提高电镀填盲孔效果的研究

随着电子产品的持续发展,HDI印制电路板的应用越来越广泛,本文通过正交实验优化电镀填孔工艺参数,并通过控制变量法研究了通孔孔径及位置对盲孔电镀填孔效果的影响,并以金相显微镜分析盲孔的凹陷度作为考察指标。研究结果表明采用优化参数能够降低盲孔填充凹陷度,通孔对盲孔的填孔电镀效果会产生影响,随着通孔孔径的增大,对盲孔的填孔电镀越有利,同时实验还发现,若在孔金属化后通孔孔壁与盲孔底部铜层电导通有利于盲孔的填孔。     

不同电流密度对直流电镀填盲孔的影响研究

电镀填盲孔是HDI加工的一个重要工序。本文通过研究不同电流密度在不同电镀时间内的填孔行为,并尝试通过采用组合电流密度来提升电镀填盲孔效果,从而实现降低填孔镀铜量的目的。     

电镀填孔超等角沉积(Super Filling)影响因素探讨

超等角沉积在电镀填充盲孔过程中扮演重要角色,其主要通过添加剂作用加速盲孔底部并抑制面铜及孔口电沉积速度,形成超等角沉积模式以最终达到盲孔填充。本文通过与生产制程相结合,对电镀填孔过程中影响超等角沉积的因素进行探讨,主要包括形成超等角沉积过程中添加剂作用机理、盲孔厚径比、孔型以及喷流量等影响因素。     

HDI印制电路板水平脉冲电镀填孔技术的研究

目前HDI印制电路板盲孔电镀填孔通常是采用水平电镀加垂直连续电镀填孔然后再减铜的方法,该方法工序复杂、耗时长且浪费电镀液。相反采用水平脉冲电镀填孔技术,可以简化工序,不需要减铜,节约了成本。本文主要采用水平电镀+水平填孔的方式实现一阶盲孔填孔,进行正交试验获取最佳的工艺参数,并通过金相显微切片观察和热应力测试来分析盲孔填孔效果。研究结果表明采用优化后参数进行水平电镀填孔,可以实现可靠的盲孔填孔,同时控制Dimple<10 m,超出了IPC标准Dimple<15 m的要求。     

PCB盲孔填孔电镀中光泽剂及工艺条件的影响研究

采用自制电镀设备研究光亮剂、整平剂及润湿剂在盲孔电镀中的作用机理,以及喷压、电流密度、阴阳极距离等工艺条件对填孔率的影响。实验结果表明,各添加剂在氯离子的协同作用下对填孔起着至关重要的作用。适宜的喷压有助于将药水带进盲孔内,电流密度及其组合对电镀填孔影响较大,阴阳极距离保持在5cm左右填孔效果最佳。     

高密度互连印制板电镀填盲孔技术

主要介绍了电镀填盲孔的过程机理和影响填孔效果的因素,重点探讨了电镀设备、电镀参数、添加剂等对电镀填孔效果的影响,突出讲解了电镀填盲孔技术的控制重点和难点等内容。     

新型HDI盲孔填孔电镀铜技术

高密度互连(High Density Interconnect Board,HDI)印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率...     

图解电镀铜填孔机理

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,本文根据过程监控切片图,简述填孔电镀作用机理,分别介绍了CEAC、CDA电镀铜填孔机理和孔壁铜完整性对电镀铜填孔的影响,以期加深广大PCB业者对盲孔电镀铜填孔工艺的了解。     

添加剂在电镀填微盲孔不同阶段作用机理研究

通过研究新一代填孔药水的填孔过程,验证了分阶段式的电镀填微盲孔过程。在此基础上,采用控制断电流法着重研究了填孔过程前两个阶段添加剂对电镀填孔的作用情况。结果发现,在填孔起始期断电流对填孔品质的影响要大于在爆发期内断开电流,且不同的断电流持续时间对填孔影响有较大差异。文章从添加剂作用的角度分析了引起填孔差异的原因,加深对电镀填孔不同阶段添加剂作用机理的理解。     

高厚径比盲孔HDI板水平脉冲电镀参数的研究

该文主要通过DOE试验,研究了水平脉冲电镀参数如传送速度,正向电流密度,反向电流密度,正反向脉冲时间及部分参数间的交互作用对高厚径比盲孔的 HDI板电镀均匀性和铜厚的影响,找出高厚径比盲孔 HDI板电镀的最佳电镀工艺参数。同时应用于二阶盲孔HDI 板的电镀。     

纳米化学复合镀的开发及在PCB制造中的应用研究

化学镀表面处理技术使用范围很广,镀层均匀、装饰性好;在防护性能方面,能提高产品的耐蚀性和使用寿命;在功能性方面,能提高加工件的耐磨性和导电性、润滑性能等特殊功能,因而成为表面处理技术的一个重要部分。钠米化学复合镀是在化学镀液中加入纳米粒子,使其与化学镀层共沉积的工艺技术。文章主要研究在化学镀Ni-P中加入纳米颗粒,在基体表面沉积具有镀厚均匀、耐磨、耐腐蚀、可焊的纳米复合镀层,阐明镀液组成和工艺条件对沉积速率、镀液稳定性、镀层与基体的结合力的影响,获得钠米化学复合镀技术的工艺参数,并对纳米复合镀层的性能进行了研究。     

PCB高稳定性中速化学镀铜工艺研究

主要研究微量添加剂对化学镀铜镀液沉积速率及镀液稳定性的影响,通过试验筛选合适的微量添加剂,在不改变化学镀铜镀液主反应物质含量的情况下实现镀速提高和镀液稳定性增加。开发出的高稳定性中速化学镀铜工艺,其性能满足PCB工业化生产。     

激光增强电镀铜

1.激光增强电镀属于液相激光化学沉积,它也是一种可以不用掩模而直接制作微细金属原图的新技术。美国IBM公司及其他一些研究部门从七十年代末开始在这一方向进行了一系列研究。近年来我们对激光增强电镀的机理和规律作了实验探讨,观察到电镀的激光增强效应,实验得到的激光电镀速率为0.1～1μm/s量级,比无激光照射时的常规电镀速率高600～1200倍。利用这一新技术我们得到了直径(宽度)为数十微米的铜镀点和镀线。     

表面镀镍对活性炭织物电极材料性能的影响

选用活性炭织物ACF507,利用热喷涂技术进行表面镀镍处理,研究了处理前后炭织物的电化学性能。结果表明,镀镍后活性炭织物表面电导率提高42.53%,其作为双电层电容器电极材料在质量分数为30%KOH电解液中的Res由1.15Ω降至0.42Ω,降幅达63.5%;随电流密度增加,镀镍样品的VIR增加幅度较镀镍前降低70.6%,导电性显著提高。在不同扫描速率下,镀镍后样品循环伏安曲线均呈明显的矩形电势窗口,说明其具有良好的电容行为和双电层特征。     

Anisotropic deposition of copper by H-assisted plasma chemical vapor deposition

In order to fill small via-holes and trenches for ultralarge scale integration (ULSI) interconnects, we propose an anisotropic chemical vapor deposition (CVD) method by which Cu is deposited at a high rate at the bottom of a trench compared to that at its side wall. The ion irradiation is the key to realize the anisotropic CVD. The anisotropy, which is a ratio of deposition rate at the bottom of a trench to that at its side wall, tends to increase with energy as well as flux of ions (H₃⁺ is the predominant ion) impinging on the substrate surface, while it does not depend on H flux. We demonstrate promising anisotropic filling of trenches by the anisotropic CVD method.     

陶瓷表面激光无钯活化及其化学镀镍

为了实现陶瓷基体表面无钯化学镀镍,以10g/L NiSO₄·6H₂O和45g/L NaH₂PO₂的混合溶液为活化液涂覆于基体表面,利用激光扫描后使基体活化,再进行化学镀镍。研究了激光功率、光斑直径以及扫描速率对镀层覆盖率的影响,通过扫描电镜观察了粗化、活化以及施镀后的微观形貌,并对活化及施镀后的基体表面进行了成分分析,对镀层结合性、导电性以及可焊性进行了检测。结果表明,当以激光功率为3W、光斑直径为2mm、扫描速率为5mm/s对基体进行扫描时,基体表面生成一层平均直径为0.1μm的Ni微粒;施镀后,镀层覆盖率为100%;镀层微观表面平滑、致密,晶胞直径均在10μm以上;镀层中P的质量分数为0.0771,为非晶态结构,具有良好的耐磨性和耐腐蚀性能;镀层具有较强的结合性和良好的可焊性,电阻率为7.67×10-5Ω·cm,为良导体。该工艺成本低、无污染,能实现陶瓷基体表面局部化学镀镍,通过对激光的运动控制,能够使基体表面沉积各种精细图形,具有一定的实用价值。     

Investigations regarding Through Silicon Via filling for 3D integration by Periodic Pulse Reverse plating with and without additives

In this contribution we show experimental investigations regarding Periodic Pulse Reverse (PPR) plating for the filling of Through Silicon Vias that are aimed for the use in 3D integration applications. The purpose of this method is to prevent the use of plating additives that induce high process complexity in terms of process control and high process costs due to the high consumption of those additives. We therefore compare the effect of PPR plating without additives to that effect of PPR plating with additives. In first results with non-optimized PPR plating we already show the large gain in step coverage during TSV filling compared to standard DC plating.     

激光诱导硅表面化学镀镍

利用激光诱导化学镀技术,首次在硅片上沉积出金属镍。研究了沉积速率与各实验参量的关系,并对积沉斑的形状进行了分析和讨论。