大功率晶闸管开关的触发电路设计与研究

简述了半导体开关晶闸管的工作原理及触发条件。基于脉冲电源对大功率晶闸管的使用要求,对大功率晶闸管的触发电路进行了方案设计,重点分析了触发控制电路、光纤传输、触发信号发生电路的功能和工作过程,并在此基础上研制了一种晶闸管触发电路模块,进行了多次主回路触发放电实验,均能可靠触发,满足设计和使用要求。     

介绍一种由脉冲列触发的交流调压电路

交流调压电路在电阻－电感性负载时采用文章介绍的脉冲列触发电路以后，就能有效地消除因移相角调节不当而产生的直流磁化现象，本文简要介绍了直流磁化产生的原因，重点阐述了脉冲列触发电路的几个主要环节。     

真空触发开关导通瞬间高频脉冲电压的测量

文章介绍了一种高压真空触发开关导通瞬间高频脉冲电压的测量方法,并通过构建的测量系统测得了开关导通瞬间的脉冲电压波形;得出真空触发开关导通瞬间会产生频率为纳秒级的电压闪动的结论.     

触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响

实验测试了触发光脉冲对光电导开关响应速度的影响;建立了满足光导开关触发光脉冲参量的光生载流子速率方程,并模拟出光生载流子浓度随触发光脉冲、脉冲宽度的变化规律,分析了光脉冲对光电导开关响应速度的影响及引起输出电脉冲上升沿变化的原因.     

电力机车通用触发脉冲发生器抗干扰技术

介绍了一种用于电力机车主整流柜综合性能测试的数字式同步触发脉冲发生器，该脉冲发生器由单片机和可编程器件构成的数字式同步触发脉冲发生电路，为晶闸管提供触发信号，用于测试主整流柜综合性能；着重讨论了处于复杂、恶劣的电磁环境下保证该装置稳定可靠的软硬件抗干扰措施。实践表明，所采取的措施取得了很好的效果。     

半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究

RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压，并研完了该电压与器件结构参数之间的关系，给出了降低器件功耗的方法。     

高功率脉冲变压器设计

简要介绍了高功率脉冲变压器,讨论了国内外该领域相关研究现状,总结了高功率脉冲变压器设计中减小上升时间及顶降,展宽输出脉宽,提高耐压性能及能量效率的方法和闭路磁芯的应用.为了使高功率脉冲变压器具有高能量传输效率,且输出波形上升时间短,脉冲宽度宽,本文采用具有高磁导率和高饱和磁感应强度值的磁性材料制造的闭路磁芯,并在变压器...     

平面高压脉冲变压器的设计

介绍了一种小型新颖的叠片式高压脉冲变压器。采用PCB工艺制作变压器绕组，使绕组和磁芯结合紧密。这种变压器具有体积小、重量轻、低漏感以及交流电阻小的特性，为小型化平面化高压变压器设计提供了技术和经验。     

大脉宽单稳态触发器的设计

提出了一种不用大电容实现大脉宽单稳态触发器的电路，并重点对其电压特性和温度特性进行了分析。     

新型IGBT驱动脉冲变压器电路设计

提出了新型IGBT驱动脉冲变压器隔离传输电路。脉冲变压器原边隔直电容把PWM变换成正负窄脉冲信号,副边RS触发器对窄脉冲进行还原。在PSPICE软件中对电路进行了仿真并做了相关实验,仿真和实验结果验证了新型电路在解决大功率IGBT驱动信号传输中占空比受限等问题的有效性,并在成本、体积等方面有一定的优势。     

一种用于CAN总线的脉冲变压器设计

文中主要介绍了在CAN总线节点与物理传输线之间隔离用1 MHz脉冲变压器的设计过程,测试了规定技术指标参数。测试结果表明该脉冲变压器的主要性能满足CAN总线1 Mbit/s的传输要求。     

用于10kV IGBT固体开关的脉冲变压器设计

为了设计IGBT固体开关的脉冲变压器，需要解决输出一致性和绝缘问题。通过选取具有优异高频性能的磁芯、均匀绕组和相同外电路来实现输出一致性；采用Ansoft Maxwell 3D来模拟了脉冲变压器电势电场分布，然后根据模拟结果采取相应的绝缘措施。实验结果表明：脉冲变压器的输出一致性很好，也没有电压击穿现象，由此说明脉冲变压器设计基本满足IGBT固体开关需要。     

Design and Simulation of the Thin Film Pulse Transformer

A new thin film pulse transformer for using in ISND and ADSL systems has been designed based on a domain wall pinning model, the parameters of nano-magnetic thin film such as permeability and coercivity can be calculated. The main properties of the thin film transformer including the size,parallel inductance, Q value and turn ratio have been simulated and optimized. Simulation results show that the thin film transformer can be fairly operated in a frequency range of O.OO l-2O MHz.     

CMOS图像传感器中RSD A/D转换器的设计与实现

提出了CMOS图像传感器中RSD A/D转换器的设计方法.基于冗余符号数(RSD)算法,RSD A/D转换器降低了对比较器的性能要求.并且全差分的模拟信号处理用以改进抗噪声度,信噪比和系统的动态范围.RSD A/D转换器是基于90 nm CMOS工艺实现的,测试结果表明它的微分非线性误差(DNL)为±1 LSB,积分非线性误差(INL)为±1.5 LSB,总的未调整误差(TUE)为-3 LSB～1 LSB,功耗约为20 mW.     

大功率LED多芯片模块水冷散热设计

针对车用大功率LED照明灯,提出了水冷热沉散热设计.比较了水冷热沉内部串联方式、伪串联方式、并联方式和伪并联方式四种水道的对应LED结温与水泵功率.研究了采用并联方式时LED结温与各条分水道流速的相对标注偏差值(简称RSD值)之间的关系和降低RSD值的方法.计算了经优化设计后的水冷散热系统各个环节的热阻,并与热管自然对流散热进行了比较.     

400 kV高压脉冲变压器设计与仿真

400 kV高压脉冲变压器波形仿真利用了脉冲变压器工作模型,文中给出了分布参数的估算和主要参数的计算方法。为了满足脉冲变压器的波形要求和耐压需要,减少分布参数对其影响,对铁芯结构和均压环进行了优化设计。根据调整后的参数,利用Spice软件,对脉冲变压器进行了波形仿真,结果表明,仿真波形的主要参数和计算结果一致,可满足指标要求。     

脉冲功率电路参数对RSD开关预充时间的影响研究

文章介绍了高功率半导体脉冲功率开关-反向开关晶体管（Reversely Switched Dynistor,RSD）的工作原理,分析了RSD脉冲功率电路的特性。由磁开关的电压电流,得到了磁开关的动态电感与电流的量化曲线,在MATLAB仿真平台,分别建立了磁开关动态电感模型、RSD脉冲功率电路模型。计算了主回路元件参数对RSD开关的预充时间TR的影响。计算结果表明,主回路电阻负载在0.01～1Ω变化时,TR变化很小,主回路电感和1Ω以上的主回路电阻对TR影响较明显,计算结果与实验结果最大误差为5%,表明通过低压试验结果的计算,可较准确地预测高压试验的TR。