在532nm激光作用下n—C4H9I的多光子离解过程质谱研究

报道了碘代正丁烷分子在５３２ｎｍ激光作用下的多光子电离（ＭＰＩ）质谱（ＭＳ）研究结果。（１）碎片离子主要由离子离解阶梯模式产生；波长不仅影响碘代正丁烷分子碎片离子产生模式，同时还影响其碎片离子的碎裂程度。（２）激光强度一般只影响分子离子及碎片离子的碎裂程度。     

410～373nm激光作用下四甲基硅的多光子电离与解离

利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数，讨论了多光子电离（ＭＰＩ）谱中某些话线的归属。通过对飞行时间（ＴＯＦ）质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果，讨论了该分子可能的ＭＰＩ过程，得到了较高能量下Ｓｉ＋的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主，而Ｓｉ＝（ｎ＝１～３）的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。     

丙酮和丙醛分子的我光子电离碎片化机理

用多光子电离－飞行时间质谱法在激光波长为５３２ｎｍ处获得了丙醛和丙酮分子的ＭＰＩＦ－ＴＯＦ质谱，实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系，并用这些实验结果对丙酮和丙醛分子的ＭＰＩＦ机理作了分析。这对Ｈ、Ｃ和ＣＨ＾＋等小质量碎片离子的可能形成过程作了讨论。     

紫(外)激光作用下Si(CH3)4的MPI与Si原子的共振电离

在紫（外）激光作用下,利用平行板电极装置及飞行时间（ＴＯＦ）质谱仪,研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子的多光子电离（ＭＰＩ）、多光子解离（ＭＰＤ）及由Ｓｉ（ＣＨ３）４解离产生的Ｓｉ原子的共振电离。得到了４０４－３７８ｎｍ内Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＭＰＩ光谱及某些波长点处的ＴＯＦ质谱。根据实验结果,讨论了Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＰＩ机理,得到了一些有意义的结论。     

新型通用异步收发器芯片MAX3100及其应用

ＭＡＸ３１００是ＭＡＸＩＭ公司生产的全功能通用异步收／发器（ＵＡＲＴ）芯片,与其他ＵＡＲＴ器件相比,它有如下特点：（１）供电范围宽、功耗低,从＋２．７Ｖ至＋５．５Ｖ的电源中仅吸收０．５ｍＡ的电流。具有零功耗的停机模式,并能由接收信号唤醒。（２）不仅适合于速率高达２３０ｋｂｉｔ／ｓ的ＲＳ２３２和ＲＳ４８５数据链路,而且支持速率从２．４ｋｂｉｔ／ｓ至１１５．２ｋｂｉｔ／ｓ的红外数据ＩｒＤＡ格式通信,以提供简单的无线接口。（３）使用ＳＰＩ／Ｍｉｃｒｏｗｉｒｅ同步串行接口与微控制器进行通信。具有Ｆ…     

在300um波段OCS分子的多光子电离谱

本文首次测定了ＯＣＳ分子在２９９～３０２ｕｍ波段的多光子电离谱。这一段的谱线被归属为Ｄ１Σ＋←Ｘ１Σ＋的跃迁。通过激光功率和离子信号强度的关系，认为ＯＣＳ分子多光子电高经历了（２＋１）三光子电离的过程。此外，还考察了ＯＣＳ的压力对离子信号强度的影响，并对此进行了讨论。     

在300nm波段OCS分子的多光子电离谱

本文首次测定了ＯＣＳ分子在２９９￣３０２ｎｍ波段的多光子电离谱。这一段的谱线被归属为Ｄ＾１Σ＾＋←Ｘ＾１Σ＾＋的跃迁。通过激光功率和离子信号强度的关系，认为ＯＣＳ分子多光子电离经历了（２＋１）三光子电离的过程。此外，还考察了ＯＣＳ的压力对离子信号强度的影响，并对此进行了讨论。     

一种采用先进水技术的模糊控制器VLSI结构

本文介绍了一种采用先进流水技术的模糊控制器（ＦＭＣ）的ＶＬＳＩ结构，该结构的虎采用了单指令流多数据流（ＳＩＭＤ）方式，以及多种先进的流水技术，包括：细分流水、流水的集中式动态调度、超级标量流水等，通过这些技术处理，使每条模糊运算指令平均所需时钟周期数（ＣＰＩ）＝０．５。基于硬件描述语言（ＶＨＤＬ）的模拟和综合结果表明，采用１．５μｍＣＭＯＳ工艺库，电路的规模约为２０Ｋ单元面积（内含２Ｋ ＲＭＡ），     

NEC、日立在ISSCC上发表1GDRAM

ＮＥＣ、日立在ＩＳＳＣＣ上发表１ＧＤＲＡＭ据ＩＳＳＣＣ’９５的发表内容，ＮＥＣ、日立已经在世界上率先开发了１ＧＤＲＡＭ。ＮＥＣ开发的１ＧＤＲＡＭ的特点是，采用０．２μｍ电子束曝光技术和钽氧化膜低温（５００℃）工艺技术以０．２５μｍＣＭＯＳ工艺，存贮单...     

如何提高呼叫建立成功率

呼叫建立成功率是衡量一个网络质量的重要指标之一,所以想办法提高网络的呼叫建立成功率是非常重要的。 下面详细说明根据呼叫建立成功率计算公式分析可能原因,最后定位到哪套ＲＦ硬件问题。 一、呼叫建立成功率计算公式 Ｃａｌｌ_Ｓｅｔｕｐ_Ｓｕｃｃｅｓｓ_Ｒａｔｅ＝（ＴＯＴＡＬ_ＣＡＬＬＳ＋ＣＯＮＧＥＳＴ_ＡＳＳＩＧＮ　ＨＯ　ＳＵＣ）／（ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ＳＥＲＶ_ＲＥＱ_ＣＡＬＬ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ：ＣＭ_ ＲＥＥＳＴＡＢＬＩＳＨ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ ＰＲＯＣ：ＰＡＧＥ_ ＲＥ-ＳＰＯＮＳＥ＋ＯＫ_ＡＣＣ_ＰＲＯＣ…     

飞秒激光场中氯丙烯的光电离/解离机制研究

利用50fs的激光脉冲对氯丙烯在200nm、400nm和800nm下的光电离/解离机理进行了研究. 实验获得了氯丙烯在三种波长下的电离质谱和光强指数,分析了母体和碎片离子强度随波长的变化关系. 在200nm时,C3H5Cl+来源于飞秒脉冲的直接非共振电离,其它碎片离子均来源于母体离子的电离解离过程;在400nm时,部分分子被激发到高里德堡态从而解离产生C3H5,C3H5再次吸收光子电离导致C3H5+的信号增强;在800nm时,部分分子被同时激发到了排斥态nσ*和多个高里德堡态而发生解离.更多通道产生C3H5使得C3H5+产量进一步增加.由于C3H4+来自C3H5Cl+以及C3H5+的电离解离过程,因此,C3H4+产率随波长变化相对较缓.     

260-285nm波段苯胺的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了260-285 nm波段气相苯胺分子的共振增强多光子电离／飞行时间质谱(REMPI-TOFMS)。结合在266 nm激发波长下得到的C6H7N 、C5H6 、C4H3 、C3H3 、C2H4 及H2CN 离子的光强指数及不同激光能量下各离子信号强度的分支比,对分子离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在此波段范围内,苯胺分子首先吸收一个光子跃迁至1B2第一激发态,处于激发态的苯胺分子再吸收一个光子电离生成分子离子C6H7N ,分子离子进一步吸收光子解离为C5H6 、H2CN 、C6H5 ,碎片离子C6H5 继续吸收光子解离产生C4H3 、C3H3 、C2H4 ,并给出了可能的解离通道。     

醇/水混合团簇的多光子电离质谱及从头算研究

利用多光子电离技术和飞行时间质谱仪实验研究了醇/水混合团簇的光电离质谱。在脉冲激光波长为355nm条件下,观测到以质子化(ROH)n(H2O)H+ 混合团簇离子和(ROH)nH+团簇离子为主的电离产物。醇水混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。应用量化计算,构造了质量数较小的几个团簇离子的可能的空间几何构型,发现二元团簇离子(CH3OH)n(H2O)H+是以(CH3OH)H+作为内核离子,再通过氢键与其它分子组合而构成团簇离子。     

激光等离子体研究的真空室中背景气体的激光多光子电离

本文报道了在高功率密度激光辐照下,激光等离子体研究用的真空室中背景气体(主要是真空系统中的油蒸气)的多光子电离的实验研究结果。得到的离子按其荷质比决定的飞行时间可以分成四组:H_2~ ,H~ ;C~ ,CH~ ,CH_2~ ,CH_3~ ,N~ ,O~ ;C_2~ ,C_2H~ ,C_2H_2~ ,C_2H_3~ ,C_2H_4~ ,Si~ ,CHO~ ,O_2~ 和C_3~ ,C_3H~ ,C_3H_2~ ,C_3H_3~ 等。此外,还观测到C~( )离子。最后充入一定浓度的氩气,观测到了氩离子。     

对氯苯酚的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验研究了气相对氯苯酚分子的共振增强多光子电离飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),获得了在275～285 nm激发波段的母体离子和主要碎片离子(C6H5O ,C5H5Cl C6H5 ,C5H 5,C4H 3,C3H 3)的(I I)REMPI激发光谱.通过质谱光谱分析,结合分子在中间激发态的能级和结构特征,对主要碎片离子的形成机理进行了研究.结果显示:各个碎片离子与对氯苯酚的母体离子具有相似的光激发谱,并且各个谱峰与S,1态的振动能级是一一对应的.说明各个碎片离子和母体离子的产生经历了相同的共振中间态.分子先吸收一个光子到达中间共振态,然后再吸收一个光子到达电离态电离.根据碎片离子光强指数的阶梯形分布和分子在S,1态的结构特点.判断各个碎片离子经历了母体离子的阶梯式离解,并给出了主要碎片离子的离解通道.     

390.60nm激光作用下Si(CH3)4的多光子解离与硅原子的(1+1)电离

在390.60nm的紫外激光作用下，利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱，在较低能量的激光作用下主要检测到了Si(CH3)^ 、Si^ 、C2^ 等离子的信号，有时甚至只检测到了Si^ 离子的信号：在较高能量的激光作用下主要检测到Si(CH3)^ n(n=1,2,3,4)、Si^ 、C2^ 甚至还有SiC3^ ,SiC2^ 等离子的信号。据此并结合以前得到的结论，讨论了四甲基硅分子可能的MPI过程。得出了Si^ 主要来自于Si(CH3)4的多光子解离－Si原子的（1＋1）电离、Si(CH3)n^ (n=1,2,3)的（3＋1）电离、Si(CH3)^ 4来自于Si(CH3)4的（3＋1）电离的结论。     

飞秒光电子影像技术对氯丙烯分子的光电离/解离机理的研究

飞秒光电子影像技术结合飞行时间质谱对氯丙烯（C3H5Cl）在200 nm、400 nm、800 nm飞秒脉冲下的光电离/解离机理进行了研究。实验结果表明氯丙烯的光电离/解离机理与激光波长存在依赖关系。分析发现,在短波长200 nm时,母体分子C3H5Cl以双光子电离为主要通道,而其他的碎片离子则来源于C3H5Cl+的解离。当波长向长波方向变化时,例如800 nm时,C3H5Cl中间态的解离就开始占主导地位,碎片离子的信号也相应增强。此外,光电子能谱进一步证实了在400 nm和800 nm时存在来源于中性碎片的光电子,而这些中性碎片又是由C3H5Cl的中间态直接解离而产生的。这意味着,在长波400 nm和800 nm时,母体分子可能被激发到寿命较短的中间解离态,从而解离产生中性碎片,导致光解离过程在长波段占有重要角色。     

262～272 nm波段氯苯的激光质谱研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了262～272 nm波段气相氯苯的(1 1)共振增强多光子电离/飞行时间质谱(REMPI-TOFMS).研究表明,该波长范围内获得的光激发谱的光谱结构是氯苯第一激发态1B2(S1)振动能级的反映,对其中14条谱线进行了尝试性指认.分析了氯苯在266 nm波长处不同激光能量下的光电离质谱特点,讨论了造成77C4H5 质谱的非对称增宽的原因.实验研究了266 nm波长处氯苯分子离子信号强度与样品浓度之间的关系,估算出氯苯的探测限为ng/L量级.     

中低纬度低电离层物理模型构建研究

从粒子连续性方程出发，考虑电离、复合、附着等物理过程，初步建立了一个中低纬度地区低电离层（60~120 km）稳态物理模型.该模型涉及145个离子化学反应，能够给出23个正离子、11个负离子、12种中性粒子及电子密度分布.模拟结果表明:NO+及水化聚合离子NO+（H₂O）_n、H+（H₂O）_n等是低电离层正离子的主要成分；以CO₃-及O₃-为主的负离子成分仅在80 km以下高度占优，导致在较低高度电子密度远小于离子密度.以100°E不同纬度（5°N、25°N、45°N）为例，与国际参考电离层（international ionosphere reference 2016，IRI-2016）模型进行比较，结果表明该物理模型能够较好地描述中低纬度低电离层电子密度随高度变化、周日变化等形态学特征.     

355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论