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相似文献
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1.
杨同青  刘鹏 《压电与声光》1998,20(5):350-353
研究了La掺杂PZST反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在0-120温度范围内,热释电的峰值和峰位可以  相似文献   

2.
热释电系数的测量方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
描述热释电系数的两种测量方法。其一为电荷积分法,测试系统简单,测量数据准确,且能满足零电场条件下的测量。其二为动态电流法,采用调制热源技术,研究在特定温度条件下热释电材料的动态热释电响应。  相似文献   

3.
采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3,并研究了其铁电和热释电性质.X射线衍射结果表明薄膜具有高度的(111)择优取向.结果显示,在没有任何极化处理情况下,薄膜具有稳定的热释电系数,达到1.58×10~(-8) Ccm~(-2)K~(-1).当极化电场高于3倍薄膜的矫顽电场时,薄膜的热释电系数几乎保持不变.撤掉极化电场后,薄膜的热释电系数在10天后仅仅衰减4%左右,远比PZT薄膜稳定.研究发现不同方向极化处理,薄膜的热释电电流具有非对称性,即正向极化时热释电电流随电场增加而增大,负方向极化处理时,热释电电流随电场增加而减小.这些结果显示0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3表现出的优异热释电特性起源于薄膜中的自极化效应.  相似文献   

4.
铁电薄膜的特性、制备及应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
铁电薄膜材料具有自发极化,且其方向随外电场反转.它还具有压电效应、热释电效应等,因此在不挥发存贮器、压力传感器、红外传感器等方面有广泛的应用。铁电薄膜制备工艺与标准CMOS工艺、双极型集成电路工艺以及GaAs集成电路工艺相容,使集成铁电技术取得长足的发展。一门崭新的集半导体、电介质等学科于一体的集成铁电学正在崛起。  相似文献   

5.
杨同青  刘鹏 《压电与声光》1998,20(3):196-198
研究了La掺杂PZST反铁电陶瓷Zr∶Sn比的变化对电性能的影响。随着Zr∶Sn比的增加,开关电场EAFE-FE减小,回滞ΔE增大,峰值介电常数εmax增加并且变得尖锐,铁电-反铁电相变温度TFE-AFE和居里温度TC升高。  相似文献   

6.
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3—PbTiO3的介电,弹性,压电和热电性质   总被引:3,自引:2,他引:1  
研究了准同型相界附近组分的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3铁电晶体〈001〉方向的介电、弹性、压电和热电性质。室温时压电应变常数d33约为800pC/N。在200K~360K的温度范围内,机电耦合系数kt约为0.53,近似为一常数。而压电应力常数e33和热释电系数p3随着温度的上升而单调地增大,弹性刚度常数cD33却逐渐减小。其铁电相变的弥散性程度很高,介电临界指数γ为1.88。  相似文献   

7.
分析了热释电非制冷红外探测技术的优势,介绍了当前应用较广泛的各种非制冷红外探测器用热释电材料,即单晶材料、高分子有机聚合物及复合材料和金属氧化物陶瓷及薄膜材料,并预计了热释电材料的发展趋势.指出了铁电性热释电陶瓷材料的优越性,其应用分为正常热释电体、介电测辐射热型热释电体和弥散相变热释电体,并分别列出了具有代表性材料的研究结果.最后,指出了研究高性能、大尺寸、易加工的热释电薄膜材料的制备技术,是未来红外探测器用热释电材料的发展的关键;并在此基础上结合半导体集成3-艺,制备高性能、大规模的热释电红外焦平面阵列.  相似文献   

8.
铁电材料红外热释电系数测试研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
基于动态变温方法及间接热释电电流法的原理,设计并研制了一套已获专利授权的动态热释电系数测试系统。介绍了该系统的测量原理、设计方法及组成,用已知热释电系数值的锆钛酸铅(PZT)陶瓷及钽酸锂(LT)单晶作为参考样品对系统进行了调试,并对PZT、聚二氟乙烯(PVDF)及钛酸锶钡(BST)等几种常见的铁电薄膜材料的热释电系数进行了测试。结果表明,热释电系数测试值与参考值吻合很好,而且该系统具有控温精度高(±0.002 ℃)、噪声低(≤14 nV)、测试动态范围大(1×10-11~1×10-4 C·cm-2·K-1)等优点,它不仅能满足传统热释电模式工作的PZT系列材料热释电系数的测试需要,还可用于测量热释电-介电模式工作的BST系列材料的热释电系数。文中所开发的动态法热释电系数测试系统完全可满足未来铁电材料在红外探测应用领域的研究要求。  相似文献   

9.
(Pb,La)TiO3铁电薄膜的制备及热释电性能研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
讨论了PLT15铁电薄膜的溶胶-凝胶制备技术,及PLT薄膜的结构和电性能研究。结果表明,在Si基片上成功地生长出钙钛矿型结构多晶铁电薄膜,在(111)Pt/Ti/SiO2/Si上外延生长出(111)PLT15铁电薄膜。溶胶-凝胶制备的PLT15铁电薄膜具有优良的热释电性能,其热释电系数p为5.25×10-8Ccm-2K-1,电压响应率优值FV达到0.78×10-10Ccm/J,探测率优值Fm为1.13×10-8Ccm/J,适于制备热释电红外探测器  相似文献   

10.
制备了TGS-PVDF铁电复合材料,测量了该材料的介电常数、介质损耗和热释电系数,计算了该材料的热释电优值因子,并初步测试了由该材料制成的热释电探测器的性能。  相似文献   

11.
液晶中的蓝相Ⅲ   总被引:2,自引:1,他引:1  
蓝相Ⅲ(BPⅢ)是液晶中蓝相的一个子相。它是具有特殊性质的相态。它的结构和性质不同于BPⅠ和BPⅡ。近年来,BPⅢ的理论和实验研究有了很大的突破。在理论上BPⅢ的研究主要体现在其结构和相变上。不同的BPⅢ结构模型的建立,为它的结构的确定提供了很好的研究方法。BPⅢ—ISO相变为热力学相变。相变临界点的存在对BPⅢ的物理性质的研究有着重要的意义。实验上,通过各种手段(光的反射与选择性光散射、电场等)对液晶BPⅢ的结构研究证明和否定了理论上所主张的一些BPⅢ的结构模型,但是有些实验结果很难处理。目前,关于BPⅢ的结构之谜还不能被揭开。由BPⅢ理论和实验研究的简要论述,可以引发出BPⅢ结构研究的新的理论方法。BPⅢ的织构呈无规则形状,这就有可能在理论上从特定的模型出发建立起非线性方程,计算所得方程的结果可能存在混沌解。  相似文献   

12.
通过手性液晶的Landau-Ginzburg-de Gennes理论和Lech Longa的简化手性模型理论在四阶累积展开的帮助下给出蓝相Ⅲ到各向同性相相变系统自由能高阶项的计算结果,分析了相变比热与约化温度的关系,得出了蓝相Ⅲ到各向同性相的相变结束于一临界点,从而说明蓝相Ⅲ为各向同性相。  相似文献   

13.
设计并合成了一个系列4-(17-氯-12,12,13,13,14,14,15,15,16,16,17,17-十二氟十七烷氧基)苯甲酸4-多氟烷氧基酰基苯酚酯液晶,并通过偏光显微镜和DSC对其相变性质进行了观察和测量。发现当另一侧氟碳链短时,呈现互变近晶A相,随着氟碳链的增长,呈现变近晶A相和近晶C相,最后只呈现单变近晶C相。  相似文献   

14.
Transition metal nitrides (TMNs) have great potential use in energy storage and conversion owing to tunable electronic and bonding characteristics. Novel iron rich nitrides nanoparticles anchored on the N-doped porous carbon, named as (CoxFe1–x)3N@NPC (0 ≤ x < 0.5) are designed here. The synergistic effects of phase transition and electron-spin regulation on oxygen electrocatalysis are testified. A core–shell structure of (CoxFe1–x)3N with high dispersibility is induced by an intermediate phase transition process, which significantly suppresses coarsening of the metallic nitrides. The Co incorporation regulates d-band electrons spin polarization. The t2g5eg1 of FeII with the ideal eg electron filling boosts intrinsic activity. (Co0.17Fe0.83)3N@NPC with optimal cobalt content holds electronic configuration with moderate eg electron filling (t2g5eg1), which balances the adsorption of *O2 and the hydrogenation of *OH, improving bifunctional catalytic performances. Both liquid and solid-state zinc–air batteries assembled based (Co0.17Fe0.83)3N@NPC cathodes substantially deliver higher peak power density and remarkable energy density.  相似文献   

15.
GaTe is an important III–VI semiconductor with direct bandgap; thus, it holds great potential in the field of optoelectronics. Although it is known that GaTe can exist both in monoclinic and hexagonal phases, current studies are still exclusively restricted to the monoclinic phase of two dimensional (2D) GaTe owing to the difficulty in the fabrication of 2D hexagonal GaTe. Both monoclinic and hexagonal GaTe are demonstrated in this work, which can be selectively synthesized via a physical vapor deposition method, under precisely controlled growth temperatures. The pristine Raman and non‐linear optical properties of hexagonal GaTe has been systematically explored for the first time; moreover, a novel selected‐area phase transition from hexagonal to monoclinic of GeTe has been achieved via fs‐laser irradiation. This work may pave the way for widely use of 2D GaTe in various fields in future.  相似文献   

16.
殷智勇  汪岳峰  董伟  李刚  张琳琳 《红外》2009,30(6):20-22
针对提高用溶胶–凝胶法制备的VO 薄膜的红外透过率的问题,提出了制备时的最佳退火温度。简 要介绍了用无机溶胶凝胶法制备VO 薄膜的过程,对制备的VO 薄膜进行了差示扫描量热(DSC)、X射线电子能谱仪 (XPS)测试,分析了VO 薄膜的成分及相变温度。根据瑞利–高斯散射公式,通过散射截面与粒子密度计算和不同退火 温度下薄膜透过率的测试,重点讨论了退火温度、晶粒尺寸和红外透射率三者的关系。  相似文献   

17.
激光防护技术新进展   总被引:16,自引:0,他引:16       下载免费PDF全文
查子忠  王骐 《激光技术》1997,21(4):246-251
较全面地论述了激光防护的必要性、任务、要求和最新进展。  相似文献   

18.
本文报道了4—甲氧基苯酚4′—正烷氧基—2′,3′,5′,6′—四氟联苯甲酸酯的合成方法及相变性质,并讨论了此类液晶的结构和性质的关系。  相似文献   

19.
拉曼散射是研究薄膜相变的一种有效方式,此篇文章采用溶胶-凝胶法制备PZT薄膜,并以差热实验为基础确定退火温度,并用拉曼散射研究三方-四方相变趋势。分析结果表明中频区域的A1(2TO)振动模,作为四方相的一个标志,随着退火温度的升高其强度逐渐增强,三方在向四方转变;高频范围的A1(3TO)T振动模随着退火温度的升高其强度也在逐渐增强,三方晶胞在减少而四方晶胞在增多,即随着退火温度的升高,三方有向四方转变的趋势。  相似文献   

20.
O)T mode were enhanced with the increase of the annealing tem-perature. So, the conclusions were obtained that the trigonal phase turned into a tetragonal phase as temperature increased.  相似文献   

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