半模基片集成波导平衡混频器的设计实现

利用半模基片集成波导3 dB电桥设计了一种X波段单平衡混频器,并用印刷电路板工艺实现。首先设计并测试了半模基片集成波导电桥的性能,并给出测试结果。然后将半模基片集成波导电桥用于单平衡混频器的设计,并给出混频器的具体电路形式。该混频器具有良好的性能,与原有的基片集成波导电桥混频器相比体积更小、重量更轻。经测量混频器变频损耗小于8.6 dB,并在9 GHz～12 GHz频带内获得了比较好的响应平坦度。     

3mm波段四次谐波混频器阵的研究

采用微带结构研制出3毫米波段8路四次谐波混频器阵。该混频器核心器件采用型号为MS8251的GaAs梁式引线肖特基势垒二极管对。设计了一种便于组阵结构的四次谐波混频器,把混频器分解为反向二极管对模块和双工器模块。反向二极管对模块和双工器模块电路分别设计和安装在厚度为0.127mm和0.254mm的RT/Duriod 5880基片上。实测混频器的最低变频损耗为17dB。     

0.1 THz鳍线单平衡式基波混频电路研究

研究了一种基于石英基片的0.1 THz频段的鳍线单平衡混频电路,混频电路的射频和本振信号分别从WR10标准波导端口通过波导单面鳍线微带过渡和波导微带探针过渡输入,中频信号通过本振中频双工器输出。这是一种新型的混频电路形式,与传统的W波段混频器相比,混频电路可以省略一个复杂的W波段滤波器,具有电路设计简单、安装方便的特点。该电路使用两只肖特基二极管通过倒装焊工艺粘结在厚度为75 m的石英基片上,石英基片相对传统基板,可以极大提高电路加工精度。在固定50 MHz中频信号时,射频90~110 GHz范围内,0.1 THz混频器单边带变频损耗小于9 dB。     

基于石英基片的二毫米波段二次谐波混频器设计和研制

介绍了一种基于石英基片的2mm波段二次谐波混频器.阐述了谐波混频器的基本原理,建立了混频二极管对结构的高频模型,并用全波分析软件对整个电路进行了仿真优化.实测得到射频信号在116～120GHz范围内,当本振频率为59GHz、功率为7～14dBm时,最低变频损耗为17dB,最高变频损耗为20dB.混频器的P1dB为1dB...     

一种Ka波段混合集成的单平衡混频器

本文介绍了一种由正交E面折叠魔T与鳍线混合集成的Ka波段单平衡混频器的研制概况,混频器使用国产W121封装的带状引线混频二极管。介质基片采用国产的仿RT-Duroid5880,经测试该混频器的最小单边带噪声为5.7dB(不包括前中噪声),射频与本振的隔离度均优于20dB,整体尺寸为32×19×14(mm)。     

基于反向并联二极管对的D波段次谐波混频器

设计并制作了一个D波段次谐波混频器。该混频器使用VDI公司反向并联肖特基二极管对,安装在50μm厚的石英基片悬置微带上。通过HFSS和ADS的联合设计仿真,混频器在射频频率141~158GHz频段内变频损耗低于10dB,在149 GHz处获得最佳变频损耗7.8dB。最后加工了实物并进行了测试,结果显示,在138~155GHz范围内,变频损耗基本小于20dB,带内最低损耗在10dB左右。该混频器具有结构简单,容易制造,变频损耗低等优点。     

一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计

本文介绍了一种U 波段鳍线单平衡混频器的设计过程并给出了测试结果。混频器使用M/A-COM 公司的肖特基势垒二极管MA4E2037,整个电路制作在一块厚度为0.127mm 的RT-Duroid 5880 软基片上。射频端口采用鳍线过渡,本振端口通过波导-微带探针过渡,中频通过SMA 接头输出。测试结果显示,鳍线悬置微带线结构的混频器在本振为42 GHz, 射频在40～60GHz 范围内变化时,其变频损耗小于8.71 dB,本振到射频的隔离度大于25dB。     

基于新型宽带半模SIW巴伦的双平衡混频器

利用新型宽带半模基片集成波导(SIW)巴伦,设计制作了一个X波段双平衡混频器.利用SIW上下导带电流相位相差180°的原理,经优化设计使该巴伦具有体积小、带宽大、平衡性好等特点.测试结果表明,该双平衡混频器在8.7～9.7GHz的频率范围内变频损耗小于9dB,最小可达7.3dB;噪声系数小于10dB,实物面积为60mm×68mm.     

基于肖特基二极管的450 GHz二次谐波混频器

为了在亚毫米波波段进行遥感探测,研制了450GHz的二次谐波混频器.混频器的核心部件是一对反向并联的肖特基二极管,长度为74μm,截止频率高达8THz.在石英基片上搭建悬置微带的匹配电路,并采用一分为二的金属腔体.在二极管的仿真中获得二极管管芯的输入阻抗,然后考虑二极管的封装、匹配电路,仿真得到混频器的单边带变频损耗为8.0dB,所需本振功率为4mW.测试表明,本混频器的单边带变频损耗的最佳值为14.0dB,433~451GHz之间的损耗小于17.0dB,3dB带宽为18GHz,所需的本振功率为5mW.     

W 波段单平衡混频器的设计

本文设计并制作了一种微带形式W 波段单平衡混频器。该混频器采用微带环形电桥结构,射频和本振信号分别从环形电桥的隔离端口由标准波导BJ-900 输入,经对脊鳍线微带波导过渡输入到微带电路,中频信号通过跳线方式连接并通过一段高阻抗线引出到输出口。该电路使用两只DMK2790 肖特基二极管制作在介电常数为2.2,厚度为0.127mm 的RT/Duriod5880 基片上,在固定本振94.5GHz,射频90GHz 到98GHz 范围内,变频损耗小于14.5dB。     

基于肖特基二极管改进模型的W波段宽带八次谐波混频器

在对肖特基二极管电磁模型和电路模型精确建模的基础上,设计并制作了W波段宽带八次谐波混频器.通过对肖特基二极管物理结构的分析,建立了其精确的三维电磁仿真模型和直到180 GHz的改进的宽带等效电路模型.针对W波段八次谐波混频器混频产物能量分布特点和工作带宽要求,设计了宽带射频和本振匹配网络,使混频器的工作带宽能覆盖整个W波段.测试结果显示,射频信号在75~110 GHz频率范围内,W波段八次谐波混频器最大变频损耗28 d B,最小变频损耗18 d B.     

用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片

<正>南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0.18 nm SOI CMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片,包括1~1.7 GHz有源下混频器、0.7~4 GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器,芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器,混频器以及中频放大器;X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T/R组件的关键问题。     

频率为20—40GHZ的谐波混频器

本文描述一宽带谐波混频器的设计和性能。该电路采用单个砷化镓肖特基势垒二极管并制作在微带线基片上。     

基于反向平行二极管对管的高性能W波段谐波混频器

文章采用砷化镓反向平行二极管对管,提出了一款W波段高性能谐波混频器。二极管对管是由实验室砷化镓工艺线制作而成,并且二极管对管的模型显示具有极高的截止频率和低的串联电阻特性,所以适用于W波段。基于此二极管对管,设计、制作并测试了石英衬底上的W波段谐波混频器。结果显示在80到100GHz的频率范围内,谐波混频器的变频损耗为9.2到12dB,并且所需要的本振功率仅为6dBm,能够很好地减少对本振源的需求。     

一种基于GaAs肖特基二极管W波段混频器芯片设计

对基于GaAs肖特基二极管的W波段单平衡混频器进行了研究,包括肖特基二极管特性等效电路拟合、曲线测试、参数提取、模型建立。基于单平衡混频器隔离度和杂散抑制的机理,研究了W波段巴伦的设计。基于GaAspHEMT工艺,结合W波段电路设计方法,研发了一款射频频率覆盖90～98 GHz,中频频率覆盖1～9 GHz,本振频率覆盖86～98 GHz,本振功率为11 dBm的无源单平衡混频器。芯片通过探针台在片测试,在W波段内有较好的性能,其中变频损耗小于10 dB,本振射频隔离度在92～96 GHz内大于35 dB。     

X波段集成镜像抑制混频器

文章利用CAD技术研制了X波段集成镜像抑制混频器.混频器工作频率10-11GH_z,中频频率60MH_z,噪声系数≤7.5dB(包括前中1.5dB噪声),镜频抑制度≥20dB,信号与本振隔离度≥20dB,所需本振功率2-8MW.混频管采用南京55所生产的WH334,介质基片为聚四氟乙烯玻璃纤维板(h=0.6mm),混频器本振与信号接口为波导连接,其体积为75×48×42mm~3;本振与信号接口为同轴连接,其体积为48×68×30mm~3.由于本文章采用了CAD技术,所以电路无需调试,便可得到满意结果,且一致性好,适合批量生产.     

小型L波段GaAs双栅场效应管混频器的设计和性能

本文叙述了用于L波段微波接收机的砷化镓双栅场效应管混频器的设计考虑和实验结果.包括中频匹配网络,整个电路制作在30×40mm~2复合微波介质基片上.获得8.1dB的变频增益和5.9dB的噪声系数.研究了本振功率P_(Lo)、信号功率P_s和直流偏压V_(g1s)、V_(g2s)对变频增益G_c和噪声系数N_F的影响,并给示了最佳条件.     

介质谐振器稳频的微波自振混频器

介绍了利用介质谐振器稳频,用场效应管(FET)或双极型晶体管制成的微波自振混频器的工作原理、实验电路及测试结果。实验表明,在X波段使用FET混频器变频增益达5.8dB,噪声系数为13.0dB。在C波段使用双极型晶体管,获得变频增益为4.8dB。     

基于微带线的W波段二次分谐波混频器设计

采用微带混合集成电路技术设计了一款W波段二次分谐波混频器.通过分析二级管封装结构引入的寄生参量,提出了一种减小二级管并联寄生电容的方法.为了避免在W波段使用传统分谐波混频器中普遍使用的过孔接地及侧边平行耦合微带线带通滤波器,提出了一种改进型分谐波混频器结构.测试结果表明混频器在本振频率为45 GHz,中频频率为2.4 GHz时单边带变频损耗最小,最小值为8 dB.射频频率在90 ～ 100 GHz测试频率范围内,变频损耗的测量值小于10.5 dB.     

基于肖特基二极管的单片集成560 GHz混频器

介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz.该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚合物材料的无源结构的传输损耗降至14.4-15.5 Np/m.相比于基于传统石英介质基片和半导体介质基片的传输线,传输损耗降低了一半以上.同时为了降低高频损耗,提高电路效率,二极管需采用亚...