电真空器件用陶瓷二次金属化镀镍层起泡现象的研究

陶瓷二次金属化镍层烧结后起泡是影响产品质量和合格率的一个主要因素,本文针对陶瓷的一次金属化和二次金属化工艺,经XPS、XRF、SEM等方法分析,得出:陶瓷的二次金属化起泡与其沉积层的基材和沉积层的厚度有关,陶瓷一次金属化烧结后钼的特殊形貌--钼颗粒较大、颗粒之间结合疏松和钼的电化学特性,决定钼上的沉积层厚度必须在合适范围内--4～9μm,才能减小沉积层中的应力,保证烧结后镍层与钼有良好的结合力.     

陶瓷二次金属化镀镍层厚度的无损检测

本文分析了陶瓷-金属封接中二次金属化镀层厚度对陶瓷-金属封接质量的影响，提出采用X射线荧光光谱法（XRF）对二次金属化镀层厚度进行无损检测，分析了二次金属化镀层成分与含量，对二次金属化镀层的底材进行SEM分析，进行了检测用标准片的设计和标定，建立了XRF无损检测厚度方法的应用程序和校准方法。研究结果表明：采用X射线荧光光谱法，对二次金属化镀层厚度进行无损检测是可行的和可靠的；在试验的范围内（2．48-10．5μm），测量误差小于2％，RSD（相对标准偏差）小于2％。     

金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究

研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响,初步分析了其影响原因与机理.结果表明:掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高,1300℃是其最佳金属化温度,温度降低和升高都会导致封接性能降低.在最佳温度,金属化层烧结致密,金属化层与陶瓷间形成了主要由锰尖晶石(MnO·Al2O3)和少量硅氧化物构成的过渡层结构,从而将金属化层与陶瓷有效地连接在一起.温度升高使金属化层过度收缩会形成大量孔洞,元素氧化加剧,不利于过渡层的形成,导致封接性能大大降低.     

端面金属化陶瓷真空管的制备方法与发展方向

介绍了陶瓷真空管的主要用途,重点对实现陶瓷真空管端面金属化的真空离子镀、真空蒸镀、磁控溅射、烧结被金属、烧结金属粉末以及均匀沉淀、电镀、化学镀等制备方法进行了综述,提出了光催化化学镀实现陶瓷真空管端面金属化的制备新方法,并对端面金属化陶瓷真空管的发展方向进行了思考。     

利用熔盐热析出反应法对AlN陶瓷表面金属化研究

研究了利用熔盐热析出反应法对AlN陶瓷的表面金属化. Ti金属化涂层呈现TiO/TiO_1-x/TiN层状结构,在涂层与AlN陶瓷结合处,存在TiN和AlN的梯度复合结构.研究表明,金属化处理显著改善了AlN陶瓷表面与金属Al的润湿性能,在1000℃下,润湿角从114.4°降至49.7°.     

Al2 O3 陶瓷表面金属化

为了提高陶瓷与金属覆盖层的结合强度,较系统地研究了Al2O3(96%)陶瓷表面金属化过程,研究内容包括:陶瓷的表面刻蚀、表面催化、化学沉积条件等,综合分析了金属化层与陶瓷基体之间结合强度的影响因素,研究发现在熔融的NaOH浴中,可获得最佳刻蚀表面形貌,Al2O3(96%)陶瓷基片上化学镀层的最佳结合强度为25.0～32.5 MPa.为开发性应用提供了建设性的意见.     

电真空陶瓷表面斑点新探

应用SEM微区分析和小束XRD扫描，对95％氧化铝电真空陶瓷金属化后的表面斑点等异常现象进行剖析。确认了表面黑点是由变价金属离子形成的；花斑的形貌并无异常，而其物相结构与正常陶瓷相比，缺乏硅酸铝钙相，且有少量新相生成；透光性差的陶瓷有明显的异相形成。此外，还证实了陶瓷表面的晶化现象。     

镍硼镀层对陶瓷与金属联接的影响

采用自催化镀方法对Ａｌ２Ｏ３陶瓷表面进行３Ｎｉ－Ｂ镀层金属化处理，然后，把金属化的Ａｌ２Ｏ３分别和Ｎｉ，Ｆｅ－Ｎｉ合金组成偶对，进行了固相压力扩散焊，并通过组织分分析对界面区的固相反应进行研究。结果表明，经特殊预处理的９９％Ａｌ２Ｏ３陶瓷，其表面镀层Ｎｉ－Ｂ型基体的结合强度可达２５０ＭＰａ以上，镀层呈非晶态，而热处理可完全晶体化。Ｎｉ－Ｂ／Ｎｉ（Ｆｅ－Ｎｉ）对。界面消失，成分完全均匀；Ａｌ２Ｏ３／     

Mo含量对Mo-Mn法陶瓷金属化层性能的影响

采用丝网印刷法在氧化铝陶瓷表面制备了活性Mo-Mn金属化层,研究了Mo含量对烧结后金属化层的微观结构、元素成分以及钎焊后抗拉强度的影响。研究结果表明,Mo-Mn法陶瓷金属化层以Mo为骨架结构,玻璃相填充于骨架结构内部,随着膏剂中Mo含量的增加,烧结后的金属化层中Mo骨架与玻璃相成分并无较大变化,而Mo骨架体积占比增加,玻璃相体积占比相应减少。烧结过程中陶瓷和金属化层二者玻璃相之间相互迁移,陶瓷玻璃相向金属化层中迁移深度可达20μm以上,玻璃相中Si元素在金属化层表面存在一定程度的偏析现象。50wt%、70wt%和85wt% Mo含量膏剂制备的金属化层平均抗拉强度分别为110 MPa、120 MPa和111 MPa,表明Mo含量为70wt%时封接性能最佳。     

表面金属化对多孔硅光特性的影响(英文)

在室温下使用过滤阴极真空电弧系统在多孔硅表面沉积大约10纳米左右厚度的铜、铝和钛薄膜,并且在真空下800度退火10分钟.多孔硅层是通过电化学腐蚀硅制得.X射线光电子谱、荧光谱,光吸收谱和X射线衍射谱的研究表明退火后,沉积铜和钛的样品出现明显的光吸收红移和硅2p电子能级移动.这是由于在多孔硅表面形成铜和钛的硅化物而引起的晶体场和电子传输变化所造成的.     

金刚石微粉电镀镍品质影响因素研究

金刚石微粉在镀液中易漂浮导致电镀镍困难,为获得金刚石微粉电镀镍工艺,本文研究了镀瓶转速和电镀电流对金刚石微粉电镀镍品质的影响。通过对金刚石微粉颗粒在不同镀瓶转速时运动状态进行理论分析,得到了镀瓶转速调节方法,并通过实验确定了不同电镀电流时镀瓶转速的调节范围。采用单因素实验,研究了电镀电流对镀层增重率、形貌和密度的影响。结果表明:镀瓶转速在1～7 r/min范围内,从小到大逐步提高,同时电镀电流不超过3.0 A条件下,能够实现金刚石微粉电镀镍。电镀电流在0.5 A时镀层失重,出现明显退镀现象,在1.0 A时镀层有少部分漏镀现象,在1.5～2.5 A时镀层包裹完整,基本无漏镀;电镀电流在1.0～2.5 A范围时,随着电镀电流增大,镀层增重率逐渐增大,镀层密度逐渐减小。采用低转速低电流、逐步提高镀瓶转速的方法对金刚石微粉进行电镀镍,镀瓶转速在1～7 r/min,电镀电流在1.5～2.5 A时金刚石微粉电镀镍品质较好。     

激光粒度测试结果影响因素分析

针对目前市面上激光粒度仪品牌、型号众多,但激光粒度测试结果差异较大的现象,以清华大学研制的球形石英粉标准样品为测试样品,使用不同厂家的激光粒度仪,通过激光散射法,对比不同复折射率下的检测结果,探究激光粒度测试结果的影响因素。研究发现,针对同种样品、不同厂家的激光粒度仪检测结果偏差较大。折射率与吸收率对粒度检测结果有较大影响,折射率的影响比吸收率的影响大,但随着吸收率增大可以逐渐抵消折射率的变化给粒度检测结果带来的波动,使检测结果趋于稳定。通过寻找拟合残差与粒度检测结果之间的变化规律,发现残差值越小,理论散射光强与实际检测光强的偏差越小,检测结果越趋于一个较稳定的值,但对比发现目前激光粒度测试用户根据残差值判断待测样品折射率的方法并没有可靠的依据。通过比较不同样品的最小残差值,发现同种样品的不同粒度区间对应的折射率与吸收率不同,从而证明粒度检测行业内以每种物质固定的折射率和吸收率来进行粒度测试的方法缺乏实际依据。     

热固性树脂基复合材料固化变形影响因素分析

采用整体-子模块化方法建立了描述复合材料固化全过程的三维有限元模型。以L 形层合板为例,分析了固化工艺、结构设计和模具等因素对固化变形的影响方式和程度。数值模拟结果表明：升温速率和对流换热系数通过改变峰值温度影响回弹角,固化压力通过改变树脂分布和含量影响回弹角;铺层方向引起的结构力学性能的变化是回弹角差异较大的主要原因,厚度对固化变形的影响需考虑其对峰值温度和结构刚度变化两方面因素的综合影响,拐角半径的变化对固化变形的影响较小;模具形式通过改变树脂分布梯度和模具对结构的作用力位置影响回弹角,模具材料和形式的选择对于固化变形控制具有重要意义。     

影响污水源热泵系统能效比(cop)的因素分析

城市污水作为一种理想的低品位热源,具有水量和水温稳定的特点,污水源热泵技术直接或间接利用城市污水中的能量进行冬季供暖、夏季供冷。本文介绍了北方4个采用污水源热泵系统的工程案例,对影响热泵系统COP差别的3个关键因素进行分析,为污水源热泵系统的设计提供参考。     

Effect of nitrogen content on the degradation mechanisms of thin Ta–Si–N diffusion barriers for Cu metallization

The effect of the nitrogen content on the thermal stability and degradation mechanisms of Ta–Si–N diffusion barriers was studied using methods that prove Cu interdiffusion. On the one hand, glancing angle X-ray diffraction was applied to detect Cu₃Si formation after annealing of Cu/Ta–Si–N/Si layer stacks. On the other hand, a combined secondary ion mass spectroscopy and transmission electron microscopy analysis of Ta–Si–N/Cu/Ta–Si–N/SiO₂/Si samples was performed. For a detailed investigation of the microstructure evolution, the crystallization behavior of both Cu-capped and uncapped Ta–Si–N/Si samples was analyzed using X-ray diffraction. In the case of an uncapped Ta₇₃Si₂₇ film, Si interdiffusion from the substrate precedes the layer crystallization. The substrate influence on the crystallization process decreases with increasing N content x_N of the Ta–Si–N layer. Using Cu/Ta–Si–N/Si samples, a critical temperature for Cu silicide formation was determined. This temperature increases with increasing N content of the Ta–Si–N barrier. In the case of Ta–Si–N films with x_N > 25 at.%, Cu interdiffusion into the substrate occurs before a significant barrier crystallization is observed. For Ta–Si–N layers with x_N ≤ 25 at.%, no indications for Cu diffusion before crystalline phase formation were detected.     

Soble-Zernike矩亚像素边缘算子的影响因素分析

针对影响Sobel-Zernike矩算子运行速度、定位精度的有关因素进行了讨论。采用平均一自适应联合的平滑算法,显著改善了边缘定位精度,其实质在于消噪和锐化边缘。推导出边缘点新、旧判据amp和k间的关系式,在,取值较小时,k／amp恒等于1．5,可见amp对检测精度的影响可以忽略。分析结果表明,当图像中边缘点比率为87．75％时,Sobel-Zernike矩和Zernike矩算子的运行时间相等,由于实际图像中边缘点所占比率不会超过50％,故前者的运行时间总是小于后者。     

定速房间空调器SEER影响因素分析

对AHRI Standard 210/240-2017中关于定速房间空调器季节能效比(SEER)的测试方法及计算方法进行分析,并对一台北美市场的额定制冷量为16.5 kW的定速空气源热泵型房间空调器进行测试,分析机组过冷度、室内机风量、衰减系数(CD)对机组SEER的影响。结果表明:机组过冷度对SEER有明显的影响,存在最佳过冷度使SEER达到最大;室内机风量的增大,在一定范围内可以增强室内侧换热器的换热能力,提升机组制冷量,但风量继续增大,机组制冷量提升有限,SEER会因室内机风机功耗增大而降低;降低CD是提升SEER的最直接、最经济的方法之一。