热氮化二氧化硅膜的研究

用氨气对热生长的二氧化硅膜进行了氮化处理,测试了膜的电学特性,并研究了工艺对它们的影响。实验发现,热氮化二氧化硅膜兼有二氧化硅与氮化硅膜的优点,而且界面电荷在较大范围内具有可控的特点。用AES表面分析技术研究了热氮化二氧化硅膜的结构。还探讨了二氧化硅膜热氮化的机理。     

半导体用超薄介质膜的生长和特性

随着集成电路器件物理尺寸的减少,介质膜的厚度也必然相应减少。而介质膜厚度的减小又会产生一些不希望有的物理的和电学的效应,特别是通常采用的二氧化硅介质膜厚小于15nm时,这些影响更为突出。在介绍这类薄二氧化硅的生长动力学和特性时,还分析了用氮氧化硅或氮化硅来代替二氧化硅的可能性,并对这种介质的性质及其在未来半导体工艺中应用的可能性作了比较。     

超薄LPCVD二氧化硅膜栅介质

本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做MOS晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的超薄的LPCVD二氧化硅膜经快速热退火或热氮化后做MOS晶体管的栅介质，其电学特性优于热生长二氧化硅膜做栅介质的MOS晶体管。在低温器件及超大规模集成电路中有广泛的应用前景。     

MOS结构二氧化硅层中电子热化与击穿

本文讨论了ＭＯＳ结构的二氧化硅膜中电子热化现象的实验证据，表明：当氧化物电场≥５ＭＶ／ｃｍ时，注入到二氧化硅膜中的电子逐渐地热化，热电子在二氧化硅膜中产生新的电荷陷阱中心，当电荷陷阱中心的密度增大到一定程度时，导致二氧化硅膜的电击穿。     

微通道板SiO2防离子反馈膜技术研究

本文利用射频磁控溅射方法,在微通道板输入面上成功地制备出二氧化硅防离子反馈膜。通过对二氧化硅防离子反馈膜的电子透过特性测试,给出了特性曲线。利用蒙特卡罗模拟方法对二氧化硅和三氧化二铝两种防离子反馈膜的电子透过和离子阻止能力进行了分析和比较,得出了二氧化硅薄膜比三氧化二铝薄膜对电子的透过特性稍好,而后者比前者对离子的阻止能力较优越的结论。     

二氧化硅膜的减压淀积

我们在一个减压CVD反应器中,于700～750℃下用四乙氧基硅烷(TEOS)分解法,在硅衬底上淀积出了二氧化硅膜。淀积速率为200～300埃/分。在能装载100片的淀积区,淀积膜厚的均匀性优于1％。台阶覆盖性良好,缺陷密度很低,膜的应力是压应力而且很小。膜的折射率,红外质谱和密度与常压淀积的二氧化硅膜相同。系统中添加磷化物使淀积速率增加,膜厚的均匀性变坏。因此,这种反应并不能适用于淀积集成电路所用的掺磷二氧化硅膜;然而,对非掺杂的二氧化硅膜淀积工艺来说,这种反应似乎是一个很好的工艺过程。     

在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究

本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火（RTA）形成的多晶硅化镍膜的电特性，对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜，测试了其到衬底的泄漏电流，发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质，采用准静态C－V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应（PDE），并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响，结果表明，即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜，也未曾观察到PDE。     

掺入有机硅提高溶胶-凝胶二氧化硅减反膜的稳定性研究

膜层稳定性对于激光器能否长期稳定使用极为重要。多孔SiO2减反膜经热处理后,结构中还存在许多Si-OH亲水基团,透过率稳定性受环境相对湿度的影响较大。向膜层中掺入有机硅,添加疏水基团,提高了膜层的疏水性,增强了膜层的透过率稳定性。膜层中加了Si-CH3疏水基团,膜层的疏水性大大提高;当Si-CH3与二氧化硅悬胶体中的Si的摩尔比为1/5.7时,即Si-CH3质量分数为0.35%时的二氧化硅膜层,其减反效果好,疏水性也高,从而大幅度提高了膜层的透过率稳定性,延长了膜层的寿命,对二氧化硅膜层具有高激光损伤阈值的性能没有影响。     

电子束成象制作图形的新方法探索

本文介绍了利用电子束成象在硅衬底上的薄二氧化硅膜中制作图形的一种新方法。所得的电子象,利用聚脂型反应媒介物并通过氢氟酸汽相腐蚀,不仅可以在二氧化硅膜上形成正图形,而且可以形成负图形。     

VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

介绍了大规模集成电路中两种ＣＶＤ二氧化硅膜的淀积，并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出ＴＥＯＳ淀积方式，是今后集成电路中ＳｉＯ２淀积的主流工艺。     

二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究

用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜，并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示，在超薄范围二氧化硅呈层状生长，不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约3eV，形貌对二氧化硅带宽的影响小于膜厚的影响。     

InSbCID焦平面器件中介质膜的制备和应用

本文介绍了等离子增强化学汽相淀积(简称PECVD)二氧化硅的生长原理.用硅烷(SiH_4)和二氧化碳(CO_2)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度.在60～300℃下,SiH_4流量为0.5～2.0升/分,CO_2流量为0.2～1.5升/分,淀积压力为0.8～3.5托,射频功率为20～50瓦,极板间距为12～20.5毫米的条件下淀积二氧化硅膜.给出了射频功率、淀积压力、气体流量比等对淀积速率的影响以及红外光谱分析结果.其次,简述了PECVD二氧化硅钝化膜的性能及其在全单片锑化铟红外电荷注入器件(FMInSbIRCID)研制中的应用情况.     

硅的高压氧化

本文简要地介绍了硅的高压氧化概况。着重叙述我们目前采用的一种高压水汽氧化方法及其一些实验结果。实验表明本方法对于制备厚膜二氧化硅(>2微米)是简易可行的。同时,介绍了一些用氮化硅掩蔽进行硅的局部氧化试验情况。     

用离子微探针研究不同钝化膜对钠离子的掩蔽能力

用离子微探针测定二氧化硅、非晶硅和氮化硅三种钝化膜对钠离子的掩蔽能力,结果表明,非晶硅膜具有最好的掩蔽能力。由此可见,非晶硅膜可作为特种器件的钝化保护膜。     

注入衰降引起的硅／二氧化硅／金属系统的电物理参数变化

注入衰降引起的硅／二氧化硅／金属系统的电物理参数变化＝［刊．俄］／－１９９３．２２（２）．－２０～２６从硅中向二氧化硅膜中注入载流子电荷，伴随有金属－介质－半导体结构衰降，根据注入到二氧化硅层中载流子数量而逐渐发生。在注入过程中，二氧化硅层中和硅二氧...     

蒽基磷酸衍生物自组装膜修饰的有机薄膜晶体管

本工作主要介绍一种利用新型磷酸衍生物作为分子自组装膜来修饰二氧化硅介电层,从而提升有机薄膜晶体管性能的方法。将红荧烯真空蒸镀到这种分子自组装膜修饰的基片表面制备的晶体管其空穴迁移率为0.18cm2/Vs , 比裸二氧化硅作介电层的晶体管性能有10多倍的性能提升。研究表面这种磷酸衍生物自组装膜在促进红荧烯蒸镀成膜方面有特殊作用,可以诱导其形成有序结晶膜,从而提高晶体管整体性能。     

用喇曼光谱术研究注硼硅片的损伤分布

实验用的原始单晶硅片取向[111],电阻率约10Ω-cm,在室温下以7°倾角注B~ ,离子束流10 μA,能量60keV,注入剂量7×10~(15)cm~(-2)。每块样品一半为离子注入区,一半为非注入单晶区。把每块样品各在乙二醇 硝酸盐 水的溶液中阳极氧化不同时间,长出不同厚度的二氧化硅层,并用椭圆偏振仪测出二氧化硅膜厚度,然后用氢氟酸除去二氧化硅膜,乘     

来自硅的雪崩载流子注入时MNOS结构介质膜中的荷电现象

来自硅的雪崩载流子注入时ＭＮＯＳ结构介质膜中的荷电现象＝［刊．俄］／－１９９３．２２（２）．－３１～３７金属（或重掺杂半导体）－氮化硅－二氧化硅－硅（ＭＮＯＳ）结构，在现代微电子学中有着广泛的应用。显然，和热生长二氧化硅膜相比。上述双层电介质具有一系...     

LPCVD淀积LTO工艺研究

集成电路集成度的提高,特别是等离子刻蚀工艺的广泛应用,对LPCVD淀积的二氧化硅薄膜的质量,提出了更高的要求。分析了LPCVD系统的气体弥散管和石英笼罩舟的结构及其对改善LTO膜均匀性的作用,研究了腔室压力和反应气体流量比对LTO薄膜均匀性的影响。     

快速间隙式加料法制备单分散二氧化硅微球

应用快速间隙式加料法制备了单分散二氧化硅亚微米粒子。粒径可控,单分散性良好。该方法可以1h之内将113nm的种子SiO2粒子增长到429nm。本方法制得的二氧化硅粒子可以用来制备具有优良的光学性能的光子晶体膜。