降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。对功率MOSFET的要求同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示,它是由带驱动MOSFET的控制器及外接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前,Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET,因为它们能满足DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。开关管与同步整流管的工作条件不同,其损耗也不一样。…     

理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性

半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管,其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比,其反向恢复速度要低很多,反向恢复电荷也要大很多,因此反向恢复的特性较差。这样,导致二极管的开关损耗增加,降低系统的效率,同时,也会产生较高的振铃,影响功率MOSFET的安全工作。功率MOSFET数据表中,通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间,并没有给出和实际应用相关     

一种新型降压式同步整流开关电源设计

设计了一种同时应用同步整流和ZVT软开关技术的新型开关电源变换电路。在整流部分应用阻抗更小的MOSFET代替传统二极管实现了同步整流。采用软开关技术实现了开关管的导通或关断时,在零电压或零电流条件下完成。同时,利用PSIM软件对所设计的拓扑结构进行了模拟仿真,仿真结果表明,所设计的电路有效提高了变换器的整体效率,并减少了物理器件损耗。     

一种新型的高效率高压同步整流电路设计

设计了一种用于AC-DC电源适配器的同步整流电路,集成了同步整流控制芯片、功率MOSFET和储能电容.该新型整流电路在无外部供电、无外部驱动信号、无外围元件的条件下能快速精确地开关功率MOSFET,实现同步整流功能.相比传统肖特基整流电路,该整流电路效率较高,外围器件少,适用范围宽.该同步整流电路芯片采用0.35μm高...     

同步整流的基本原理

同步整流技术采用通态电阻极低的电力MOSFET来取代整流二极管,能大大降低整流电路的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流器的需要.本文从分析《电力电子技术》教材中同步整流电路的原理图着手,介绍了电力MOSFET的反向电阻工作区及同步整流技术的基本原理,并对同步整流电路中的驱动电路和栅极电压波形进行了分析.     

同步整流式DC-DC电源变换器LM5025

<正> 同步整流技术是采用通态电阻极低的功率 MOSFET来取代整流二极管,因此大大降低整流电路的功率损耗,提高 DC-DC 变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。LM5025是 NS 公司推出的一款应用同步整流技术的正激式变换器 IC。利用它可直接构成高效率、低功耗、高可靠性、低压输入的 DC-DC 变换器,供通信、汽车和工业等设备使用。     

基于ICE2PCS01的有源功率因素校正的电路设计

针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题,提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌(Infineon)公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动MOSFET开关管,并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构,输入电流与基准电流比较后的误差电流经过放大,再与PWM波比较,得到开关管驱动信号,快速而精确地使输入电流平均值与输入整流电压同相位,接近正弦波。结果表明,该电路方案能大大减小输入电流的谐波分量,在AC176V-264V的宽电压输入范围内得到稳定的DC380V输出,功率因素高达0.98。     

同步整流功率MOSFET特性及研究现状

为了降低开关电源的功率损耗,同步整流技术采用功率MOSFET替代肖特基二极管,实现了更高的整流效率。简要介绍了同步整流技术的原理,并结合原理,深入分析了应用于同步整流的功率MOSFET与常规功率MOSFET在电学特性上的差异。总结了近年来同步整流功率MOSFET领域的研究进展。     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

一种高效率反激同步整流DC-DC

目前,小型机载电子设备对二次电源体积、输入电压范围、输出电压种类、功率及效率的要求越来越高。基于单端反激拓扑和辅助绕组自驱动同步整流结构,设计了一种多路输出DC-DC电路。分析了多路电源的损耗组成、影响因素和解决措施,以指导电路设计和元器件选型,最终确定系统设计方案。重点对反激变压器设计、同步整流驱动设计和同步整流轻载损耗较大的原因开展分析和研究。实验电路测试结果表明,设计的反激同步整流DC-DC电路满足指标要求。     

新品展台

JR全新MOSFET具备快速本体 二极管特性 功率半导体专家国际整流器公司目前推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列,新器件具备快速本体二极管特性,专为零电压开关(ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源(SMPS)电路中实现最大效率,并能提高功率输出,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信     

基于高频高压交流母线多组输出直流电源的研制

本电源是基于高频高压交流母线具有多组输出的直流电源，它具有高达200kHz的开关频率，后级的整流电路由于高频交流母线的存在，使得变压器和电感的设计变得简单，滤波电容的选择也更容易。本电源由PFC电路提供400V的高压直流输入，再由MOSFET组成全桥逆变电路，在固定额率的PWM发生电路和IR2110 MOSFET驱动电路作用下，只加—个谐振电感就可实现开关管的零电压开通，可在大大降低开关损耗和噪声的同时实现直流交流的变换。整流部分采用倍流整流电路以提高原边电压的利用率，可输出低压大电流。由于采用肖特基管，—方面可使得二板管的损耗可以接受，另外—方面还避免了采用同步整流电路所面临的电路结构复杂和驱动困难。     

三相单管零电流关断功率因数校正器的研究

介绍仅用一个主开关管及一个辅助开关提高设备的输入侧三相交流功率因数的零电流关断（ＺＣＳ）升压型变换器的基本电路,说明升压电感电流工作在不连续状态的必要性。采用三相整流电压的６次谐波前馈（注入）,以减小三相电源的５次庇波电流。减小主开关管关断损耗采用了零电流关断电路。     

IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性

功率半导体专家国际整流器公司 (InternationalRectifier,简称 IR)推出全新 6 0 0 V HEXFET功率MOSFET系列 ,新器件具备快速本体二极管特性 ,专为零电压开关 (ZVS)电路等软开关应用度身订造。ZVS技术能在开关式电源 (SMPS)电路中实现最大效率 ,并能提高功率输出 ,适用于当今效率和可靠性极为重要的高速、宽带电信及数据通信系统。最新 L系列 HEXFET MOSFET由于具备快速本体二极管特性 ,因此无需在 ZVS电路中添置额外肖特基及高压二极管 ,减少了元件数目 ,节省了电路空间。新器件有别于采用硬开关器件的桥式或功率因数修正…     

基于GaN器件车用电源变换器的分析和设计

电动汽车上低压用电设备的功率日趋提高,对于车载电源转换器的要求越来越高,采用GaN器件设计车用低压混合供电系统用电源变换器更符合未来发展趋势。文章选择适用于低压大电流输出场合的同步整流BUCK变换器作为主电路,给出了参数选择原则,设计控制和驱动电路。经损耗分析,结果表明,采用GaN器件可有效提高变换器的效率。     

IR StrongIRFET MOSFET新增60 V器件

正全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列,适合多种工业应用,包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。全新60 V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻(RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管,以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪     

集成肖特基二极管的沟槽功率MOSFET和DC-DC转换器的性能优势

发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。     

功率MOSFET的特性分析及应用

本文介绍了功率MOSFET的结构特点;着重分析了功率MOSFET的开关特性、驱动要求、(dv)/(dt)特性、功率损耗及其保护。同时对国内外应用功率MOSFET研制的高频开关电源的电路及指标进行了介绍。另外,还讨论了功率MOSFET的另一种应用,即用功率MOSFET代替肖特基二极管作低压同步整流器。     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

让高功率电源获得96％效率的交错式PFC控制器

如今很多大尺寸平板电视、高清电视,以及高端PC和入门级服务器的电源功率都超过300W,而以前具有高效率和低成本的BCMFPC转换器的最大功率约为300W。传统的临界导通模式（BCM）PFC控制器采用可变的开关频率,将电磁辐射分散到整个开关频率范围内,从而减小了EMI。MOSFET是零电流导通,不会在整流二极管上产生反向恢复损耗,所需的电感器较小,在检流电阻上的损耗也更少。