基于多级分类的网络流量在线识别方法(英文)

Internet traffic classification plays an important role in network management. Many approaches have been proposed to classify different categories of Internet traffic. However, these approaches have specific usage contexts that restrict their ability when they are applied in the current network environment. For example, the port based approach cannot identify network applications with dynamic ports; the deep packet inspection approach is invalid for encrypted network applications; and the statistical based approach is time-consuming. In this paper, a novel technique is proposed to classify different categories of network applications. The port based, deep packet inspection based and statistical based approaches are integrated as a multistage classifier. The experimental results demonstrate that this approach has high recognition rate which is up to 98% and good performance of real-time for traffic identification.     

热处理对ZnO六棱微管结构及发光特性的影响(英文)

采用水热法在p-Si(111)衬底上生长出六棱ZnO微管,在空气中进行了300～600℃不同温度的热处理,并用XRD、XPS、PL谱研究了热处理对ZnO微管的结构、发光性能的影响。结果表明经过热处理后,ZnO微管的晶体质量显著改善。室温下的光致发光测试显示,在可见发射几乎消失的情况下,近带边发射的强度显著增大。与原位生长的ZnO微管相比,在泵浦密度为28kW/cm2时,热处理400℃的样品在近紫外区产生一个新的发射峰P。通过验证发射峰A与P之间的相对能量位置,认为新发射峰P可能是由激子-激子碰撞引起的。     

射频识别技术中间件分层结构的研究和设计(英文)

简单介绍了射频识别技术(RFID)中间件及其研究现状,在研究和分析了现存食品追溯系统的局限和不足的基础上,提出设计了分层的RFID中间件体系结构,将中间件模块分成三层,并进行了深入的分析,此分层的中间件模型屏蔽了不同设备的差异性,集中管理分布的读写器设备,并按照一定的协议规则对大量的冗余数据进行过滤筛除,并从中提取语义信息;提高了各个企业、不同厂家产品的兼容性,更有利于应用于食品追溯系统中;利用发布-订阅模型实现更加有效、实时的信息共享机制。     

回力标形状的ZnO纳米棒的制备和光致发光特性(英文)

在1 050°C条件下,利用碳热蒸发的方法在NiO覆盖的Si(100)衬底上制备了回力标形状的ZnO纳米棒,这是一种新的ZnO的纳米结构。通过结构分析,发现这种回力标形状的ZnO纳米棒具有纤锌矿结构。室温的光致发光图谱中有两个发光峰:380nm附近的弱近紫外发光峰和524nm及575nm附近较宽的绿光发光峰。拉曼谱以及X电子能量谱也用于研究其性质。最后讨论了缓冲层的作用及ZnO纳米棒的生长机理。     

用不同周期重叠写入的光纤布拉格光栅传感器 对应力和温度实现同时测量(英文)

用不同周期重叠写入的光纤Brass光栅对应力／温度实现同时区分测量。用应力／温度调制技术和信号解调方法，得到实验结果与理论的误差分别小于40με和0.5℃。可在复合材料、大型建筑物、抽油和输油管线中对应力和温度实现同时分布式智能化传感测量。     

铁电纳米结构的浸渍涂敷法制备和微结构STEM表征(英文)

本文利用浸渍涂敷法在硅基多孔氧化铝模版介质(孔径20nm-100nm)上制备了Pb(Zr0.53Ti0.47))3(PZT)铁电纳米结构,并利用扫描透射电子显微镜(STEM)观察了其表面形貌和剖面微结构.TEM像和X-射线能谱分析结果表明在多孔氧化铝模版孔道内形成了PZT纳米结构,其横向尺寸可通过改变氧化铝模版的孔径来调节.采用浸渍涂敷法可使PZT溶液贯穿整个氧化铝纳米孔道,在其内壁形成PZT涂层,厚度为4nm-15nm.氧化铝纳米孔道内的黑色TEM衬度线证实了PZT涂层的存在,其存在方式为连续介质型或离散的晶粒形状.平面STEM像显示PZT纳米结构具有椭球状形貌,这可能是由氧化铝纳米孔道的局部扭曲或PZT溶液在退火过程中的收缩引起的.在硅基多孔氧化铝模版介质上采用浸渍涂敷法制备的PZT有序纳米结构,在将来三维结构的非挥发性铁电存储器方面具有十分诱人的应用前景.     

玻璃和聚酰亚胺衬底上磁控溅射沉积的ZnO:Al透明导电膜的结构、电学和光学性能(英文)

利用射频磁控溅射方法在玻璃和聚酰亚胺膜(PI)衬底上沉积了氧化铝质量分数为2%的掺铝氧化锌透明导电薄膜(ZnO∶Al)。系统地研究了不同衬底材料对薄膜的结构、电学以及光学性能的影响。分析表明,衬底材料对薄膜的结晶性和电学性能有较大的影响,对可见光透射率却影响不大。X射线衍射(XRD)分析得出所有的ZnO∶Al具有良好的c轴择优取向性,在可见光区(400～800nm)两种衬底上的薄膜都达到了85%的透射率。玻璃衬底上的薄膜呈现出更强的(002)衍射峰及相对更小的半峰全宽(FWHM),薄膜电阻率达到了2.352×10-4Ω.cm。电镜分析表明,相对于PI上的ZnO∶Al膜,玻璃上ZnO∶Al膜表面有更致密的微观结构及更大的晶粒尺寸。PI衬底上的ZnO∶Al膜也有相对较好的电、光学性能,其中电阻率达到了6.336×10-4Ω.cm,而且由于PI衬底柔性可弯曲,使得它适于在柔性太阳电池和柔性液晶显示中做窗口层材料及透明导电电极。玻璃上的ZnO∶Al膜则可应用在平板显示和太阳电池技术中。     

形貌可控的CdS微米/纳米结构的表征和发光性能(英文)

利用简单的热蒸发CdS粉末方法,可合成出高质量的CdS微米柱。通过调控Si衬底上Au膜的厚度,能够大面积合成出尺寸均一的CdS纳米带和纳米棒。系统地研究了所合成样品的相、微结构和光致发光特性。室温下样品的发光结果表明可在所合成CdS微米柱上观察到位于约512 nm对应于其带隙的强发光峰。与CdS微米柱不同的是,可在所合成的CdS纳米带和纳米棒样品上分别观测到位于约521和543 nm,528和550 nm处对应于带边附近的发射强峰。并且,所合成的CdS纳米带和纳米棒展现出位于约710和712 nm位置处的宽峰,该峰的出现与结构缺陷、离子缺陷或杂质有关。与CdS纳米带的发光性能相比,所合成的CdS纳米棒表现出增强的发光性能。     

Nd:YVO_4激光晶体对808nm附近光的吸收特性(英文)

研究了Nd:YVO_4激光晶体对808 nm附近光的吸收,定量给出了不同激活粒子浓度与其吸收808 nm光的关系.在测试晶体透过率基础上,通过计算,给出了Nd:YVO_4晶体808 nm波长光的吸收系数。实验得出了在确定浓度和长度的情况下,晶体对808 nm泵浦光吸收系数是一个不与泵浦源功率相关的确定值.计算了π和σ两偏振吸收,比较出它们之间的关系.     

固相反应制备的多晶和外延 CoSi_2/n-Si(111)接触的肖特基特性(英文)

通过硅 (111)衬底淀积的单层 Co或 Co/ Ti双金属层在不同退火温度的固相反应 ,在硅上形成制备了多晶和外延 Co Si2 薄膜 .用电流 -电压和电容 -电压 (I- V/ C- V)技术在 90 K到室温的温度范围内测量了 Co Si2 / Si肖特基接触特性。用肖特基势垒不均匀模型分析了所测得的 I- V特性 ,在较高温度下 (≥～ 2 0 0 K)或较低温度的较大偏压区域 ,I- V曲线能用热激发和在整个结面积上势垒高度的高斯分布模型描述 .而在较低温度的较小偏压区域 ,电流由流过一些小势垒高度微区的电流决定 ,从而在低温 I- V曲线上在约 10 - 7A处有一个“曲折”.在室温下 ,从 I-V曲线得到的多晶 Co Si2 / Si的势垒高度为约 0 .5 7e V.对外延 Co Si2 ,势垒高度依赖于最后退火温度 ,当退火温度从 70 0℃升到 90 0℃ ,势垒高度从 0 .5 4e V升高到 0 .6 0 e V.     

一种采用阶梯阻抗谐振器和缺陷地面结构共同实现的三通带滤波器(英文)

给出了一种采用枝节加载谐振器和缺陷地面结构实现的三通带滤波器。枝节加载谐振器采用交趾耦合实现了工作于2.45 GHz和5.25 GHz的两个通带,利用缺陷地面结构实现了工作于3.5 GHz的另一个通带,3个通带实现了独立设计。基于该方法,设制作了一个工作于2.45 GHz、3.5 GHz和5.25 GHz3个无线通信频段的三通带滤波器。实测和仿真结果对比验证了设计方法的有效性。     

FAME:一个标准单元模式下基于最小割和枚举的快速详细布局算法(英文)

随着制造工艺的快速进步 ,超大规模集成电路的物理设计技术在速度和质量上面临很大挑战 .提出了一个快速详细布局算法以适应这种要求 .算法继承总体布局得到的单元全局最佳位置 ,然后采用局部优化将单元精确定位 .FM最小割和局部枚举方法分别用于优化 y和 x两个方向的连线长度 ,这两个方向的优化在同一迭代过程中交替进行 .另外 ,采用改进的枚举策略加速算法 ,对于有障碍和宏模块情况下的布局也加以讨论 .实例测试结果表明 ,FAME的运行速度比 RITUAL快 4倍 ,并使总连线长度平均减小 5% .     

多传感器和多源信息的融合:结构、算法和应用(SPIE Vol.5813)

一、图像融合 1.利用主成分分析对压缩数据投影限幅图像进行融合(V.R.Riasati,美国科学应用国际公司) 2.实时执行图像的配准和融合(D.J.Dwyer,英国Octec公司)