奥拉西坦治疗OSAHS大鼠认知障碍的研究

目的：研究奥拉西坦对阻塞性睡眠呼吸暂停低通气综合征（OSAHS）大鼠认知障碍的影响。方法：成年雄性SD大鼠24只,建立慢性间歇性缺氧模型,随机分为空白对照组、慢性间歇性缺氧组、药物组,并用Morris水迷宫实验,评价三组大鼠的空间学习记忆功能。结果：Morris水迷宫学习成绩（定位航行实验）：从第一天开始,慢性间歇性缺氧组的逃避潜伏期明显长于空白对照组,（P〈0.05）,药物组的逃避潜伏期接近空白对照组,无显著差异（P〉0.05）。Morris水迷宫记忆成绩：慢性间歇性缺氧组的穿越平台次数较空白对照组显著减少（P〈0.05）,药物组的穿越平台次数接近空白对照组,两者无显著差异（P〉0.05）。各组在跨越目标象限时间占整个游泳的时间百分率的比较：慢性间歇性缺氧组较空白对照组显著减少（P〈0.05）,药物组接近空白对照组,两者无显著差异（P〉0.05）。结论：慢性间歇性缺氧对大鼠的学习能力有一定的损伤;经奥拉西坦治疗后的大鼠学习能力有了提高。     

独活干预血管性痴呆模型大鼠自由基和免疫炎性损伤的实验研究

目的:研究探讨独活干预血管性痴呆模型大鼠自由基和免疫炎性损伤的临床作用。方法:选取健康雄性SD大鼠80只作为研究对象,并将其随机分为五组,分别将其设为空白对照组、假手术组、模型对照组、中药组和西药组,对后三组大鼠建立血管性痴呆模型,分别在造模前、造模后1周、给药后等不同时期对大鼠进行水迷宫实验,比较其不同阶段的逃避潜伏期,并在最后一次水迷宫实验结束之后,对大鼠实施解剖,获得腹主动脉血液和海马组织,分别处理后,对五组大鼠的血清中、海马CA1区内TNF-α表达水平、血清中SOD活性或MDA表达值等进行检测和比较。结果:造模前后不同时期各组大鼠的逃避潜伏期比较可见,中药组和西药组给药后逃避潜伏期显著缩短,组内不同时期的比较、与其他三组的比较均有统计学差异(P0.05)。大鼠血清中和海马CA1区TNF-α的表达情况的比较,均有模型对照组TNF-α的表达水平最高,其次是中药组和西药组,而空白对照组和假手术组最低的规律,比较均有统计学差异(P0.05)。模型对照组的SOD值最低,中药组和西药组略高,空白对照组和假手术组最高,MDA表达值的比较规律则正好相反。结论:独活能有效改善血管痴呆模型大鼠自由基和免疫炎性损伤情况,提高脑组织氧自由基的代谢,促进大鼠的学习与记忆能力的恢复,效果良好。     

电击伤的院前救护

夏秋季阴雨连绵,地面因潮湿而导电性能极强,一 些电器漏电或人为违规操作等原图,造成触电伤亡事 件屡屡发生。 电击伤是人体与电流接触时引起的机体组织、器 官和功能的损害。220V以下的交流电易引起心室颤动, 1000V以上的高压电易引起呼吸衰竭,危险性极大。对 遭受电击者必须争分夺秒进行抢救。电击伤的院前救 护方法包括:     

粉防己碱对血管性痴呆大鼠学习记忆能力及神经元凋亡的影响

目的：探讨粉防己碱（Tet）对血管性痴呆（VaD）大鼠学习记忆能力和海马神经元凋亡的影响。方法：将40只大鼠随机分为假手术组、模型组、Tet干预组（含10和30mg/kg两个剂量组）,采用双侧颈总动脉永久性结扎（2-VO法）建立VaD大鼠模型。造模12周后进行Morris水迷宫实验检测大鼠行为学,HE染色观察海马CAl...     

扫描电子显微镜在栅光刻工艺中的应用

阐述了扫描电子显微镜在解决栅光刻在线监测中遇到的问题和解决过程。在充分的理论分析基础上,通过大量实验研究,克服了光刻胶在高能电子辐照下变形、变性的问题;削弱了光刻胶样品表面荷电对图像质量的影响;在观测"T"型栅的胶窗口时采用特殊的工作条件获得了三层胶的立体形貌图像,从而能够观察三层胶的内部结构。上述问题的解决和技术的改进实现了栅光刻工艺的在线监测;并为栅光刻工艺的稳定和改进、产品成品率的提高提供了大量数据和图像。     

SMA驱动的仿章鱼多关节柔性臂研究及发展分析

仿生柔性臂是从自然界软体动物的运动功能中获得灵感,基于功能仿生和结构仿生原理研制的新型机械臂。采用形状记忆合金(ShapeMemoryAlloy,SMA)丝作为制动器,能有效提高仿生机械臂的柔性,减轻重量,简化结构,研制一种SMA丝驱动的高性能仿生柔性机械臂为水下探测、取样提供一种重要智能装备,研究具有理论意义和实用价值。本项目从章鱼触手的解剖结构中获得灵感,提出研制一种驱动-缠绕-抓取一体化的软体柔性臂机器人。建立好力学模型后,通过记忆合金丝驱动柔性臂。本实验研究不同电压以及占空比的作用下,柔性比的弯曲结果。实验验证了力学模型的成立,实现了柔性臂连续行的矢量弯曲,得到了驱动电压、驱动时间、弯曲角度以及占空比之间的关系。     

对同轴布拉格电栅传感特性的研究

对同轴电缆进行周期性钻孔形成同轴电缆布拉格电栅,通过三维电磁仿真软件AnsoftHigh Frequency Structure Simulator（Ansoft Hfss）对同轴布拉格电栅进行了建模和仿真,仿真结果和实验结果进行对比,频率特性基本一致,因此仿真结果可以作为电栅特性研究的依据。对于传感应用,文中对同轴布拉格电栅周期长度、钻孔尺寸等参数进行了优化,减小了线宽,提高了传感精度。研究为进一步实现基于同轴布拉格电栅的传感器研究及参数优化提供了理论指导和实验基础。     

演播室数字电视标准与设备选型

数字化是目前许多电视台准备或正在做的一件重要的事情。演播室数字设备也层出不穷 ,但在系统设计和设备选型时 ,有一些细节问题必须仔细考虑 ,而这一切是基于对国际标准的了解基础上的。本文主要介绍有关演播室的数字电视标准及设备选型。１演播室数字电视主要标准１ １数字信号编码电视三基色Ｒ、Ｇ、Ｂ信号是摄像机对光信号进行光 -电转换 ,并进行一系列处理后得到的。为了节省带宽 ,利用人眼对色信号不敏感的特点 ,将三基色信号经矩阵电路变换 ,得到一个亮度信号和两个色差信号 (Ｙ、Ｒ -Ｙ、Ｂ -Ｙ) ,现存的复合模拟、模拟分量、复合数…     

一种快速关断沟槽型SOI LDMOS器件

围绕降低沟槽型SOI LDMOS功率器件的优值,提出了一种新型多栅沟槽 SOI LDMOS器件(MG-TMOS)。与常规沟槽型SOI LDMOS(C-TMOS)器件相比,新型MG-TMOS器件在不牺牲击穿电压的同时,降低了器件开关切换时充放电的栅漏电荷和器件的比导通电阻。这是因为:1) 新型MG-TMOS器件沟槽里的保护栅将器件的栅漏电容转换为器件的栅源电容和漏源电容,大幅度降低了器件的栅漏电荷;2) 保护栅偏置电压的存在使得器件导通时会在沟槽底部形成一层低阻积累层,从而降低器件的导通电阻。仿真结果表明:该新型沟槽型SOI LDMOS器件的优值从常规器件的503.4 mΩ·nC下降到406.6 mΩ·nC,实现了器件的快速关断。     

动物记忆训练系统的智能无线遥控刺激装置研制

目的:解决现有动物记忆训练系统的刺激装置单一、电刺激——有创刺激对动物产生较大的副作用、操作不便的问题。方法:将本装置固定在实验动物身体外侧捆绑的载体上,无线发射模块根据采集到的实验动物的过门信号发射无线信号,无线接收模块接收到无线信号后,确定刺激类型并启动继电器驱动模块对实验动物实现相应的电刺激、声刺激、机械振动刺激或组合刺激。结果:本装置能有效产生符合要求的电、声、机械振动刺激或组合刺激,通过实际应用取得了理想的观测数据。结论:本装置设计合理,适应范围广,控制精度高,同时具有电路简单、容易制作、调试方便等特点,有效解决了现有动物记忆训练系统的刺激方式单一、操作不便的问题。     

重迭栅雪崩注入型MOS(SAMOS)存储器

本文提出一种新型的电编程序和可变唯读存储器。文中叙述了对于重迭栅雪崩注入型MOS场效应晶体管(SAMOS)中的电子注入、俘获和发射的研究结果,介绍了以这种新结构制成的全译码256位唯读存储器,还研究了俘获电荷的保持与漏出机构。“写”的过程指的是电子注入到浮置栅上并被俘获在上面,浮置栅埋置在栅氧化物中并完全绝缘。SAMOS晶体管的写入时间为20微秒,这个时间比FAMOS晶体管的写入时间(20毫秒)要短得多。存储内容的清除可以采用光学上的光电发射或电学上的场致发射的方法。用光学方法清除记忆时,写入和清除循环能够无限重复;采用电学方法清除时,重复次数为10次以上。俘获电荷的漏出可能是由于栅氧化物中存在的正空间电荷引起福勒-诺尔德哈姆(Fowler-Nordheim)隧道发射的缘故。浮置栅中俘获电荷的半衰期时间在150℃之下估计可达100年以上。与普通硅栅晶体管相比,制造SAMOS仅需要增加一个成本不高的工序。     

台槽刻蚀对埋栅型静电感应晶体管特性的影响

对埋栅型SIT,为切断栅极和源极（或阴极）之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进行研究;为消除栅墙外划片边界造成的各种寄生效应,在有源区的外面挖深槽,以保证栅源击穿发生在内部、实现击穿接近理论值。对先刻蚀台面还是先刻蚀槽的问题做了实验对比,结果发现先台后槽更有利于器件特性的改善。     

基于铁电材料的有机光电突触晶体管研究

模拟生物突触结构的设备是实现神经网络计算的可行方案之一,其中人工视网膜器件为机器视觉和图像识别的实现提供了有力支持。通过旋涂制备聚偏氟乙烯-三氟乙烯(P(VDF-TrFE))制备铁电栅层,热蒸发酞菁铜(CuPc)作为半导体层,探究该晶体管模拟突触功能的光电响应。实验结果表明,该光电晶体管在625 nm具有显著的光响应,其能够产生兴奋性突触后电流(EPSC)并实现短期可塑性到长期可塑性的转变以及高通滤波功能。利用剩余极化强度模拟了大脑学习过程中提前施加注意的行为。此外,以栅电压和光照作为独立输入逻辑信号,在单个晶体管中实现了“与”和“或”的布尔逻辑功能。上述结果表明,CuPc可以与铁电材料进行良好结合并制备出具有突触响应特点的光电晶体管,这为人工视网膜器件的开发提供了有机铁电器件的参考。     

全光纤迈克尔逊-萨尼克干涉仪型梳状滤波器实验研究

提出用3dB耦合器和光纤环镜制作了一种全光纤迈克尔逊-萨尼克型光学梳状滤波器，其信道间隔为50GHz。实验研究了其电调谐特性及干涉臂的扭转对其输出特性的影响。对全光纤迈克尔逊-萨尼克型梳状滤波器与马赫-曾德尔干涉仪型梳状滤波器的性能优劣进行了分析比较，其结果可以为今后该器件的制作及关键技术的解决提供参考。     

708系列防盗包箱电路

<正> 本文介绍708系列防盗包箱电路。使用该电路的防盗包箱被抢劫时,主人可以通过一个袖珍无线电遥控发射器,控制包箱发出紧急报警声或产生高压电击,迫使盗贼弃包箱而逃。在旅行途中,可对放在车船行李架上的防盗包箱用无线电发射器事先遥控设定好,箱包一旦被偷盗者翻动或偷走,就会立即自动报警或产生电击。这种防盗包箱也适合于单位财会人员去银行解款或取款时使用。当然,本文介绍的电路还可做在银行或金融机构的送款专用箱内。 708系列防盗包箱电路有708A型和708B型两种。这两种电路均有紧急报警、不许动、不许翻转和撤消报警(停止)等四种功能。708A型能发出100dB以上的报警声,708B型既能报警又能电击。     

前向波放大链发射机的可靠性

结合发射机工作的特点,重点介绍了由微波晶体管放大器-栅控行波管放大器-前向波管放大器构成的固态调制发射机的可靠性,尤其值得提出的是,在前向波放大器的可控硅调制器中,其快速保护器具有下列特殊功能即复载短路或开路时的快速保护,无高频激励的快速保护以及线型调制器人工线脉宽的快速转换。在栅控行波管放大器中的快速链锁保护装置,它不仅可保证栅控行波管的加电顺序,而且还能实现故障保护。在控保系统中采用矩阵式数字电路,大大简化了逻辑电路的设计。另外还有一个突出的特点是,在修改保护功能或增加任何数量的保护功能时,不必修改逻辑电路,这些都大大提高了放大链发射机的可靠性。     

带有P型埋层的新型双栅SOI MOSFET

本文提出一种超低比导通电阻(Ron,sp)可集成的SOI 双栅triple RESURF (reduced surface field)的n型MOSFET (DG T-RESURF)。这种MOSFET具有两个特点：平面栅和拓展槽栅构成的集成双栅结构(DG),以及位于n型漂移区中的P型埋层。首先, DG形成双导电通道并且缩短正向导电路径,降低了比导通电阻。DG结构在反向耐压时起到了纵向场板作用,提高了器件的击穿电压特性。其次, P型埋层形成triple RESURF结构 (T-RESURF),这不仅增加了漂移区的浓度,而且调节了器件的电场。这在降低了比导通电阻的同时提高了击穿电压。最后,与p-body区连接在一起的P埋层和拓展槽栅结构,可以显著降低击穿电压对P型埋层位置的敏感性。通过仿真,DG T-RESURF的击穿电压为325V,比导通电阻为8.6 mΩ?cm2,与平面栅single RESURF MOSFET(PG S-RESURF)相比,DG T-RESURF的比导通电阻下降了63.4%,击穿电压上升9.8%。     

耗尽型a-IZO TFT的模拟研究

采用Silvaco软件的Atlas对耗尽型单栅、双栅非晶铟锌氧化物薄膜晶体管SG a-IZO TFT、DG a-IZO TFT进行二维器件模拟。讨论了a-IZO层的厚度、态密度模型参数对耗尽型SG a-IZO TFT的电特性影响。研究发现,当a-IZO层厚度达到60 nm及以上时,器件的关断电流急剧上升。分析了态密度模型参数对单栅器件的电特性影响。对耗尽型SG a-IZO TFT与DG a-IZO TFT的电特性进行了比较。结果表明,DG器件在开启电压、亚阈值摆幅、开态电流等方面表现更佳。     

脑室内注射链脲佐菌素大鼠海马神经元和突触的超微结构异常

目的:观察侧脑室内重复注射小剂量链脲佐菌素(streptozocin,STZ)阿尔茨海默氏病(alzheimer disease,AD)模型大鼠的学习记忆和海马神经元的超微结构改变.方法:采用Morris水迷宫进行行为学测试;取海马CA1区组织制成超薄切片,透射电镜观察.结果:模型组大鼠Morris水迷宫平均游泳时间及平均游泳距离明显延长.海马CA1区神经元出现程度不等的退行性变.细胞核形态不规则.部分核内染色质浓集;胞浆内脂褐素颗粒增多,高尔基囊泡扩张.严重者出现早期细胞凋亡改变.神经毡内可见有髓鞘轴突胞质内脂褐素颗粒明显增多,突触结构异常,突触小泡聚集增多,分布无序.突触后膜胞质面上的致密斑不规则增厚,或断断续续不完整.结论:侧脑室内注射STZ可引起大鼠海马神经元和突触的超微结构病变,导致大鼠学习记忆能力减退.     

沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿

本文研究n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET’s)的栅氧化层的击穿特性。由于受导电沟道横向电场产生的沟道大电流的影响,MOSFET’s的栅氧化层的动态击穿场强远低于有相同栅氧化层的MOS电容器的静态击穿场强。耗尽型MOSFET’s的栅氧化层动态击穿场强主要由漏-源穿通电压决定,而增强型器件主要由深耗尽层击穿电压决定。无论是耗尽型还是增强型器件,栅电压在一定范围内增加时,栅氧化层动态击穿场强下降。