生物洁净室的污染控制

生物洁净室的目的是控制细菌污染。通过对细菌特性、来源及污染途径的分析,确定了全方位、全过程控制的基本思想,即污染源控制,污染传播过程控制和交叉污染控制,通过分析微粒的运动特性,提出了空气途径污染的主要手段是气流流动控制和表面污染控制,最后分析了交叉污染的形成原因及其防治措施。     

洁净室中的静电污染

洁净室静电危害主要有静电击穿和微粒子吸附两种。静电击穿产生的原因是静电放电(简称为ESD；E1ectro Static Discharge)；微粒子吸附主要与静电力(库仑力)、重力和扩散作用为主的三个作用力有关。所有这些静电危害都会给洁净生产造成影响。     

集成电路洁净室空调方案节能分析

集成电路洁净室净化空调系统能耗巨大,合理利用洁净室内的各种能源能够降低集成电路工厂的产品成本,提高企业的产品竞争力,对集成电路产业发展有良好的促进作用,针对集成电路洁净室空调方案进行对比分析,提出一种较为节能的空调系统方案.     

高纯气体供应系统的杂质污染及防治

高纯气体的杂质污染,对电子产品生产来说,主要是指各种产品所需高纯气体中的微量气态杂质,如一氧化碳、二氧化碳、碳氢化合物和各种工序不需要、且有害的气态杂质,微量水份、微粒、金属离子等。     

关于人员及物料出入洁净室,防止交叉污染措施的探讨

按照《药品生产质量管理规范》（1998年修订）的要求，结合我公司对固体制剂车间的技术改造，对如何防止人员及物料出入洁净室而带来交叉污染进行探讨。     

洁净室内高纯气体管路系统的洁净技术

提出了超高纯气体输配管路系统的设计目标和该系统安装应达到的技术标准，最终应达到或满足输送气体的中的杂质含量低于ppb级的水平。     

洁净室HVAC系统节能及其进展

对影响洁净室HVAC系统能耗的因素,及按不同的洁净室情况采用合理节能措施及其进展情况进行介绍并分析。     

某制剂洁净室存在问题模拟分析

该万级制剂用洁净室各测试指标符合规范规定,然而尘埃粒子浓度分布不均,有些部位洁净度达不到要求。经CFD模拟分析得知门的开启对气流组织产生影响,门口处产生负压区,走廊内空气进入室内污染环境。通过增设门槛,基本解决问题。     

8"、12"集成电路厂房洁净室设计探讨

随着IC生产工艺技术的不断发展,对于洁净室生产环境及其它配套系统要求也相应更为严格,本文就8"、12"IC生产的洁净室设计中有关洁净室形式和送风方式、空气处理及温湿度保证措施,悬浮分子污染物(AMC)的控制,以及洁净室排烟等方面的设计方案,进行了多方案的综合分析和评价。     

洁净室工艺冷却水管道带压开孔施工方案分析

洁净室运行后,由于生产工艺的改变,产能的扩充,需要对原在线工艺冷却水管道系统进行开孔。原在线管道在没有预留阀门的条件下,采用带压开孔技术是提高效率、降低成本的重要技术。而带压开孔技术受到管内压力、温度、壁厚等因素的影响,造成带压开孔施工存在一定的施工风险。分析洁净室工程管道带压开孔带压焊接、开孔操作、环境控制的风险,并提出相应的安全技术保证措施,为确保在洁净室内带压开孔施工的安全提供参考。     

SEM与TEM相结合的原位电致振动方法

针对复杂截面与显微结构的一维纳米材料,本文改进了本研究组现有的电致振动方法,可用扫描电镜和原位电致振动装置激发纳米线的共振行为,并用透射电镜观察同根纳米线显微结构和几何信息。改进的实验方法结合了扫描电镜与透射电镜的各自优点,实现了显微结构和性能的协同测量,可精确获得纳米线的杨氏模量。     

MOD─SnO＿2气敏材料的TEM、SEM分析

分别用ＴＥＭ、ＳＥＭ分析了ＭＯＤ－ＳｎＯ＿２粉末和薄膜，结果表明，根据热处理条件的不同，晶粒尺寸在几十纳米到微米之间；如果控制旋涂薄膜的厚度小于１００ｎｍ，并进行陡然升温热处理，则簿膜光滑无裂纹；即使得到的ＳｎＯ＿２膜存在微裂纹，但是由于微裂纹形成的颈部尺寸比薄膜厚度大得多，故其气敏特性仍然应当由膜厚决定。     

In situ TEM/SEM electronic/mechanical characterization of nano material with MEMS chip

Our investigation of in situ observations on electronic and mechanical properties of nano materials using a scanning electron microscope （SEM） and a transmission electron microscope （TEM） with the help of tradi- tional micro-electro-mechanical system （MEMS） technology has been reviewed. Thanks to the stability, continuity and controllability of the loading force from the electrostatic actuator and the sensitivity of the sensor beam, a MEMS tensile testing chip for accurate tensile testing in the nano scale is obtained. Based on the MEMS chips, the scale effect of Young＇s modulus in silicon has been studied and confirmed directly in a tensile experiment using a transmission electron microscope. Employing the nanomanipulation technology and FIB technology, Cu and SiC nanowires have been integrated into the tensile testing device and their mechanical, electronic properties under different stress have been achieved, simultaneously. All these will aid in better understanding the nano effects and contribute to the designation and application in nano devices.     

稻壳灰显微结构及其中纳米SiO2的电镜观察

对低温稻壳灰纳米尺度的显微结构进行了SEM、TEM(SAD)研究,首次发现稻壳灰由纳米尺度的SiO2凝胶粒子(～50 nm)疏松地粘聚而成.稻壳灰结构中除了以往报道过的微米尺度的蜂窝孔(～10μm)外,还含有大量由SiO2凝胶粒子非紧密粘聚而形成的纳米尺度孔隙(＜50 nm).纳米尺度的SiO2粒子和纳米尺度的大量孔隙是稻壳灰具有巨大的比表面积(50～100m2/g)和超高火山灰活性的根本原因.     

用SEM和TEM研究TiO2的表面结构

TiO2是典型的过渡金属氧化物。它广泛地应用于涂料、化妆品、塑料加工及催化剂制备等行业。在V2O5/TiO2系催化剂中，TiO2担载的钒催化剂对邻二甲苯选择氧化制邻苯二甲酸酐和氮氧化物的催化选择还原等重要反应均有优良的催化性能。TiO2可以催生V2O5选择氧化所需要的晶格氧。     

用扫描电镜–微粒分析仪测量粉末样品

利用扫描电镜配备微粒分析仪(SEM/MPA)对粉末样品作了形貌观察和粒度统计分布测定,表明SEM/MPA可在陶瓷工艺、冶金工艺等材料工程中实际应用。     

纳米结构可重入STM/SEM超高真空多功能系统的研制

扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）分辨率极高,是微观研究的重要仪器;但由于其视场小,样品易受污染等原因,在某些研究工作听应用受到了限制,扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的最低放大倍数在十倍左右,视场可达２０ｍｍ＾２－３０ｍｍ＾２,可以引导扫描隧道显微镜进入试样预期的区域;另外超高真空的扫描电的样品室可以为扫描隧道显微镜提供清洁的工作环境,减少样品的污染。超高真空扫描电与扫描隧道显微镜的结合,可以弥补扫描隧道显微镜的     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.     

GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析

用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.