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<正> 近年来,有一些工作研究用椭偏光法测定离子注入硅.这些都是在单一波长下进行测量的.但是,离子注入损伤只在样品表面一薄层内,即使均匀光吸收介质层(相当于高注入剂量情况),也有折射率n、消光系数k和层厚d待求.莫党等近来发展了一种测定离子注入硅的椭偏光谱法,测定各波长的椭偏参数,然后用分区法对均匀吸收介质层模型进行计算,不必用剖层法配合,可求出d和光学常数的色散关系.在此基础上 相似文献
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测量离子注入硅片对强连续CO_2激光的透射率和反射率随辐照时间的变化,发现硅有极强的能量吸收。这一现象可定性地用自由载流子吸收来解释。 相似文献
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本文综合概述了非相干光退火的历史,国内外现状,以及在电子工业中的应用前景。将非相干光退火与热退火、射束退火作了比较,表明非相干光退火在很多方面兼有二者的优点,弥补了二者不足之处。 相似文献
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叙述了我们用一台连续可调(500~2000W)CO_2激光器对金属材料表面实现激光包覆和激光合金化的一些研究工作。 (一)激光包覆 将钴基和镍基合金粉末分别涂敷在60钢和纯铁的表面上进行激光包覆处理,控制激光器的能量和扫描速度,使包覆合金粉末熔化后自由散布在工件的表面上,并使基底材料表面薄层熔化与包覆合金形成金相结合。从显微组织结构照片可看出包覆层与基底熔接良好,显微组织在包层厚度范围内一致,合金层的硬度均大于1000Hv,包层的化学组成在包层厚度范围内保持一致不变,而基底材料对包层的稀释度小于5%。 相似文献
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CO_2激光诱导金属沉积机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用低功率CO2激光,从水性溶液中诱导沉积金属Ag,存在物理化学过程。电子探针分析表明,激光束作用下的金属颗粒在基材表面进行纵向沉积和横向沉积。结果表明,溶液中的Ag 在激光作用下,发生氧化还原反应生成Ag;基材表面在激光作用下产生“熔融”现象,金属颗粒在其表面的沉积存在一个熔融和渗透的过程,金属颗粒向基材内部渗透并在表面堆积的同时,也在表面横向渗透沉积。 相似文献
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本文叙述一种鉴别CO_2激光束横模结构的简单方法及测量装置.我们用这种装置对放电长500毫米、管径7毫米的CO_2激光管作了实验研究.研究了放电电流、He的分压比、总气压对输出激光模式的影响,并作了初步分析. 相似文献
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本文研究了在CO_2激光照射下,以 SF_6为光敏化剂时甲烷的热解反应。研究了激光光强和聚焦以及甲烷和敏化剂分压强的改变对热解的影响。 相似文献
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本文论述一项迄今未见文献报道的试验。作者将能量在20KeV以下的电子束退火试用于非离子注入的硅低频大功率晶体管和高频小功率晶体管,发现这种低能电子束辐照在某种条件下可以大幅度地降低晶体管的电流放大系数,而在另一种条件下又可以提高晶体管的电流放大系数。不但对浅结晶体管,而且对深结晶体管都有这种效应。研究了放大系数的变化与电子束辐照各工作参数的关系。实验证明:电子束流下降的速率对放大系数降低的幅度有显著的影响。电子束辐照引起电流放大系数下降的同时晶体管的击穿电压BV_(ebo)和BV_(cbo)并不降低,BV_(ceo)还有所提高。在晶体管制造工序中加入电子束辐照,降低了大功率晶体管“云雾”击穿的发生率,提高了产品的合格率。 相似文献
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用金属蒸发真空弧离子源注入机将 Y离子注入硅 ,制备出特性良好的硅化物。用掠角沟道技术和透射电子显微镜分析了这种硅化物的结构。用束流密度为 2 5μA/ cm2的 Y注入硅可形成三层结构的硅化钇。硅化钇层的厚度大约为 60— 80 nm.其缺陷密度 Nd 和薄层电阻 Rs随束流密度的增加而下降。快速退火后 ,Nd和 Rs都明显下降。Rs从 54Ω/□下降到 1 4Ω/□。最小电阻率为 84μΩ·cm.这说明快速退火可以改善硅化钇的电特性。X射线衍射分析表明 YSi和 YSi2 硅化物已经形成。掠角沟道技术有益于研究薄层硅化物的原子深度分布和晶格缺陷密度分布 相似文献
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研究了快速热退火时离子注入硅中磷的扩散。我们依靠注入的剂量发现了两种截然不同的扩散行为。低剂量(1×10~(14)cm~(-2))P~+注入硅发现有一个剖面再分布,该再分布在900℃温度下退火10秒钟即可观察到,但在800~1150℃温度范围与温度无关。这个初给再分布比起通常的扩散系数数质所预计的要快得多。高剂量(2×10~(15)cm~(-2))P~+注入硅经短时(10秒)退火后掺杂剂分布的变宽现象与温度有密切关系,其实验分布与浓度增强扩散分布是一致的。 相似文献
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用金属蒸发真空弧离子源注入机将Y离子注入硅,制备出特性良好的硅化物.用掠角沟道技术和透射电子显微镜分析了这种硅化物的结构.用束流密度为25μA/cm2的Y注入硅可形成三层结构的硅化钇.硅化钇层的厚度大约为60-80nm.其缺陷密度Nd和薄层电阻Rs随束流密度的增加而下降.快速退火后,Nd和Rs都明显下降.Rs从54Ω/□下降到14Ω/□.最小电阻率为84μΩ·cm.这说明快速退火可以改善硅化钇的电特性.X射线衍射分析表明YSi和YSi2硅化物已经形成.掠角沟道技术有益于研究薄层硅化物的原子深度分布和品格缺陷密度分布. 相似文献