楔型发射体真空微电子三级管的计算机模拟

本文利用广泛使用的ＰＩＣ粒子模拟软件ＭＡＧＩＣ模拟了楔型场致发射真空微电子三极管的一个单元的特性，该单元由一个楔型场致发射体，栅极和阳极组成。研究了栅极电压，阳极电压和发射体顶点半径等对发射电流的影响。给出了一个典型的楔型场致发射真空微电子三极管，当其阳极电压为５００Ｖ，阳极与阴极相距４μｍ时的电子轨迹图。模拟结果表明场致发射的栅极开启电压为２５０Ｖ。并得到了三极管高频工作时动力学特性。     

场致发射与真空微电子

简要介绍场致发射与真空微电子的一般情况,尔后着重介绍应用真空微电子原理制作的场发射平板显示器(FED)。     

真空微电子平板显示器工艺研究

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱的制作和平板透明真空封装。     

真空微电子三极管静电场电容的计算机数值模拟

以静电基本原理、场致发射原来为基础，用有限元法在求得圆锥形、楔形阴极真空微电子三极管内静电场各点场强的前提下，考虑以往计算中忽略的各电极之间、栅极厚度对器件电容的影响进行极间电容的计算。通过计算多导体系统电荷密度较为精确地求得了圆锥形、楔形阴极真空微电子三极管的极间电容，讨论了器件各几何参数与电容的关系，对器件的优化设计与高频应用具有指导作用。模拟结果与巳报道的实验结果符合较好。     

楔形阴极的真空微电子三极管的计算机模拟

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析．通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案.     

真空微电子器件应用研究

本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析。     

真空微二级管发射特性的解析解

通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系。     

真空微电子器件应用研究

本文叙述了场致发射的机理及几种不同类型场致发射阴极的特点,并对场致发射技术在真空微电子器件方面的应用进行了分析.     

真空微电子管特性的计算机模拟

真空微电子管特性的计算机模拟刘杰明，李志能，陈秀峰，李翔（浙江大学信息与电子工程学系）关键词：真空微电子，有限元近十年来，真空微电子学迅速崛起，而以其为基础的真空微电子管研究亦引起广泛地关注，这主要由于，半导体中电子的极限速度为２～３×１０￣７ｃｍ／...     

楔形阴极的真空微电子三级管的计算机模拟

本文对楔形阴极的真空微电子三极管进行了计算机模拟，实现了真空微电子器件的性能分析。通过对模拟结果的分析，总结了楔形阴极的真空微电子三极管的性能，计算了有关参数并提出优化设计方案。     

真空微电子加速度传感器结构的有限元分析

论述了真空微电子加速度传感器的结构及工作原理 ,应用有限元方法对加速度传感器进行了静力学和动力学分析 ,拟合出悬臂梁的长宽厚与质量块最大位移量的关系曲线和谐振频率的关系曲线以及质量块受迫振动的谐响应曲线。这些分析为此类加速度传感器的设计提供了理论依据     

真空微电子加速度传感器结构的有限元分析

论述了真空微电子加速度传感器的结构及工作原理,应用有限元方法对加速度传感器进行了静力学和动力学分析,拟合出悬臂梁的长宽厚与质量块最大位移量的关系曲线和谐振频率的关系曲线以及质量块受迫振动的谐响应曲线.这些分析为此类加速度传感器的设计提供了理论依据.     

真空微电子器件发射稳定性和可靠性概述

解决真空微电子器件的稳定性和寿命问题，可以扩大场臻发射器的应用范围。本文概述了影响真空微电子场致发射阴极阵列发射稳定性的几个因素，认为阴极材料和功函数是决定真空微电子器件发射稳定性的主要因素。最后提出了解决发射稳定的几个建议。     

场致发射与真空微电子学

本文系统地分析了场致发射的基本理论及其修正,介绍了罗恩泽教授提出的恩泽公式同时,概述了微型真空管的结构、工艺和我们近期的工作.     

真空微电子器件阴极发射材料的选择

本文讨论了真空微电子器件阴极发射材料的选择,提出材料元素的第一电离能是影响阴极发射性能的重要因素.     

真空微电子加速度传感器结构的有限元分析

论述了真空微电子加速度传感器的结构及工作原理,应用有限元方法对加速度传感器进行了静力学和动力学分析,拟合出悬臂梁的长宽厚与质量块最大位移量的关系曲线和谐振频率的关系曲线以及质量块受迫振动的谐响应曲线。这些分析为此类加速度传感器的设计提供了理论依据。     

真空微二极管发射特性的解析解

通过保角变换方法，对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究，求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式，进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系．     

真空微电子学中的场致发射阴极制备

近年来,随着微机械加工技术的不断发展,人们对小功率的场致发射阴极的研究日趋活跃,本文介绍了近年来国内外对场致发射阴极的制备,电学特性及应用方面的研究进展情况,并说明该技术的发展必将取得更广泛的应用.     

平面型纳米真空三极管的计算机模拟

平面纳米真空三极管只需要平面工艺,与现有的微电子工艺兼容,与基于经典Spindt阴极的真空微电子三极管相比,具有工艺相对简单等特点,同样具备纳米真空电子器件抗辐射、温度稳定性好等优点。本文采用粒子模拟方法对平面型纳米真空三极管的场发射特性进行了计算机模拟研究,模拟中考虑了空间电荷的影响。典型器件的模拟结果表明,平面型纳米真空三极管具有信号响应速度快,工作电压较低等优点。研究了该三极管结构中的尖端曲率半径、尖端相对高度、栅极电压和阳极电压对场发射特性的影响,有助于设计和优化该类器件结构。这种平面型纳米真空三极管可望成为真空集成电路的基础器件,并在卫星等航空航天领域等需要抗辐射领域获得应用。