整器设计

IC电压参考很受电路设计者的欢迎，因为它们不仅精确而且飘移很小。在今后的一些专栏文章中，将陆续讨论三种IC电压参考：埋人式齐纳二极管、带隙及XFET。当您用齐纳二极管进行参考设计时，由于齐纳二极管相对较简单，因此可用它来演示设计过程，而使用中的问题会让您庆幸有IC电压参考。电路指标为：VCC=30V±10％、8．445V≤VRFF≤9．555V、ΔVREF≤200mV、100kΩ≤RLOAD≤200kΩ及0℃≤TA≤80℃。     

1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究

分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等.用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11 μV/平方根(Hz)(2 kHz频率点),比设计指标4.0 μV平方根(Hz)低一个数量级.