等离子技术在高性能粉体制备中的应用

颗粒是物质在自然界中赖以存在的基本形式之一,颗粒的集合体称之为粉体。按粒径的不同,粉体又可分为普通粉、微粉及超微粉（亦称超细粉）。其粒径界限尚无统一的严格划分〔１～３〕。目前,一般将超微粉定义在１～１００ｎｍ范围〔４〕,微粉的粒径则在亚微米至数微米,粒径更大者即为普通粉体。不同行业、不同技术领域分法有很大差别〔５〕。制取粉体的方法有两种,一是粉碎,二是合成。粉碎法是自从人类社会出现加工技术以后制备粉体的主要方法,尤其是对制备普通粉体和部分微粉,目前仍然如此;而对制备超微粉来说,则主要是靠合成技术…     

AlN粉体制备技术研究进展

直接氮化法和碳热还原法是现代规模化制备AlN陶瓷粉体的主要方法。本文结合最新研究成果,分析了这两大类A1N粉体制备方法的优缺点,探讨了今后A1N粉体制备技术发展需要解决的关键问题。     

电子陶瓷用钛酸钡粉体制备工艺及其发展

对近年来国内外电子陶瓷用钛酸钡粉体制备工艺及发展进行了综述，指出了水热法由于其优良特性在近年来受到广泛关注，并预测用水热法和其它各种方法相结合的工艺必将在日后制备电子陶瓷用钛酸钡粉体工艺中占据重要地位。     

熔盐法在无机材料粉体制备中的应用

介绍了一种新的无机材料粉体的制备方法熔盐法,以及该方法的部分应用.以该方法制备无机材料粉体操作简便,合成温度较其它合成方法低,合成的产物纯度高,各组分配比准确,无偏析,且通过调整原料与盐的比例、熔盐的种类以及合成温度还可以控制粉体颗粒的形貌与尺寸.认为该方法具有很广阔的应用前景.     

纳米ITO粉体制备中试剂及影响因素的研究

铟锡氧化物（Indium tin oxide）是一种优良的透明导电氧化物材料。叙述并对比了目前制备ITO粉体的几种方法的优缺点。对其中的化学共沉淀法和化学滴定法，讨论了从铟锡化合物的物理化学性质来选择原料和沉淀剂，分析了制备过程中各种离子的浓度、沉淀时的温度、终点pH值、煅烧温度的范围及时间、分散剂等影响因素。     

纳米BaTiO3粉体制备技术的研究进展及展望

本文对目前合成纳米钛酸钡粉体的主要方法进行了综述,详细介绍了各种制备方法,并分析了它们的优缺点,指出了纳米钛酸钡粉体合成未来发展的方向是在对合成BaTiO3纳米颗粒的过程机理进一步深入研究的基础上,改善工艺条件,研制、开发高产率、高质量且低成本的工业化设备。     

粉体制备中的逆粉磨行为

通过在水泥制备过程中所发生的现象,初步探讨在粉体制备过程中"逆粉磨"行为发生的机理,并通过使用分散剂,证明分散剂能有效地推迟"逆粉磨"行为。     

纳米ITO粉体制备中试剂及影响因素的研究

铟锡氧化物(Indium tin oxide)是一种优良的透明导电氧化物材料.叙述并对比了目前制备ITO粉体的几种方法的优缺点.对其中的化学共沉淀法和化学滴定法,讨论了从铟锡化合物的物理化学性质来选择原料和沉淀剂,分析了制备过程中各种离子的浓度、沉淀时的温度、终点pH值、煅烧温度的范围及时间、分散剂等影响因素.     

化学共沉淀粉体制备ZnO压敏电阻

本文采用化学共沉淀法制备了颗粒细、活性好的ZnO压敏电阻粉体,表征了粉体的性能．利用共沉淀粉体制备了α＝50、压敏电压高、通流能力大的压敏电阻．与传统氧化物机械混合粉体制得的压敏电阻比较,共沉淀粉体获得的压敏电阻微观结构均匀．     

高纯氧化铝粉制备研究进展

高纯α-Al2O3粉是制造高科技产品的重要原料,其优异的性能和广阔的应用前景引起了业界的广泛关注。介绍了α-Al2O3的主要制备方法和近几年研究进展,比较了各种方法的优缺点,从生产成本、工艺流程复杂程度和环境污染等方面进行了重点分析,提出了制备高纯α-Al2O3粉体的新方法。     

碳化硅超细粉的制备新法

用一种新的方法———双重加热法制备了直径在 5 0～ 6 0nm范围内的SiC超细粉 ,用化学分析方法、X射线衍射、透射电子显微镜等手段对SiC超细粉进行了表征。研究结果表明 ,用双重加热法制备SiC超细粉的最佳温度为135 0℃ ,恒温时间为 6 0min ,SiC超细粉的产率可达 98% (质量分数 )左右     

微波加热焦碳与石英砂合成SiC粉体

以粒度为～2μm,5～20μm,100～200μm的焦炭颗粒,粒度为～1μm的石英砂粉体为原料,采用微波加热合成了碳化硅粉体.在1600℃下保温30min,反应能完全进行,合成产物中β-SiC的含量达到98%以上.得到的SiC粉体具有与焦炭颗粒近似的颗粒尺寸.研究表明,微波加热具有节能快速的优点,能显著地促进反应的进行.     

聚变堆结构材料SiC/SiC的研究进展

SiC/SiC复合材料具有优异的高温强度、抗蠕变性能、耐腐蚀和热冲击性能、假塑性断裂行为以及在聚变环境下固有的低诱导放射性和放射余热,被公认为是聚变堆结构的候选材料,在国际上很多反应堆概念设计中颇受瞩目.综述了几十年来世界范围内对聚变堆包层结构应用背景下的SiC纤维、SiC单体、纤维一基体界面以及SiC/SiC复合材料的研究进展,阐述了对该复合材料辐照效应的研究现状,并在此基础之上指出了目前SiC/SiC复合材料应用于聚变堆包层结构材料的限制因素.     

碳化硅多孔陶瓷制备技术研究进展

分别对碳化硅多孔陶瓷的主要制备方法进行了阐述，分析了这些制备方法的主要优缺点，并指出将来的研究重点应是高性能碳化硅多孔陶瓷的低成本制备技术及其应用领域的进一步拓展。另外，各种制备工艺条件同碳化硅多孔陶瓷性能之间的内在联系研究也应该进一步深化。     

铜包裹碳化硅颗粒复合粉体的化学原位沉积制备与表征

以铜氨离子为铜源, 水合肼为还原剂, 在表面预氧化的SiC表面, 采用一步原位化学沉积法制备了均匀包裹Cu颗粒的SiC复合粉体. 采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FT-IR)、Zeta电位等测试表征手段研究了工艺条件对原位沉积反应的影响. 研究发现SiC表面预氧化形成的SiO2层能显著增强对铜氨离子吸附能力, 有助于原位还原生成单质Cu, 形成近乎连续包裹层. 控制反应体系中铜氨离子浓度和反应温度可以影响反应速率, 从而控制Cu颗粒的沉积速率和包裹效果. 对比研究表明, 在0.2 mol/L铜氨离子溶液中70℃反应, 在预氧化的SiC表面能够获得最佳包裹层.     

聚变堆结构应用SiC/SiC热导率的研究进展

得益于其优异的高温性能和韧性断裂行为以及聚变环境下的低诱导辐射,SiC/SiC复合材料在聚变堆结构应用方面有着巨大潜力.由于传统SiC/SiC复合材料的热导率难以达到要求,近年来越来越多的研究机构将研究重点放在提高该材料的热导率上.介绍了聚变堆结构应用背景下提高SiC/SiC复合材料热导率的途径及方法,综述了世界范围内该领域的研究进展,并在此基础上展望了SiC/SiC复合材料热导率的研究前景.     

凝胶浇注成型制备致密 SiC陶瓷材料

采用一种凝胶浇注成型预配液作为陶瓷粉体的分散介质,将亚微米级SiC粉体和烧结助剂Y2O3、Al2O3直接混合,制得了固含量>50vol％的凝胶浇注浆料,在100s-1的剪切速率下,浆料粘度<1Pa·s,可以顺利实现凝胶浇注成型;对得到的SiC素坯进行了无压烧结．在2000℃保温1h(氩气氛)的烧结条件下,烧结体相对密度为(98．1±0．2)％,抗折强度、硬度和韧性分别为(722±70)MPa、(20．18±0．75)GPa、(4．00±0．20)MPa·m1／2．     

SiC纳米线的制备研究现状与展望

综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作.介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法,并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作,对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望.     

干法纺丝法制备低氧含量SiC纤维

通过粘度、凝胶含量和XRD等手段研究了聚碳硅烷(PCS)纺丝原液的干法纺丝性能和干纺PCS纤维的自交联过程, 并对所制得的低氧含量SiC纤维的组成、结构和性能进行了表征. 结果表明, PCS/二甲苯纺丝原液的最佳纺丝粘度范围在18.0～22.0Pa·s; 干纺PCS纤维在烧成温度超过250℃后开始发生自交联反应, 在烧成温度超过550℃后, 干纺PCS纤维完全交联形成了“不熔不溶”的网状结构; 干法纺丝法制备得到的SiC纤维与空气不熔化法制得的SiC纤维相比, 氧含量大幅降低, 仅在3.6wt%左右, 结晶度较高, 其耐高温抗氧化性也有明显的改善.     

制备工艺对热压烧结SiC/SiC复合材料结构与性能的影响

采用纳米SiC和亚微米SiC粉料作为基体形成原料,通过热压烧结技术制备了SiC/SiC 复合材料.研究了粉料颗粒、烧结温度、烧结压力对复合材料显微结构和各种性能的影响.结果显示,采用纳米碳化硅粉体可有效降低烧结温度,促进复合材料的致密化过程,在1780℃、20MPa条件下可获得性能优良的复合材料.而采用亚微米SiC粉体,复合材料的致密化过程需要较高的温度,但随着密度的增加,基体与纤维之间的作用力增强,不利于性能的提高.