低噪声天线前置放大器

低噪声天线前置放大器１引言英国人Ｃｏｎｗａｙ研制的这种低噪音、窄频带、置于天线杆上的前置放大器，信号分送到两个ＭＯＳ场效应管之间，省去了平衡－不平衡变换器，提高了过载容量，并且降低了高电平带内信号的谐波电平，如图１所示。图１前置放大器原理这种放大器是...     

低噪声前置放大器的设计

读文分析了噪声匹配的概念,并通过定量分析、论证了噪声匹配的最佳源电阻,推出了低噪声放大器设计的理论公式,且由该公式设计的低噪声前置放大器在低电平(0.3mV)、源电阻(600Ω)的情况下具有噪声低、频响宽、高保真度等特点。     

温度稳定的低噪声前置放大器

叙述了用2P303zh 场效应晶体管的温度稳定低噪声前置放大器电路,介绍了各种类型负反馈电路的温度特性。在-10°～+40℃温度范围内,增益不稳定性为0.04～0.05％/℃,电压从9伏变到15伏时δK/K<2.5×10~(-2)。在1千赫下,源阻抗为5欧姆时,前置放大器噪声电平在4～5×10~(-9)伏赫~(-1/2)。     

增益可控低噪声前置放大器设计

设计一种具有温度补偿、增益可控的低噪声前置放大器。该放大器采用级联放大,每一级通过继电器改变信号通路,从而达到控制增益的目的。在放大器的设计中采用噪声抑制和温度补偿技术,并对原电路使用闭环控制进行优化,既实现了增益可调,增益控制范围为10~60 dB,又保证了良好的增益平坦度和优秀的噪声抑制能力。通过仿真和实际电路波形测试,表明该放大器仅有9μV/℃温度漂移和10 nV/Hz~(1/2)等效输入噪声电压,总谐波失真小于1.2%,能放大μV级DC~50 MHz带宽信号。     

一种专用宽带低噪声前置放大器

描述了一种专用双极单片宽带噪声前置放大器。该放大器的开环增益60dB－3dB带宽2．5MHz,等效输入噪声电压1．6V√Hz。     

分立元件设计的低噪声前置放大器实用电路

根据级联网络及噪声理论,本文采用分立元件设计了一种低噪声前置放大器实用电路．测试结果表明该电路比目前市场上低噪声运放具有更低的噪声电压,是一种适于低内阻信号源较理想的低噪声前置放大器电路。     

一款JFET低噪声前置放大器的设计

在对级联网络及结型场效应管的噪声分析基础上,采用结型场效应管等分立元件设计了一款低噪声前置放大器实用电路。并对其幅频特性、输入阻抗和等效输入噪声进行了测量,结果表明其输入阻抗高达71Mn。等效输入噪声电压为0．7nV／√Hz,是一种适合于较高内阻传感器的较理想的低噪声前置放大器电路。     

低源电阻前置放大器的低噪声设计

高保真(Hi-Fi)音响系统中,限制和改变重发声音质量的两个重要因素就是噪声和畸变。在声音最终为人耳所享受的前题下,噪声甚至比畸变更难于使人忍受。所以在高保真音响系统的设计中,最困难的,可能是它的噪声指标了。我们知道,只要第一级增益足够大则系统总的噪声系数将取决于第一级的噪声系数,即:     

低温低噪声红外前置放大器的计算机辅助设计

通过ＰＳＰＩＣＥ５．０的模型参数提以工具ＰＡＲＴＳ软件，提取并确定了低温低频低噪声双极晶体管的器件模型参数，利用ＰＳＰＩＣＥ５．０对低温红外前置放大器进行了计算机辅助设计和优化，成功地对双极模拟电路进行了温度为１２０Ｋ（－１５３℃）的多种模拟分析。采用ＭＣＭ技术制作出了混合集成低温红外前置放大器，实际电路的ＣＡＴ测试结果与计算机辅助设计结果相吻合。     

TGS热释电器件低噪声前置放大器

前言目前,国产的热释电器件的水平已接近理论极限值,和器件连在一起使用的前置放大器已成为限制热释电器件比探测度D提高的主要障碍。因此,如何利用较好的结型场效应管(JFET),设计出合理的、性能良好的高输入阻抗、低噪声前置放大器,就成为一个迫切需要解决的课题。本文将以直径为2毫米的面电极型TGS器件为例,介绍一种较好的低噪声前置放大器,并从理论上加以探讨。由于篇幅所限,本文在对噪声的分析中,没有从JFET的内部机理及真正存在的各种内部噪声源进行全面的分析,而是采用简单的放大器的噪声模型△E_n及△I_n进行处理。这种分析方法无疑是粗糙的,分析结果也会和实际情况有一定的偏差,但结论肯定是与实际相一致的。     

一款超低噪声前置放大器的设计

对于一款为低阻抗信号源设计用分立元件组成的前置放大器的低噪声设计要点作了较为详细的阐述,设计据级联放大器理论,重点是降低第一个晶体管的噪声系数,为此选择PNP型超β晶体管,并使之工作在低Uce,低Icl的微功耗状态,并采取低噪声阻容元件等措施.据此制作了电路并对其进行了测试.结果表明其等效输入噪声电压为0.12 nV/Hz,可称其为超低噪声前置放大器,可广泛应用于诸如锁相放大器等对噪声特性要求很高的微弱信号测试仪器中.     

混合集成大动态低噪声前置中频放大器

主要介绍大动态低噪声前置中频放大器ＳＨ３０１电路的设计及典型应用参数。通过采用大动态高频晶体管提高放大器的输入动态范围；采用便于调整的单级双负反馈电路来实现阻抗匹配和高的增益精度；运用计算机ＳＰＩＣＥ程度进行参数优化设计。根据新设计电路的特点，采用厚膜混和集成工艺，研制的ＳＨ３０１电路达到了较高的水平。     

野马系列多功能有源音箱的前置放大器

<正>野马系列多功能有源音箱是当前大功率有源音箱的主流产品,被广泛应用于舞台电声扩音及婚礼庆典演唱等。该机内部电路和市场上多年来一直畅销的跃马系列大功率有源音箱的内部电路完全相同,所涉及的机器型号有M200型、M300型、     

一款前置放大器的低噪声设计与分析

描述了有关放大器的噪声机理和特性,详细论述了前置放大器的低噪声设计步骤和过程,并根据晶体管的噪声特性曲线和噪声系数等值曲线对输入晶体管的偏置进行了理论计算。     

低噪声宽频带光接收机前置放大器的研制

本文介绍了一种适用于低噪声宽频带光接收机的前置放大器,通频带内噪声系数≤4.7dB,电压增益:30～45dB,用结电容小的InGaAs-PIN光电二极管作探测器,构成光/电前置放大器。实验表明,光/电前置放大器的接收频宽在1～1200MHz频率内频响为±1.5dB。     

一种新型低噪声麦克风前置放大器的设计

传声器集成电路将接收到的麦克风声音信号转换成电流信号,再由前置放大器放大成电压信号。通常,当声音信号很微弱时,放大器放大声音信号时也放大了噪声,造成被放大的声音信号的信噪比很低。对两种电路进行了仿真试验,比较了Claus前置放大器和Eduard CMOS前置放大器的噪声特点。采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,分析了电路的噪声频谱密度,提出了一种改进型CMOS前置放大器,有效地改善了前置放大器的信噪比。     

深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器

为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显示该前置放大器的输出电压噪声很小,3dB带宽大于10kHz。此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成,四单元芯片的大小为2.1mm×2.9mm。经测试,这种前置放大器在深低温下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz1/2,单元功耗小于1mW,与红外探测器连接后工作正常,线性度较好。