纳米SnO_2粉体的水热法制备与表征

以SnCl4·5H2 O和氨水为原料 ,采用水热法制备了SnO2 粉体 ,并利用XRD、TEM、DTA等分析方法对所得粉体的晶相、微观形貌、分散性等性质进行了表征。结果表明 ,在 2 40～ 2 80℃ ,保温 4～ 8h的水热条件下制备出了结晶完整、分散性良好、粒径为 10nm以下的四方相金红石型SnO2 纳米粉体     

水热法制备纳米TiO2粉体工艺条件研究

系统研究了如何应用水热法来制备TiO2纳米粉体。通过实验确定了较佳工艺技术参数:浓度为5%,pH值等于9,保温的温度为220℃。用三乙醇胺作为分散剂,用Tween80和Span80作为表面改性剂研究分析其对TiO2纳米粉体团聚的作用。     

纳米SnO2微粒的制备及其表征

以SnCl4.5H2O为原料,用水热合成法制备粒度均匀的纳米SnO2微粒。研究了反应物浓度、反应时间、反应温度等因素对SnO2微粒尺寸的影响。用DSC研究SnO2微粒的热性能,用激光光散射仪和透射电镜分析和观察SnO2微粒尺寸的影响。用DSC研究SnO2微粒的热性能,用激光光散射仪和透射电镜分析和观察SnO2微粒的形态和尺寸。     

低温水热法制备纳米氧化锆粉体

本文以ZrOC12为原料、NH3·H2O为沉淀剂、CaC12为稳定剂,采用交叉喷淋法制备氧化锆前驱体,通过改变反应釜内前驱体浓度、矿化剂NaOH的加入及矿化剂NaOH浓度,采用低温水热法制备纳米氧化锆粉体.结果表明:反应釜内前驱体浓度降低有利于提高粉体的结晶度,矿化剂NaOH的加入可有效降低水热反应温度.当反应温度为110℃、保温时间2h、反应釜内前驱体的浓度为0.25 mol/L、矿化剂NaOH浓度为1 mol/L时,可制备平均粒径为26 nm的四方相氧化锆粉体.     

氧化共沉淀制备Sb2O5掺杂的超细SnO2

用氧化共沉淀法制备了掺锑的超细SnO2粉体，采用TG-DTA, XRD及TEM方法对微粉进行了表征. 结果表明：在不同温度下热处理可得到不同粒径的超细SnO2粉体；锑以Sb2O5的形式掺入，掺杂适量，材料仍保持SnO2的结构，抑制了主晶相晶粒成长. 电性能测试表明，锑的掺入降低了材料的固有电阻.     

石墨烯气凝胶的水热法制备及表征

以石墨为原料,高锰酸钾为氧化剂,通过超声制备具有不同片径的氧化石墨烯,采用一步水热还原制备石墨烯水凝胶,将石墨烯水凝胶进行冷冻干燥制备石墨烯气凝胶。分别采用X-射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜、透射电镜对石墨烯气凝胶的结构、形貌进行了表征。结果表明,通过水热法还原氧化石墨烯可得到具有丰富多孔结构的石墨烯气凝胶。     

石墨烯气凝胶的水热法制备及表征

以石墨为原料,高锰酸钾为氧化剂,通过超声制备具有不同片径的氧化石墨烯,采用一步水热还原制备石墨烯水凝胶,将石墨烯水凝胶进行冷冻干燥制备石墨烯气凝胶。分别采用X-射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜、透射电镜对石墨烯气凝胶的结构、形貌进行了表征。结果表明,通过水热法还原氧化石墨烯可得到具有丰富多孔结构的石墨烯气凝胶。     

纳米级掺锑SnO2粉末的制备和表征

以SnCl4*5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法制得了粒径为几个到几十个纳米的SnO2超细粉.运用差示扫描量热法-失重分析(DSC-TG)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等观测手段对微粉末进行了表征;并对其晶粒生长过程进行了研究.实验表明,粉末为具有四方相金红石结构的掺Sb二氧化锡多晶不规则椭球粒;煅烧温度＜600℃时,样品处于结构调整阶段,逐步成核并缓慢生长,晶粒成核及生长活化能为4.25kJ*mol-1;煅烧温度＞600℃时,晶化程度很高,晶粒较快生长,晶粒生长活化能为37.08kJ*mol-1.     

影响Sb-SnO2粉体颗粒度的水热条件分析

利用水热法制备了Sb—SnO2纳米粉体，借助XRD、TEM等测试方法，系统的研究了NH4OH的滴加速度、水热反应温度及水热反应时间等水热工艺条件对粉体颗粒度的影响，并讨论了其影响机理。     

Cu~(2+)掺杂SnO_2纳米晶的水热制备与表征

以SnC l4.5H2O、CuSO4.5H2O为原料,NaOH为碱源,通过水热法直接制备Cu2+掺杂SnO2纳米晶,并利用X-射线衍射仪(XRD)和透射电镜(TEM)对所得晶体的晶相、微观形貌进行表征。XRD表明纳米晶体系为四方相金红石型SnO2,TEM表明掺杂Cu2+的SnO2纳米晶为球形结构且掺杂体系的粒径有明显降低。     

溶胶-凝胶-共沸蒸馏技术制备纳米SnO_2粉体

以SnCl4.5H2O为原料,NH3.H2O为沉淀剂,采用溶胶-凝胶-共沸蒸馏技术制备纳米SnO2粉体,实验考察了原料浓度、反应温度、反应终点pH值、干燥脱水方式、焙烧温度等工艺条件对纳米SnO2粉体粒径的影响,得出最佳工艺条件为:SnCl4溶液浓度为0.2mol/L,氨水浓度控制在8%~10%,终点pH值控制2.5,反应温度65℃,温度为500℃时焙烧3h。该制备工艺分别采用醇洗和共沸蒸馏两种脱水方式,将制备得到的粉末用BET、FT-IR、TG-DSC、XRD和TEM等进行表征,采用共沸蒸馏脱水工艺所得的SnO2粉末最小平均粒径可至7.2nm,且无团聚存在。     

负载低团聚纳米级SnO_2-Sb_2O_3导电粉末的工艺研究

以云母为基料,采用化学共沉淀法制备负载低团聚纳米级SnO2-Sb2O3的超细导电粉末。考察了影响粉体形貌和导电性能的主要工艺参数。结果表明,煅烧温度750℃,表面活性剂在反应后加入,搅拌速率在1 500 r/min以上的工艺条件下,可制备纳米级、低团聚和体积电阻率达14Ω.cm的导电填料。     

聚苯胺/SnO2复合材料的制备及其光催化应用

用光化学合成SnO<,2>为主要原料,在酸性苯胺溶液中,通过苯胺在SnO<,2>粒子表面原位聚合,制备了聚苯胺/SnO<,2>复合材料.用XRD、SEM和紫外-可见漫反射(UV-Vis)等对复合材料进行了表征.以甲基橙为目标污染物,考察了聚苯胺/SnO<,2>复合材料光催化障解污染物的性能.结果表明,含适量聚苯胺(PA...     

Cu掺杂SnO2纳米粉体的制备及气敏特性

控制不同n(Cu2+)/n(Sn4+),用均匀共沉淀法制备了平均粒径约80 nm的金红石型结构Cu掺杂SnO2纳米粉体;并以白云母为基片制备出Cu掺杂SnO2气敏元件。用TG-DSC、XRD、SEM对样品的相变、结构、形貌进行了分析,并测试了气敏元件的阻温特性和75℃氢气敏感性能。结果表明,Cu掺杂抑制了SnO2晶核的生长,使SnO2结晶度由约75%减小到50%,晶粒尺寸由约18 nm减小到6 nm;Cu掺杂使n型半导体SnO2的空气电阻值由1~8 kΩ提高到9×105~3×107MΩ,并使元件在75℃对体积分数为2 000×10-6氢气的灵敏度提高约20倍;n(Cu2+)/n(Sn4+)≈0.01时,元件对体积分数为4 000×10-6氢气的灵敏度高达约42。     

二氧化硅表面负载纳米级SnO_2-CuO复合材料的制备工艺研究

以有机改性的SBA-15为载体,采用化学共沉积法制备了一种负载纳米金属氧化物SnO2-CuO/SBA-15新型材料,通过IR、UV和SEM表征其结构和形貌。考察了影响材料性能的几个主要参数。通过正交实验得到工艺优化条件为:原料配比n(Sn)∶n(Cu)=1∶3,反应时间为3 h,反应温度为70℃。     

溶胶-凝胶法TiO2粉体的制备及表征

采用了一个新的体系合成TiO2粉体,在这个体系中,以钛酸四丁酯为前驱体,盐酸为稳定剂和催化剂,冰乙酸作为抑制剂。对制备TiO2粉体的影响因素进行了分析,并用TEM、XRD对该粉体进行了表征。     

水热法制备锑掺杂SnO2纳米粉体的研究

用SnCl4·5H2O和SbCl3作前驱体用水热法合成了Sb掺杂的SnO2纳米粉体,并用DTA,XRD,TEM,FT-IR方法研究了纳米粉体的特性.XRD结果显示纳米粉体的尺寸为4 nm;随热处理温度升高,晶粒长大,表面积减少;TEM结果证实纳米颗粒是呈单分散状态.     

TiO2/SnO2光催化剂的制备及硫磷农药废水催化降解

在采用溶胶-凝胶法制备SnO2溶胶的基础上,制备出表面Ti／Sn原子比为85：15（XPS全谱分析）的TiO2／SnO2复合体光催化剂;用于硫磷农药废水的降解,试验结果表明：复合体光催化剂比单一TiO2催化剂的催化活性要高,其原因是由于复合TiO2／SnO2催化剂中SnO2可接收电子,减少了TiO2电子一空穴对的复合,从而提高其催化活性。     

Microstructure,optical and magnetic properties of Zr-doped SnO synthesized by the hydrothermal method

Sn_1?xZr_xO was successfully synthesized by the one-step hydrothermal method. X-ray diffraction and Raman patterns reveal that the lattice distortion of SnO occurs with an increase in Zr concentration, and Zr ions are located at the substituted (Zr_Sn) and interstitial (Zr_i) sites successively. Scanning electron microscope and transmission electron microscope images showed that Zr concentration does not affect the well-crystalline nature of Sn_1?xZr_xO. However, the system's morphology changes from three-dimensional flowerlike to two-dimensional sheetlike. Furthermore, X-ray photoelectron spectroscopy and Raman spectra indicate that there are inherent oxygen vacancies (V_O) in pure SnO lattice. UV–Visible absorption spectra show that the optical bandgap first decreases and then increases with Zr doping, which is explained by the sp–d exchange interactions in the case of Zr_Sn and the Burstein–Moss effect in the case of Zr_i. Additionally, Sn_1?xZr_xO samples exhibit room temperature ferromagnetism (RTFM), and the magnetic variation couples with the variation of the relative intensity of the Raman vibration modes. From the experimental results and the first-principles calculations, it can be seen that V_O and the exchange interaction between Zr 4d and O 2p states are accountable for the RTFM of Sn_1?xZr_xO. Meanwhile, the lattice distortion and the Zr–O–Zr super-exchange interaction caused by excessive doping could decrease FM.