温差电材料参数测试系统

分析了温差电材料的各种参数对温差电器件的影响，描述了测定温差电材料的温差电动势率α、电导率σ以及热导率Ｋ的参数测试系统，尤其是此系统可测出任意指定的温度下的参数值。     

温差电致冷元件损伤层探索

通过探索温差电致冷元件的损伤层，提出“平均电导率”等概念。     

半导体温差电材料及其致冷器

用改良的布里奇曼法制备以碲化铋(Bi_2Te_3)为基并掺入适量中性杂质元素的室温半导体温差电材料,晶体直径为φ19—25mm,其特性具有明显的取向性,平行于晶锭轴切取电偶臂时比垂直切取具有更好的性能。优值系数p型Z达3.2×10~(-3)K~(-1),n型Z达3.1×10~(-1)K~(-1)。文中还介绍了致冷器的工作原理、设计的基本依据和主要的计算公式,以及制作致冷器的主要工艺步骤。     

温差电致冷元件损伤层的测试方案

提出一种间接测量损伤层厚度的方法,此方法具有较高的精度。     

温差电致冷组件寿命加速试验方法研究

针对现有标准中温差电致冷组件寿命试验方法缺失,通过开展不同热面温度(60℃、65℃、70℃、75℃)下的加速试验验证,分析了最大温差、电阻、最大温差工作电压等关键参数的变化,确定了加速因子,研制形成温差电致冷组件寿命加速试验方法,显著缩短了寿命试验的验证时间,满足了应用发展需求。     

赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。     

TEC1-27系列温差电致冷组件质量等级集中检测结果分析

介绍了TEC温差电致冷组件质量等级集中检测的内容及结果,并对结果进行了分析、评述。     

VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统

本文首先针对半导体可靠性测试项目一电迁移的基本原理、可靠性问题、电迁移效应的防护措施及失效判定作概括性的介绍。第二部分主要介绍自制电迁移自动测试系统开发的目的。并比较国外进口电迁移自动测试系统的效率，最后以实验证明自制电迁移自动测试系统的性能和功能可以取代进口的同类产品，达到降低企业成本及节省产品验证时程的目的。     

P型Bi2Te3基温差电材料性能研究

近年来,由于环境问题、能源问题及需求增加的刺激,探索高性能温差电器件的热潮再度掀起。温差电器件是体积小、无污染、无噪声的固态器件。但温差电器件若要在与常规制冷方式和传统电源的竞争中脱颖而出,关键的是要增加温差电致冷器和温差发电器的效率,而其最有效的途径就是提高温差电材料的热电性能。     

光声压电技术对材料热扩散率分布成像研究

利用光声压电技术研究材料热扩散率分布,开展不均匀材料热扩散率分布成像研究。首先,根据频域光声压电热扩散率检测模型,分析了材料热扩散率成像的基本原理与影响参数;其次,通过采用空间逐点扫描与单点频率扫描相结合的方式,建立了扫描光声压电热扩散率成像系统;最后,对不均匀材料开展热扩散率分布成像测量研究。研究结果表明,基于光声压电检测的热扩散率成像技术可有效测量材料的热扩散率分布。     

Sol—Gel方法制备掺Y PZT铁电薄膜材料的研究

介绍用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法制备掺ＹＰＺＴ（ＰＹＺＴ）铁电薄膜的工艺，并比较了ＰＺＴ和ＰＹＺＴ薄膜的性能参数。实验结果表明，掺Ｙ后使ＰＺＴ铁电薄膜的性能得到改善     

砷化镓类半导体材料在太赫兹波段的透射特性研究

首先给 出了利用光电导天线产生的太赫兹波的时域和频域光谱,进而,基于搭建的太赫 兹时域光谱系统, 并采用透射光谱法分别测量了砷化镓类型的三种半导体材料在太赫兹波段的透过率。结果表 明,基于光电导 天线产生的太赫兹波在0~2THz范围内,光谱比较稳定,频率带宽比 较宽;砷化镓半导体材料在0~2.0THz 范围内的透过率的变化相对较小,具有较高的透过率(>60%),并且 明显优于碲化锌以及碲化镉半导体 材料在太赫兹波段的透过率。因此,相比于碲化锌以及碲化镉半导体材料而言,砷化镓半导 体材料更适用于设计宽频带的太赫兹功能器件。     

监测全塑电（光）缆线路系统的一种新方法──NORSCAN—2000型电（光）

介绍了加拿大ＮＯＲＳＣＡＮ公司的一种电（光）缆绝缘指标的监测和自动报警系统，指出该系统不仅可用于监测长途电（光）缆线路系统，同时还可用于市话网中全塑电（光）缆的监测；简要介绍了该系统的功能、工作原理和系统的组成及其用于监测市话网全塑电缆工程的设计和注意的事项；最后提出了应用该系统的几点建议。