Sb2O3掺杂对YBa2Cu3O7—δ超导性质的影响

研究了Ｓｂ２Ｏ３掺杂的多晶ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导体的超导转变温度和输运临界电流密度Ｊｃ（Ｂ）在磁场中的行为。测量了超导性能对该掺杂浓度的依赖关系。适当浓度的掺杂可使Ｊｃ至少提高一个数量级，对掺杂样品进行了扫描电镜微结构观测和Ｘ射线结构分析。     

BaTiO_3基PTCR陶瓷中B_2O_3蒸汽掺杂的异常行为

钛酸钡基半导化陶瓷中的ＰＴＣＲ效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关．在高温下Ｂ２Ｏ３具有较高的蒸汽压,通过Ｂ２Ｏ３蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素Ｂ的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,同时室温电阻率也有所增加．Ｂ２Ｏ３蒸汽掺杂ＢａＴｉＯ３基材料的ＰＴＣＲ效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成．     

Na掺杂对MTG-YBCO临界电流密度特性的影响

本文研究了Ｎａ掺杂对ＭＴＧ－ＹＢＣＯ（ＹＢａ２－ｘＮａｘＣｕ３Ｏｙ＋４０ｍｏｌ％Ｙ２ＢａＣｕＯ５ｘ＝０．０、０．１、０．２）生长织构及其超导性能的影响。适量Ｎａ的掺入有利于ＭＴＧ－ＹＢＣＯ沿（ａｂ）面的生长,改善晶体生长的宏观形貌。同时,掺Ｎａ后ＭＴＧ－ＹＢＣＯ试样的Ｔｃ,ｏｎ变化不大,但Ｔｃ,ｏｆｆ随掺杂量ｘ的增加而降低,即超导转变宽度△Ｔ增大。适量Ｎａ掺杂改善了ＭＴＧ－ＹＢＣＯ的临界电流密度特     

硼掺杂的γ-Al_2O_3催化膜的制备及其热稳定性的研究

在勃姆石Ａ１ＯＯＨ溶胶中引入一定量的Ｈ２ＢＯ３溶液,经不同温度的热处理,制成不同硼掺杂含量的无支撑的γ－Ａｌ２Ｏ３催化膜．用ＸＲＤ、ＢＥＴ分别对膜的晶相和膜的微孔结构,包括比表面积、孔径和孔容进行了研究,结果发现：随着硼含量的增加,在低温下,膜的比表面积和孔容都不断增加,而对孔径的影响不大;经１２００℃处理后,未掺杂硼的膜的比表面积,孔径和孔容分别为 ５．４ｍ２／ｇ, ４９ｎｍ和 ０．０６３ｃｍ３／ｇ,而经掺杂 １６％摩尔硼的膜的比表面积,孔径和孔容分别为 ３５ｍ２／ｇ, １３ｎｍ和 ０．２２５ｃｍ２／ｇ,这说明硼的掺杂对 γ－Ａｌ２Ｏ３膜的热稳定性有很好的改善作用．     

Sol—Gel法制备Y系高温超导材料及烧结条件的研究

介绍了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ和Ｆ掺杂的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｆ０．６Ｏ７－δ高Ｆｃ超导材料的Ｓｌｏ－Ｇｅｌ法制备，并对烧结条件进行了研究。     

掺杂Dy_2O_3Nd－Fe－B磁体的氧含量对磁性能的影响

用穆斯堡尔效应和磁性测量等方法，研究了掺杂Ｄｙ_２Ｏ_３Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁体的氧含量对磁性能的影响以及氧含量与掺杂浓度和制粉球磨时间的关系，结果表明，掺杂Ｄｙ_２Ｏ_３可以有效地提高磁体的矫顽力，但其剩磁和最大磁能积会不同程度地降低，磁体中的氧含量由掺杂浓度和制备工艺所决定，并满足一定关系式。当掺杂浓度为１．０ｗｔ％时，磁性能在氧含量为１１０００ＰＰｍ附近发生突变。     

Yb_2O_3的掺杂方式对Ba(Ti_(1-y)Zr_y)O_3陶瓷介电性能的影响

在Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３中,Ｙｂ２Ｏ３的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化．采用 Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３合成后Ｙｂ２Ｏ３的适量掺杂,陶瓷介温峰明显地移动,介电常数大幅度提高, 获得了室温介电常数＞２５０００,１２５０℃左右烧成,符合Ｙ５Ｖ标准的高介材料．合成后掺杂的 Ｙｂ２Ｏ３,使材料介电常数提高,可能与施主掺杂引入的局域化电子有关．合成前掺杂Ｙｂ２Ｏ３ 的样品,介电常数较低,移峰效率偏小,可能是Ｙｂ的Ｔｉ位受主取代使施主引入的局域化电子 得到补偿的结果．     

PbO－Bi_2O_3－B_2O_3－SiO_2系重金属氧化物玻璃的结构与光学性

通过密度、可见光光谱、红外吸收光谱、Ｃｏ－６０辐照损伤试验及荧光光谱的测试，研究了ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２玻璃系的光学性能与结构．密度最高可达８．４６４ｇ／ｃｍ３其紫外吸收达截止波长随Ｐｂ２＋及Ｂｉ３＋含量升高而红移．玻璃熔化温度低达８５０℃．在ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３系玻璃中加人ＳｉＯ２可使玻璃结构更致密．室温下该系统玻璃在３６０ｎｍ有一个宽的激发峰，能产生４１８ｕｍ及４３８ｕｍ两个弱的发射峰．该系统玻璃的结构是由［ＳｉＯ４］４－、［ＢＯ３］３－、［ＢＯ４］５－、［ＰｂＯ４］６－及［ＢｉＯ６］９－构成．其中部分Ｐｂ２＋及Ｂｉ３＋以网络外体进入玻璃．     

Sc2O3稳定的ZrO2超细粉的制备与烧结

本文用化学共沉淀法制备了Ｓｃ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２纳米超细粉。用ＸＲＤ，ＴＥＭ，ＳＥＭ以及ＢＥＴ测比表面等方法分析了粉体和烧结体的相组成的显微结构及其性能。实验结果表明６．０、７．８、９．６ｍｏｌ％Ｓｃ２Ｏ３掺杂量的粉体易于烧结，而３．５、１２．０ｍｏｌ％Ｓｃ２Ｏ３掺杂量的粉体则不易烧结，原因在于样品冷却过程中相变引起的体积变化以及烧结体中双重显微结构的存在。     

镀Ti立方氮化硼（cBN）与玻化SiO_2－Na_2O－B_2O_3结合剂的作用

为了防止玻化ＳｉＯ２－Ｎａ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３结合剂烧结时对立方氨化硼（ｃＢＮ）的侵蚀，并实现ｃＢＮ晶体与结合剂间的化学键结合，本文用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ等研究了Ｔｉ镀层与ＣＢＮ界面在６００～１２００℃温度范围的界面反应过程及界面成分结构特征，讨论了镀ＴｉｃＢＮ与结合剂复合体在烧结过程中的成分结构及性能．结果表明：Ｔｉ镀层与ｃＢＮ晶体在６００℃以上，以反应扩散的形式发生界面反应形成ＴｉＮ，８００℃以上形成ＴｉＢ２及ＴｉＢ，这些在ｃＢＮ表面外延生长的难熔化合物使Ｔｉ镀层与ｃＢＮ牢固结合并阻止了结合剂中的碱性组分对ｃＢＮ的侵蚀，镀ＴｉｃＢＮ晶体与结合剂则由低价的氧化钛为中介实现良好结合．     

Yb2O3掺杂的BaTiO3陶瓷的PTCR特性

曾有报道认为离子半径较小的Ｙｂ＾３＋离子,在ＢａＴｉＯ３中主要取代Ｔｉ位表面为受主杂质,从而不能使ＢａＴｉＯ３材料在空气中半导化。本文研究了Ｙｂ２Ｏ３的掺杂行为,表明它同其它稀土杂质一样,可以使空气烧成的ＢａＴｉＯ３陶瓷半导化。在纯施主掺杂的ＢａＴｉＯ３半导化陶瓷中,材料的升阻比随施主掺杂量的增加而降低,这是由于晶界上中性钡缺位浓度随施主掺杂量的增加而降低造成的。     

B3+,Zn2+掺杂与SiO2薄膜驻极体的改性

用粉体制备和高温熔凝工艺在ｎ〈１１１〉型单晶硅基片上制备了非晶态ＳｉＯ２－ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３复合膜驻极体。实现对ＳｉＯ２薄膜驻极体的改性,恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｄｉｓｃｈａｒｇｅｄ,ＴＳＤ）实验表明,Ｂ＾３＋、Ｚｎ＾２＋的掺杂对ＳｉＯ２薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响：ＴＳＤ放电电流峰稳定于ｔ＝２３８℃处,峰位不随充电温度和充电电压     

无机杂质对改善纳米BaTiO_3湿敏特性的作用

用硬酯酸盐法合成了纳米ＢａＴｉＯ３材料，它对湿度有良好的敏感性能。在纳米ＢａＴｉＯ３中掺入少量杂质，会影响其感湿性能。本文研究了掺杂方法、掺杂种类及掺杂浓度对纳米ＢａＴｉＯ３湿敏元件的电阻和湿滞的影响。混合掺入Ｎａ２ＣＯ３和ＮａＨ２ＰＯ４可以使纳米ＢａＴｉＯ３湿敏元件的电阻为１０６～１０３Ω，湿滞＜３％。     

Pd/γ-Al2O3复合催化膜的热稳定性

由溶胶凝胶法制备出Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３催化膜及镧掺杂改性的Ｌａ/Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３膜,研究了镧的掺杂对Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３膜热稳定性的影响．用ＤＴＡ、ＸＲＤ、ＢＥＴ分别对膜的晶相和微孔结构(包括比表面积、孔径和孔容)进行了研究,结果发现:镧的掺杂明显提高了α－Ａｌ２Ｏ３的相变温度和高温下Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３催化膜的热稳定性．Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３经１１００℃处理５ｈ后,其比表面积、孔径和孔容分别为４．４６ｍ２/ｇ、３５．１ｎｍ和０．０５１ｃｍ３/ｇ,而经镧掺杂改性的Ｌａ/Ｐｄ/γ－Ａｌ２Ｏ３膜的比表面积、孔径和孔容分别为５１．６ｍ２/ｇ、７．２ｎｍ和０．１３８ｃｍ３/ｇ．     

PZT/Y0.9Ca0.1Ba2Cu4O8及Ag2O掺杂的复合氧化物陶瓷的NTC效应

报道了压电材料ＰＺＴ中掺杂超发Ｙ０．９Ｃａ０．１Ｂａ２Ｃｕ４Ｏ８,而超导粉中又能Ａｇ２Ｏ的掺杂,这种复合氧化物陶瓷的制备方法及电导率的测试结果,表明材料具有很强的ＮＴＣ效应。     

Y_2O_3-SnO_2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究

以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ,Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料,无水乙醇为溶剂,采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜在常温下对ＮＯｘ具有较好的灵敏度和选择性,并具有较好的响应恢复性能;在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度．     

掺杂方式对α─Fe_2O_3气敏特性的影响

用化学沉淀法和升温水解法合成了纯α─Ｆｅ２Ｏ３和ＳｎＯ２掺杂的α─Ｆｅ２Ｏ３，用ＸＲＤ和ＴＥＭ研究了掺杂方式对α─Ｆｅ２Ｏ３微观结构的影响，用静态气敏测试方法研究了掺杂方式对α─Ｆｅ２Ｏ３气体灵敏度和电阻的影响结果表明：水解法α─Ｆｅ２Ｏ３颗粒微细（～４０ｎｍ），阻值适中（数百ｋΩ），而且气体灵敏度高     

La_2O_3-Li_2O-B_2O_3三元系玻璃网络结构的研究

本文用拉曼及红外光谱和差热曲线研究了Ｌａ２Ｏ３－Ｌｉ２Ｏ－Ｂ２Ｏ３三元系玻璃的微观结构，着重研究了锂和镧的氧化物的引入对硼的配位数及玻璃网络结构的影响，发现Ｌｉ２Ｏ和Ｌａ２Ｏ３的作用相似，它们的增加都会使玻璃网络的基本结构基团四硼酸盐基团→二硼酸盐基团→偏硼酸盐基团演变。     

掺杂Dy2O3Nd—Fe—B磁体的氧含量对磁性能的影响

用穆斯堡尔效应和磁性测量等方法，研究了掺杂Ｄｙ２Ｏ３Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁体的氧含量对磁性能的影响以及氧含量与掺杂浓度和制粉球磨时间的关系。结果表明，掺杂Ｄｙ２Ｏ３可以有效地提高磁体的矫顽力，但其剩磁和最大磁能积会不同程度地低。磁体中的氧含量由掺杂浓度和制备工艺所决定，并满足一定关系式。当掺杂浓度为１．０ｗｔ／时，磁性能在氧含量为１１０００ＰＰｍ附近发生突变。     

添加物对Fe_2O_3超微粒的稳定作用

粒子的尺寸直接关系着气敏元件性能的好坏．为了防止Ｆｅ２Ｏ３超微粒在气敏元件烧结过程中长大，我们在纯Ｆｅ２Ｏ３中掺入５ｍｏｌ％碱土金属离子，利用ＸＲＤ和ＴＥＭ系统研究了掺杂物对Ｆｅ２Ｏ３超微粒子的稳定作用，并对由掺杂引起的Ｆｅ２Ｏ３电学性质的变化作了初步探讨．