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对于高速数字和其它类似的系统来说,能够提供低的Dk值和低损耗特性的材料已经成为一个基本要素。对原始设备制造商而言,在某种意义上,在一个高层数板设计中得到一个能够提供完美的信号完整性的解决方案已经成为“神圣之杯”。在很多新设计中,传统的环氧/玻纤材料已经不能满足电气特性的要求。生产高速光学路由器、开关、网络、服务器等的原始设备制造商都需要具有低介电常数(Dk)和损耗因子(Df)的材料来进一步提高产品性能。通过用更薄的介质层厚度来保证特性阻抗值,更低的介电常数可以允许更快的信号传输速度和更高的封装密度。更高的损耗… 相似文献
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介质材料的相对复介电常数可以用ε_r=ε(1-jtgδ)表示,式中ε为相对介电常数,tgδ为损耗角正切.我们在日常科研和生产中经常用到某些陶瓷、塑料或玻璃钢等介质材料,它们的相对介电常数小于10,损耗角正切小于0.1,可以称之为低介电常数、低损耗介质 相似文献
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高频PCB基材介电常数与介电损耗的特性与改性进展 总被引:1,自引:0,他引:1
随着高频化PCB技术与产品占有越来越重要的地位,高频电路基板材料的发展也出现了高速化,其中比较重要的一方面就是低介电常数和低介质损耗因数的材料的选择,这是PCB基板材料实现高速化,高频化的重要性能项目。文章针对基板材料的介电常数与介电损耗的关系加以论述,并对它们与外部环境的关系做出相应的阐述,使得在PCB的制造中对各种基板材料进行合理正确的评估和使用。 相似文献
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随着通讯技术的发展,越来越多的设计需对材料及印制板的高频和其它特性有所关注。 本文列举了微波用印制板材料的一些主参数,如介电常数、介质损耗、热膨胀系数、介电常数对热的变化等,旨在帮助设计师和印制板制造工程师更好地了解微波板材,并进行正确的选择。 相似文献
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低介电常数的环氧玻纤布覆铜板 总被引:1,自引:0,他引:1
1 前言 近年来,随着电子技术的迅速发展,信息处理和信息传播高速化,对印制电路用覆铜板提出了更高的要求,迫切希望提供一种能适合高频条件下使用的低介电常数的板材。2 高频材料的选择 相似文献
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文章介绍了电路板用的低介电纤维及其制作纤维布和电路板基材的实验。通过将环烯烃共聚物(COC)纤维与玻璃纤维结合在独特的混合布中制成低介电(εr3.08,Dk0.013)电路板基材;将混合布中环烯烃共聚物纤维熔化构成树脂的一种成分,制成εr3.25,Dk0.0013电路板基材;将含环烯烃共聚物纤维混织布涂上独特的低介电树脂制成εr2.8,Dk0.0009电路板基材的试验,表明环烯烃共聚物纤维布是一种新型的性能优异的电路板增强材料。 相似文献
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Shi-Jin Ding Hang Hu Lim H.F. Kim S.J. Yu X.F. Chunxiang Zhu Li M.F. Byung Jin Cho Chan D.S.H. Rustagi S.C. Yu M.B. Chin A. Dim-Lee Kwong 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(12):730-732
For the first time, we successfully fabricated and demonstrated high performance metal-insulator-metal (MIM) capacitors with HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate dielectric using atomic layer deposition (ALD) technique. Our data indicates that the laminate MIM capacitor can provide high capacitance density of 12.8 fF//spl mu/m/sup 2/ from 10 kHz up to 20 GHz, very low leakage current of 3.2 /spl times/ 10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 3.3 V, small linear voltage coefficient of capacitance of 240 ppm/V together with quadratic one of 1830 ppm/V/sup 2/, temperature coefficient of capacitance of 182 ppm//spl deg/C, and high breakdown field of /spl sim/6 MV/cm as well as promising reliability. As a result, the HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate is a very promising candidate for next generation MIM capacitor for radio frequency and mixed signal integrated circuit applications. 相似文献
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Shi-Jin Ding Hang Hu Chunxiang Zhu Sun Jung Kim Xiongfei Yu Ming-Fu Li Byung Jin Cho Chan D.S.H. Yu M.B. Rustagi S.C. Chin A. Dim-Lee Kwong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2004,51(6):886-894
High-performance metal-insulator-metal capacitors using atomic layer-deposited HfO/sub 2/-Al/sub 2/O/sub 3/ laminate are fabricated and characterized for RF and mixed-signal applications. The laminate capacitor can offer high capacitance density (12.8 fF//spl mu/m/sup 2/) up to 20 GHz, low leakage current of 4.9/spl times/10/sup -8/ A/cm/sup 2/ at 2 V and 125/spl deg/C, and small linear voltage coefficient of capacitance of 211 ppm/V at 1 MHz, which can easily satisfy RF capacitor requirements for year 2007 according to the International Technology Roadmap for Semiconductors. In addition, effects of constant voltage stress and temperature on leakage current and voltage linearity are comprehensively investigated, and dependences of quadratic voltage coefficient of capacitance (/spl alpha/) on frequency and thickness are also demonstrated. Meanwhile, the underlying mechanisms are also discussed. 相似文献
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文章介绍了采用氰酸酯树脂、双马来酰亚胺、环氧树脂共混体系研制一种用于IC封装基板领域的高性能覆铜板。所研制的覆铜板与环氧树脂体系覆铜板相比,具有高Tg、低介电常数、低CTE的性能。 相似文献
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用时域有限差分法研究了光在部分无序二维光子晶体中的透射特性。结果表明:介质柱的位置和大小无序都对光子晶体的高频透射特性都有影响而对低频几乎无影响,随着无序度增大,禁带呈现拓宽的趋势。仅介质柱的位置无序变化时,每个带隙低频端边缘比高频端边缘对无序度变化更敏感。仅介质柱的大小无序变化时,每个带隙间的通带频率越高对无序度变化越敏感。介质柱的大小无序和位置无序度相同时,在高频段后者比前者作用更显著。 相似文献