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WC粉体的高能球磨超细化 总被引:2,自引:1,他引:2
采用高能球磨工艺对WC粉体进行超细研磨。研究了粉体颗粒度及晶粒度的大小随球磨时间的变化关系。发现随球磨时间的增加 ,粉体颗粒度不断细化 ,最后趋于稳定 (0 .4μm) ;粒度分布曲线出现明显的三峰特征 ,分别位于细 (微米 )区、超细 (亚微米 )区和极细 (纳米 )区。研磨细化的WC粒子具有纳米晶 (1 0nm)结构。探讨了WC粉体高能球磨细化机理与纳米晶结构特性。 相似文献
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采用高能球磨Mg/B复合粉体作为前驱粉制备了MgB2超导块材,研究了球磨时间、烧结温度和时间等参数对MgB2超导块材致密度的影响,并理论分析了高能球磨Mg/B复合粉体的反应烧结致密行为。 相似文献
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研究了高能球磨过程中A1203相结构的变化。结果表明:随着球磨时间的延长,粉末中发生了γ-Al2O3→a—Al2O3的转变,这一点对于降低碳热还原反应激活能是不利的;高能球磨20h,A1203部分非晶化,而且有立方结构AIN生成:高能球磨过程中形成的AIN,结构不同于常规六方结构氮化铝;增加球磨能量,立方AIN生成量增加;650r/min高能球磨40h,AIN生成量达到72%。 相似文献
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超细Cr_3C_2粉末的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
将CrO3溶解于有机溶液中,通过喷雾干燥制得非晶态含铬的粉末前驱体,将前驱体粉末真空还原/碳化后得到超细Cr3C2粉末。采用X射线衍射仪﹑扫描电镜对工艺过程进行分析,分析结果表明:前驱体为10μm~20μm非晶态球形粉末,在真空中当温度升高到400℃时,前驱体粉末开始分解,生成微晶Cr2O3。当温度升高到550℃时,微晶Cr2O3迅速长大,前驱体粉末全部转变为Cr2O3与游离C原子级别混合均匀的复合粉末;温度升高到1150℃时得到碳化完全的Cr3C2粉末,粉末的一次颗粒粒度为0.5μm左右。 相似文献
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MgB2超导体临界温度为39 K,具有价格低廉和临界转变温度相对较高等优点,具有工程应用前景,然而其大尺度应用还依赖于超导性能的改善。经过系统的研究发现高能球磨和元素掺杂是提高MgB2磁场下Jc性能最有效的方法。本文介绍了采用高能球磨法制备MgB2的研究现状,采用高能球磨能有效细化晶粒,有利于提高超导芯丝的致密度,强化MgB2晶粒的连接性,同时晶粒细化形成的更多晶界能形成钉扎中心,进一步提高线/带材在高磁场下的临界电流密度。我们还介绍了通过分步反应法和高能球磨在常压条件下合成MgB2,高能球磨法可以减少MgB2长线中的孔洞并提高粉体密度。 相似文献
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在最近几十年里,人们曾经广泛地研究过铅锆钛酸盐(Pb(ZrxTi1-x)O3,PZT)陶瓷材料;往PZT基系中掺杂镧能够提高P-E磁滞回线的垂直度、降低矫顽磁力磁场,提高绝缘和压电性能,增大电力-机械耦合常数等。具有不同镧含量和Zr/Ti比例的镧掺杂的铅锆钛酸盐(PLZT)陶瓷材料显示出包括诸如铁电(FE)、抗铁电(AFE)和顺电(PE)等相在内的一些铁相。作为其结果,国内外正在继续深入地研究和开发PLZT陶瓷。 按照传统方法,PLZT陶瓷粉末是利用氧化物作为原料,借助固态反应工艺而制备的。后来,又成功开发了以湿法化学为基的几种途径,并且… 相似文献
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制备V8C7和Cr3C2粉末的传统方法是将V(Cr)氧化物与固体碳球磨混合﹑二次碳化而成,此方法存在碳化温度高﹑粉末粒度粗等缺点。本文介绍了几种国外制备超细V8C7和Cr3C2粉末的制备方法。 相似文献
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通过对Si和CuO粉末进行高能球磨制备了Cu和SiO2的复合材料。表明了一般条件下难以进行的固态还原反应,在高能球磨时可以发生,还原产物为纳米级的Cu和非晶的SiO2,还原反应的进行有整于高能球磨的条件;利用高能球磨可以直接制纳米级氧化物、金属复合材料。 相似文献
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Characteristics of Cr and Al Powders by High Energy Ball Milling 相似文献
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采用机械球磨法制备纳米WO3陶瓷粉末,系统研究了球磨参数对粉末粒度的影响。结果表明,机械球磨法可以制取纯度较高的WO3细粉;球磨时间和球料比以颗粒尺寸趋于稳定的范围为佳,盲目延长时间、增大球料比起不到细化作用,相反会增加WC杂质的引入。 相似文献
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对雾化法制备的AgSnO2粉末进行球磨处理,研究了高能球磨对AgSnO2粉末的形貌及其烧结性能的影响。结果表明:高能球磨有利于提高AgSnO2粉末的烧结性能,改善烧结坯的显微组织以及第二相粒子SnO2在Ag基体中的分布,因而获得了晶粒细小、致密度高、抗弯强度大以及加工性能优良的AgSnO2电触头材料。 相似文献
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采用高能球磨法制备出了纳米晶镍粉,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等分析检测手段,研究了该纳米晶镍粉末的结构、形貌和相的变化。结果表明,镍粉末平均粒度和晶粒度随球磨时间增加不断减小,而应变随球磨时间增加不断增大;当高能球磨54h后,球磨产物为FCC结构的鳞片状多晶体,晶粒度为17nm左右,应变为0.48%,颗粒尺寸为150~200nm;球磨时间增加至98h,产物中出现非晶相,但仍以多晶为主,晶粒尺寸为7nm,应变为1.24%,粉末团聚严重。 相似文献