日立成功开发SRAM电路驱动电压“全球最低”

日立制作所日前宣布 ,成功开发出驱动电压全球最低、仅为 0 .4V的 SRAM电路技术 ,该技术可作为便携式信息终端等产品使用的 SOC(系统芯片 )缓存。此前 ,日立已经开发了以 0 .65V的电源电压驱动的 SRAM。为了进一步降低电压 ,此次又新开发了两项技术 :(1 )通过对 SRAM电路中的数据存储区域施加较访问电路仅高出 0 .1 V的电压 ,发现了能够改善SRAM存储单元动作余量的极限。由于该部分的耗电量只占整个 SRAM电路的 1 %左右 ,因此耗电量的增加很少 ,同时还可以减少 0 .1 V升压电路的体积。 (2 )通过提高存储单元结构的对称性 ,减少制…     

用O.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8μm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点.实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(BiDolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中.     

模拟低空环境下FPGA的SEU测试系统结果分析

为了探究在低空环境下SRAM型FPGA产生单粒子翻转事件与大气中高能粒子剂量的关系,设计了一种便携式测试系统。使用该系统在某地6个不同海拔的测试点对SRAM型FPGA进行单粒子翻转测试。某地平均海拔在3000～5000 m,可以很好地模拟低空飞行环境。通过测试试验,该系统获得了大量现场数据,使用Matlab对测试数据进行了分析。结合在某地的测试结果,从SRAM型FPGA的存储结构、单粒子翻转产生机理、测试系统的工作原理等方面入手,对该测试系统的科学性与实用性进行了验证分析。分析结果表明,该便携式测试系统科学有效,可为航空航天领域中SRAM型FPGA的选型与使用提供一种参考方式。     

16Mb SRAM

<正> 东芝公司现已开发出了16Mb SRAM[TC55W1600FF]。该产品主要用于便携式电话机。它采用0.18μmCMOS 技术,由于电路结构达到了最佳化,有效地控制了芯片面积的增大。其最大特点是待机时的耗散电流低于5μA。作为用于便携式电话机(8位产品以下)的存储器,多数厂家用 DRAM 代替 SRAM。与 SRAM     

用0．8μm工艺技术设计的65—kb BiCMOS SRAM

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路，提出了采用先进的0．8μm BiCMOS工艺，制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明，所设计的BiCMOS SRAM，其电源电压可低于3V，它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处，又获得了双极型(Bipo1ar)电路快速、大电流驱动能力的优点，因此，特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。     

一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计

设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明，所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V以下，它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成度的特征，又获得了双极型电路快速、大电流驱动能力的长处，因而特别适用于高速缓冲静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中。     

用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。     

华邦电子产品简介

华邦电子产品在第八届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China)上展示了多项新产品及产品应用解决方案。简介如下: 1.华邦便携式手持装置的内存产品解决方案。在手机应用上,华邦提供一系列最新设计低功耗、高容量(8M～64M)的Pseudo SRAM,以满足客户在多功能低功耗通讯产品(如2.5G多媒体手机)上对于高容量SRAM的需求,并已经成功应用于2.5G及3G手机之MCP(Multi-Chip Package)产品上。     

逻辑分析仪同步采样的原理及应用

1.引言 在数字电路系统中,各种芯片使用不同的总线协议进行数据交换,低速信号通常多采用异步总线模式,比如10MHz数量级的MCU外部总线、SRAM、异步FLASH等。而在数据率较高时,     

Cypress:SRAM将成为系统设计中关键的支持元件

"我不认为SRAM将来会像CPU那样成为电子系统的核心,但随着系统对SRAM的性能要求越来越高,SRAM的表现将会影响到整个系统功能的实现,因此可以说,SRAM将成为系统设计中更为关键的支持元件."赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)存储器产品部高级应用经理Mathew Arcoleo说.因此,他认为未来的几年内SRAM市场将会持续稳定成长.     

DDRⅡ SRAM控制器的设计与FPGA实现

介绍一种新型静态存储器--DDRⅡSRAM(静态随机存储器)的存储器结构、与系统的接口连接、主要的操作时序.为实现动态背景信号生成,节省FPGA(现场可编程门阵列)内部资源,引入DDRⅡSRAM存储基带信息,通过DDR控制器控制基带信息高速读取,实现信号生成.深入分析实际DDRⅡSRAM工作原理及内部组成,利用FPGA实现存储器控制器的设计.基于软件无线电思想,通过它的快速、灵活、容易修改的特点,设计并实现在高速数据通信系统中,DDRⅡSRAM用于处理器和接口连接的外设之间的数据交换.FPGA芯片选用XLLINX公司的VIRTEX-4芯片,存储器选用CY7C1420系列芯片.从设计仿真和实验板调试结果可验证,存储器具有很高的传输速度和稳定性能.该实验成果已用于某动态背景信号生成系统中.     

逻辑分析仪同步采样的原理及应用

1.引言 在数字电路系统中,各种芯片使用不同的总线协议进行数据交换,低速信号通常多采用异步总线模式,比如10M H z数量级的M C U外部总线、SRAM、异步FLASH等.而在数据率较高时,特别是当数据率高于100M H z数量级时,大多都采用同步总线,比如PCI、SDRAM等.     

在便携式多媒体应用中直接连接LCD

随着时钟频率超过600 MHz低功耗定点处理器的能力和普及程度不断提高,它们可以用到越来越多的多媒体应用中.但是,这些系统的许多便携式特性只需要小型低功耗液晶(LCD)平板显示器和较低视频分辨率,而不适合电视监视器上的全NTSC/PAL制视频.考虑到高数据传输速率是控制较大显示器必需的,许多便携式应用都无法承受其所需的处理器开销.     

一种阵列布局优化的256 kb SRAM

介绍了一种阵列布局优化的256 kb(8 k×32位)低功耗SRAM。通过采用分级位线和局部灵敏放大器结构,减少位线上的负载电容;通过电压产生电路,获得写操作所需的参考电压,降低写操作时的位线电压摆动幅度,有效地减少了SRAM读写操作时的动态功耗。与传统结构的SRAM相比,该256 kb SRAM的写功耗可减少37.70 mW。     

静态随机存储器数据残留特性研究

通常在安全处理系统中,微处理都将密钥储存在静态随机存储器(SRAM)中,如果SRAM的数据在断电后确实完全丢失,那么采取这样的对策是非常安全的,但是SRAM在断电后存在数据残留的问题,是系统的一个重大安全隐患。针对信息系统的安全性,用实验方法进行了SRAM数据残留特性的研究,确定了多种SRAM数据残留的临界温度点,建立了数据残留时间与温度的相关关系,进行了数据残留特性与电参数的相关分析,提取出数据残留特性的特征电参数待机电流Iddsb,有助于进一步研究SRAM数据残留机理。     

产品撷英

本刊编辑所选的出类拔萃产品。入选产品或者取得了显著技术进步或者在性价比方面比较突出。大容量SRAM版高性能8051级微控制器系列内置大容量SRAM和闪存,配备USB2.0全速接口、可编程逻辑和JTAG调试接口等外设uPSD3454E系列集成了市场领先的32kbSRAM和256kb的闪存,以及U S B2.0全速接口等外设接口。这款MCU适合多种应用的嵌入式控制系统,例如收款机(POS)外设、数据采集系统和电信产品等。32kb的SRAM为用户提供了充足的数据缓存空间,或者处理实时操作系统(RTOS)所需的更多的存储栈。串行JTAG调试接口使代码的开发管理变得非…     

德州仪器电源转换芯片

德州仪器公司(Texas Instruments)宣布针对便携式彩色显示器推出一款先进的电源转换芯片，满足便携式电子设备中液晶显示器(LCD)模块供电所需的所有电源要求。该款新型单电感四输出DC／DC可为用于智能电话、PDA、便携式DVD播放器、数码相机以及其他便携式应用中的非晶硅     

TI为TFT LCD推出四输出电源管理IC

TI日前针对便携式彩色显示器推出一款先进的电源转换芯片(IC)，从而可满足为便携式电子设备中液晶显示器(LCD)模块供电所需的所有电源要求。该款新型的单电感四输出DC／DC可为用于智能电话、PDA、便携式DVD播放器、数码相机以及其他便携式应用中的非晶硅(a—Si)和低温多晶硅(LTPS)显示器提供偏压电源。     

集成电路

一种节能MCU外围芯片—ZPSD4XXWSI公司的高集成度、低功耗MCU后援芯片ZPSD4XX,工作电压5伏,集成了EPROM、SRAM和可编程逻辑电路,而耗电只有标准3.3伏EPROM的1/3。ZPSD4XX可增加便携式产品(如蜂窝电话、GPS系统、PCS系统、     

一种全nMOS SOI晶体管4管静态存储器单元

提出了一种新颖的无负载4管全部由nMOS管组成的随机静态存储器(SRAM)单元.该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管. 存取管的沟道长度小于下拉管的沟道长度. 由于小尺寸MOS管的短沟道效应,在关闭状态时存取管具有远大于下拉管的漏电流,从而使SRAM单元在保持状态下可以维持逻辑“1" . 存储节点的电压还被反馈到存取管的背栅上,使SRAM单元具有稳定的“读”操作. 背栅反馈同时增强了SRAM单元的静态噪声容限(SNM). 该单元比传统的6管SRAM单元和4管SRAM单元具有更小的面积. 对SRAM单元的读写速度和功耗做了仿真和讨论. 该SRAM单元可以工作在0.5V电源电压下.