相变型光盘的高密度化技术方向

相变型光盘是出非晶态光痕和晶态间的光反射率的变化进行信号重放。由于这个特征，使相变型光盘和检出凹凸坑光反射率变化的只读光盘ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭ兼容的驱动系统成为可能。     

相变光盘的交扰抹除及对策

１　前言提高相变光盘记录密度的有效方法之一，就是在光盘的凸道（Ｌａｎｄ／平台）和凹道（Ｇｒｏｏｖｅ／凹槽）都记录信息。这种方法叫作Ｌ／Ｇ记录方式。可擦写型相变光盘ＤＶＤ－ＲＡＭ就是采用这种记录方式。传统的光盘是在基板预先刻制的凹槽上记录信息。这种凹槽叫作预刻槽或导向槽。在这种记录方式下，提高记录密度的方法之一就是缩小道距，增加道密度。Ｌ／Ｇ记录方式，不仅在四槽上，而且还在凹槽与凹槽之间的平台（或叫槽脊、凸道）上记录信息，所以也叫凸凹记录方式（图１）。Ｌ／Ｇ记录与传统的单一凹槽记录相比，道密度提高…     

相变材料超50Gb/in2近场光记录研究

通过采用近场光记录用的、应用固体浸没透镜(SIL)的光头(NA=1．5)及静电容，使光盘和SIL间的气隙保持在50nm以下。由于建立了这种控制方法，所以能够很容易地对相变记录介质进行近场光记录／读出实验。NA=1．5的光头和蓝色激光组合。可实现50Gb/in^2的记录密度。介绍了采用SIL的NA=1．5的光头和近场光记录用相变光盘，以及记录密度挑战50Gb/in^2的实验结果。     

磁光盘磁畴扩大再生技术

再生信号的急剧衰减是高密度磁光记录中不可避免的问题。作为解决这个问题的方案，提出了磁畴扩大再生技术──再生时将微小磁畴扩大，增加再生信号的幅度。例如，利用现行光头（波长680nm，物镜数值孔径NA＝0．55），对0．2μm最密记录磁畴施加同一周期的交变再生磁场，可将再生信号的振幅扩大至饱和程度，实现了磁畴扩大再生。并且，即使通常的不采用交变磁场的再生，也可实现0．2μm的最密记录磁畴的扩大再生。这样，磁畴扩大再生技术可能成为利用现行光头使磁光盘的面记录密度超过10Gbit／in2。     

磁光记录用石榴石膜中追记位的形式

作为基于光源波长短波长化的高密度磁光记录材料，发展前景看好的是添加Bi（铋）的石榴石膜。通过加大激光照射功率（高于磁光记录时的功率），可进行追记型光记录。石榴石材料晶化前的非晶质膜，用与磁光记录同等程度的激光功率即可进行追记型记录。线速度2．5m／8、位长3μm时，可获得46dB的C／N。记录机理是光吸收产生的热引起的组成或构造上的非可逆相变。利用这些现象，可制作适用于磁光记录和追记型记录这两种记录方式的记录介质，并能充分保护记录在磁光记录介质上的信息。     

可擦写型双层相变光盘高透射率记录层技术

可擦写型双层相变光盘的前记录层(激光入射面的记录层,或称前层)需要一个相变光记录层。该记录层具有高投射率的反射率反差[设结晶部的反射率为Rcry、非结晶部的反射率为Ramo,则反射率反差的定义为(Rcry-Ramo)/(Rcry+Ramo)]。从激光入射面来看,该前层的结构依次是ZnS-SiO_2层、界面层、GeTe-Sb_2Te_3相变材料层(6nm)、界面层、Ag合金反射层(10nm)。和传统的结构相比,其特点是最上层为具有稿投射率的TiO_2层(20nm)。TiO_2层与反射层之间可产生光学干涉,非晶部和结晶部可实现高投射率,分别达到54％和51％。而且,为了增大反射率反差,采用使信号极性成为Rcry>Ramo的所谓“High to Low结构”,获得了超过0.7的巨大的反射率反差(Ramo=0.7％,Rcry=5.7％)。该前层采用波长405nm、NA=0.85的光学系统,记录最短标记(记录畴)长为0.149μm的1-7PP调制信号(双层相当于50GB的密度)时,在10mW的记录功率条件下,可获得7.4的抖晃值。     

科技文摘

1．采用邻接扬光的光记录论述了基于邻接场操作光学显微镜的记录膜（GeZShiry）的相变位门F晶质叫结晶相转移）记录的原理实验,对记录的加热机构进行了研究。并对光头的高再现性制作法的确立以及适用的记录材料的开发等邻接杨光记录的课题与展望进行了叙述。JascoRep（JPN）40（2）11－13（1998）2．光盘的现状与未来以上市商品为中心,讲述了光盘记录介质的技术进步,并对作为计算机用记录介质的光盘的目前地位和今后的发展性进行了说明。也介绍了作为多媒体用可换记录介质的CD－ROM的现状,以及与其可兼容并可写的PD盘的概况,还…     

磁光记录用石榴石膜中追记位的形式

作为基于光源波长短波长化的高密度磁光记录材料,发展前景看好的是添加Bi(铋）的石榴石膜。通过加大激光照射功率（高于磁光记录时的功率）,可进行追记型光记录。石榴石材料晶化前的非晶质膜,用于磁光记录同等程度的激光功率即可进行追记型记录。线速度2．5/s、位长3μm时,可获得46dB的C／N。记录机理是光吸收产生的热引起的组成或构造上的非可塑相变。利用这些现象,可制作适用于磁光记录和追记型记录这两种记录方式的记录介质,并能充分保护记录在磁光记录介质上的信息。     

改写型光盘及其高密度存储技术

介绍了相变光盘（PD）和磁光盘（MO）的结构及其信息记录/读出原理,并叙述了磁超分辨（MSR）、磁放大磁光系统（MAMOS）、磁畴壁移动检测（DWDD）及近场光存储等高密度光盘存储技术。     

文献快递

AS－MO盘磁化方向的转移如果采用磁感应超高密度读出方法，一张磁光盘可记录６GB的信息。这种磁光盘由垂直磁化记录层、水平磁化屏蔽层和交换结合读出层构成，为三磁化层结构，用激光读出。用间断法研究了读出层（GdFeCo）和屏蔽层（GdFe）上磁化方向的转移。读出分辨率对读出层厚度敏感。通过模拟方法对盘的读出性能进行了评价，并用该结果设计试制了读出层。减薄磁层可改善盘的读出性能，在０．４５μm的道距下可实现６．８GB／in２的记录密度。记录容量相当于普通磁光盘的１．５倍。IEICETransElectron（InstElectronCommunEng…     

科技文摘

1．走向2010年的光信息记录技术介绍了光信息记录技术走向。2010年LAN服务器和WAN服务器分别需要l～100TB和10TB－IPB的信息容量，所以光存储器的信息记录密度在Zops年后和2010年后需要达到11Gb／inZ和ITb／in’。为了实现这个目标，必须采用多值多层记录，近接杨光记录和体积全息记录等革新技术。才7卜二三一X《JpN）lop（3）24－25《IN8）2．垂直磁各向导性th），：xl合金膜的磁光性质题记薄膜制作法的研究报告。该方法的本质是在热膨胀系数远小于合金薄膜的基板上沉积薄膜，继而在真空中将薄膜退火。在石英基板上制作的含Co量…     

相变光盘技术知识(一)

1相变光盘（PD）商品化的历史1．1概要硫属（硫、硒、啼）化合物材料的相变现象具有光存储效应的观点，是在1971年由S．R．价shinsk等人提出的。相变光盘是一种将原子规则排列的结晶相和不规则排列的非结晶相的相转移现象应用于可逆相变光存储的技术。最初提出的材料是GelsTe81ShiSZ。信号的读出是通过检测结晶和非结晶部反射率的变化来实现的。在此基础上，对非晶薄膜的研究广泛开展起来。1986年，寺屋等人提出了相变光盘的光调制重写功能，使相变光盘的研究进一步活跃。由于采用了Inse系快速晶化材料，使相变光盘的重写第一次成为可能…     

改写型双层光盘用快速相变材料

开发了GeSnSbTe膜。它是在传统的相变材料GeSbTe中添加Sn的新型相变材料，具有优良的快速晶化特性。该薄膜厚度即使减薄到5μm，仍可在50ns内的激光照射时间之内晶化。GeSnSbTe膜（6nm）宜用于第一记录层；GeSbTe(12nm）宜用于第二记录层。采用青紫色激光（λ=405nm，NA＝0.65）。按照容量27GB、数据记录速率33Mbps的标准，试制了双层相变光盘。每个存储层都能得到50dB以上的C／N和好于30dB以上的抹除率，此时，第一和第二记录层的记录功率分别为6mw和11mw。     

硬盘驱动器与磁阻随机存取存储器的技术动向

1前 言 　　近年来 ,在提高 HDD(硬盘驱动器 )的记录密度方面 ,取得了惊人的成绩。 1999年秋 ,美国 IBM和 Read－ Rite公司相继验证了 35 Gbit/in2和 36 Gbit/in2的面记录密度 ,表明即将接近过去人称纵向磁记录极限的 40 Gbit/in2。如图 1所示 ,记录密度正以年增长率近 100％的速度发展着。这种高增长是靠记录介质、自旋阀 (Spin－ Valve)磁头和信号处理理论的进步实现的。今后 ,这种增长趋势能否持续下去 ,人们的看法不尽一致。不过 ,以个人计算机 (PC)为主 ,大型文件存储器、大量上市的数字相机用 1英寸硬盘等市场需求量越来越大 ,…     

可录型光盘（CD—R）中染料膜层的光谱性质和光学特性

本文利用光在多层膜介质中的传播模型,计算了可录型光盘中染料媒体的光学特性。表明在适合于ＣＤ－Ｒ光盘记录的７８０ｎｍ波长处,由于多层膜中光的干涉作用,样品反射率随薄膜的厚度变化发生振荡。振荡的幅度和周期依赖于染料薄膜的复数折射率。     

磁光记录的现状与展望

磁光记录技术以磁光盘（通称MO）的形式实用化以来，已有数年的历史。130mm、90mm、64mm等三种规格的磁光盘已经商品化，其记录容量已达到初期产品的2～3倍。现在，正生产记录容量相当于初期产品4～5倍的90mm／640MB、130mm／2．6GB的磁光盘。产品的更新换代是非常快的。从用途上来看，130mm磁光盘多用于数据文件、电视图书以及医疗图像信息记录等；90mm磁光盘主要用于专用数据文件的记录。还有小型的64mm磁光盘，作为音频盘可用来录音今后，为了适应多媒体时代的需要，磁光盘的高密度化将进一步发展     

光盘摄像机

开发了业务用光盘摄像机。采用顺次Ｌ／Ｇ记录方式，在可擦写的１２０ｍｍ相变（ＰＤ）型光盘上，可记录２０分钟广播级高画质活动图像。耐震动、抗冲击的控制系统同时采用了消除干扰加速度的加速度传感器和机械减震器，在５￣４００Ｈｚ下耐震性能达到了１Ｇｒｍｓ以上。     

下一代光记录材料

1迅速发展的光数字记录介质日本记录介质工业会统计了1998年各种记录介质的预测需求量，结果示于表l。在音频介质领域，预计磁带会逐渐减少，录音用小型磁盘（MD）的增长速度迅猛，将突破1记片。在视频介质领域，估计小型DV盒式带需求量将不断扩大，而磁带则呈平稳发展状态，预计略有增加。在数据介质领域，以前的软磁盘作为软件供应用已改成Cly－ROM，而且随着HDD大容量化，ZIP等大容量磁盘和光盘等替代介质的出现，使得软磁盘大幅度下降。在欧美，利用Cft－R（追记型CD）的特点，正在政府公共文书和医疗等领域推广应用，并有可能…     

大容量可擦写双层相变光盘

开发了可擦写型大容量双层相变光盘。该光盘激光束入射面的记录层（Layer O)具有“透射率平衡构造”。这种盘结构可减少Layer O的记录／未记录状态下的投射率变化。这种功能是通过采用Ge-Sb-Te记录膜、优化设计电介质层膜厚的办法实现的。通过读出信号振幅的观察，确认这种结构可以抑制Layer O的记录状态对深层记录层（Layer 1)的影响。还确认两记录层具有良好的适用性能和记录性能，最大记录量有可能达到55GB。     

采用RE-TM材料的光记录-磁读出方式

以TbFeCo为主的稀土族-过渡金属（RE-TM）合金,能够很容易地获得很大的垂直磁各向异性,适于高密度磁记录。对采用该材料的介质,应用与HDD（硬盘驱动器）同样的磁读出方式进行读出。记录方式采用基于光照射的高温消磁型热磁记录方式。该记录方式应用于磁光盘（MO）的写入。根据磁记录膜的磁特性,靠单一的磁性膜不易同时采用这些记录方式和读出方式。通过磁性膜多层化的方法解决了这个难点。磁读出方式与磁光读出方式相比,读出分辨率有很大提高,具有实现远超磁光盘记录密度的前景。