碳纤维表面金属覆银及其场发射特性研究

文章采用化学镀银对碳纤维（carbon fibers,CNFs）表面金属化,研究表面金属化碳纤维的场发射性能。实验结果表明,碳纤维表面金属化后体电阻率明显降低,场发射性能显著提高。当化学镀时间为15min,覆银碳纤维增重率AG／G约74％时,碳纤维体电阻率ρ降至4．09×10^-4Ω·cm,场发射性能最优;当电压为968V时出现亮点;电压为1,733V时,亮度最高达1,357cd／m^2。     

碳纤维表面化学镀覆Ni纳米薄膜制备及其FED器件场发射特性

文章利用化学镀在碳纤维CNFs表面制备了镍金属纳米薄膜,并对其FED器件场发射特性进行测试。结果证明,碳纤维化学镀镍之后,其场发射特性显著提高。当化学镀时间为30分钟,pH值为4.6时,碳纤维化学镀镍的增重率ΔG/G为49.5%,扫描电子显微镜（SEM）和能谱分析（EDS）研究表明,碳纤维CNFs表面覆镀的Ni金属薄膜表面平整、致密。当电压为832V时,出现亮点,当电压为1,456V时,场发射电流强度I为0.65mA。数值计算可得,镀镍碳纤维CNFs的场增强因子β为1,376,是碳纤维场增强因子的4.83倍。     

热敷法制备丝状阴极及其在场发射中的应用

采用热敷法将碳纳米管(CNT)浆料直接热敷在Ni丝上制备成丝状阴极,并在圆柱形灯管中采用二极结构测试其场发射性能.扫描电镜(SEM)测试表明,丝状阴极的表面有一层均匀的CNT材料;场发射结果表明,CNT-Ni丝状阴极与传统的场发射阴极相比具有更优良的场发射性能,开启电场为0.15 V/μm,当电压为2280V时发射电流达到4 mA.在腔体中测试其发光亮度,最高值达到了14000 cd/m2.     

碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能

利用纳米银的低温熔接性和良好导电性,研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺.将CNTs、纳米银、粘性松油醇和有机溶剂混合研磨后涂敷在镀Cu玻璃基片上,250℃烧结30min后,纳米银颗粒之间互相熔接,将周围的CNTs粘结成为整体膜,形成了表面平整、导电性和场发射性能良好的CNTs阴极.测量了不同纳米银掺入量的CNTs阴极的场发射性能,结果表明:当CNTs:Ag质量比率为1:1时,CNTs阴极具有最好的场发射性能,阈值电场为4.9V/μm,当电场强度为5.7V/μm时,场发射电流密度为41mA/cm2.纳米银比例过大,烧结后CNTs被熔接的银膜覆盖,高电压时场发射电流明显下降,而纳米银掺入量太少则会导致CNTs阴极的附着力和导电性变差.     

碳纳米管场发射冷阴极的低温制备及场发射性能

利用纳米银的低温熔接性和良好导电性,研究了以纳米银取代传统的有机粘结剂和导电银浆制备CNTs场发射冷阴极的新工艺.将CNTs、纳米银、粘性松油醇和有机溶剂混合研磨后涂敷在镀Cu玻璃基片上,250℃烧结30min后,纳米银颗粒之间互相熔接,将周围的CNTs粘结成为整体膜,形成了表面平整、导电性和场发射性能良好的CNTs阴极.测量了不同纳米银掺入量的CNTs阴极的场发射性能,结果表明:当CNTs:Ag质量比率为1:1时,CNTs阴极具有最好的场发射性能,阈值电场为4.9V/μm,当电场强度为5.7V/μm时,场发射电流密度为41mA/cm2.纳米银比例过大,烧结后CNTs被熔接的银膜覆盖,高电压时场发射电流明显下降,而纳米银掺入量太少则会导致CNTs阴极的附着力和导电性变差.     

氮化铝薄膜的厚度对场发射特性的影响

采用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(20~150 nm)纤锌矿结构的纳米AlN薄膜。在超高真空系统中测量了不同膜厚样品的场发射特性,发现阈值电场随着厚度的增加有增大的趋势。厚度为44 nm的AlN薄膜样品具有最低的阈值电场(10 V/μm),当外加电场为35 V/μm时,最高发射电流密度为284μA/cm2。AlN薄膜场发射F-N曲线表明,在外加电场作用下,电子隧穿了AlN薄膜表面势垒发射到真空。     

退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响

以纯度为99.95%、Al2O3为2wt.%的ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度对AZO薄膜的形貌、导电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面形貌与结晶特性进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结晶度变好;场发射性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当退火温度为300℃时,AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm,发光均匀性较好,亮度达到650cd/m2,导电性能最好,电阻率为5.42×10-4Ω·cm。     

电镀镍及阴极腐蚀法提高CNTs阴极场发射性能

通过电镀镍及阴极腐蚀相结合的方法,对电泳沉积所制备的CNT薄膜进行处理。采用扫描电子显微镜对样品的表面形貌进行表征,并对样品的场发射性能进行测试。结果表明,处理后CNT阴极的场发射性能得到提高,如开启场强、阈值电场、发光均匀性和稳定性。当电流密度为1 mA/cm2时,开启场强由0.95 V/?m降低为0.45 V/?m;当电流密度为3 mA/cm2时,阈值电场由0.99 V/?m降低为0.46 V/?m。并且,电流密度在电场为0.48 V/?m时高达7 mA/cm2。在电流密度为0.75 mA/cm2时进行20h的场发射稳定性测试,结果表明,处理后CNT阴极的电流密度在0.70 mA/cm2左右波动。该场发射性能的提高归因于三个方面：（a）更多CNT尖端直立于表面（b）CNT之间的间隙变宽（c）镍颗粒渗入降低CNT与基底的势垒。     

不同转移法对碳纳米管场发射特性的影响

通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管(CNT)原料到ITO电极上,高温烧结制备CNT阴极阵列,并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明,不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同,印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2.21、1.62和1.85 V/μm;当电场为2.3 V/μm时,喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳,电泳沉积法制备CNT阴极次之,印刷法制备的CNT阴极最差,并根据金属半导体理论分析其原因。     

碳纳米管薄膜的电泳沉积与场发射性能

采用电泳法在Si基片上沉积碳纳米管(CNTs)薄膜。研究了电泳极间距、电泳时间及电泳电压等对沉积的薄膜形貌结构与场发射性能的影响。SEM、高倍光学显微镜和场发射性能测试结果表明,保持阴阳极间距为2cm,在100V的直流电压下电泳2min所获得的CNTs薄膜均匀、连续、致密且具有最好的场发射性能,其开启电场强度仅为1.19V/μm,当外加电场强度为2.83V/μm时,所获得的最大发射电流密度可达14.23×10–3A/cm2。     

AgCu28共晶钎料的铺展性研究

针对陶瓷DIP外壳钎焊时,常出现AgCu28钎料流淌的问题,而钎料铺展性对钎料的流淌起着重要作用,为此研究了在不同的生产工艺条件下,AgCu28共晶钎料在镀有不同厚度镍的金属化陶瓷基板和4J42可伐合金片上的铺展性。结果显示钎料在化学镀镍层上比在4J42合金带上的铺展面积大,并存在一个临界镀镍层厚度(0.5~1.0 靘),超过这一临界值,铺展面积显著下降。钎料铺展面积随着焊接温度、时间而改变,控制在钎料熔点以上的停留时间是减少钎料过分铺展的关键。     

化学镀镍合金在电子工业中的应用

对化学镀镍合金铁工艺和性能特性及其在电子工业中的应有委展现状作了评述。化学镀镍合金具有镀层均匀，适用基材广，结合力高，硬度高，优良的耐磨、耐蚀性，可焊性好和特殊的电磁性能等特性，在电子工业中获得了广泛的应用。文中着重介绍了化学镀镍合金在磁盘、电磁屏蔽、微电路、半导体、连接器及薄膜电阻上的应用情况。这些案例说明，合理应用化学镀镍合金技术，有利于提高电子元器件的质量，降低成本，促进技术进步。     

Post-treatment method for improving field emission from carbon nanotubes/nanofibers

Carbon nanotubes/nanofibers(CNTs/CNFs)featurehigh aspect ratios,small radii of curvature at their tips,superior mechanical strength,good thermal conductivityand highchemical stability.Because of these characteris-tics advantageous for electron field emiss…     

铝合金化学镀镍工艺研究与应用

报道一种在铝合金元件上实施化学镀镍的工艺方法。该方法包括在改进的锌酸 溶液中经二闪浸锌处理后,以碱性化学镀镍作底层,然后进行酸性化学镀镍,能在铝合金（ＬＹ１２ｃｚ、ＬＤ３１等）表面获得光亮的、具有优异附着力和良好的防腐蚀性能及其综合物理、化学特性的化学镀镍（Ｎｉ－Ｐ）层。     

Effect of crystallinity and thickness on the diffusion barrier behavior of electroless nickel deposit between Cu and solder

The crystallinity of electroless nickel deposit was manipulated by applying bath stabilizer including lead acetate and thiourea. A crystalline deposit and a higher deposition rate of electroless nickel were achieved with thiourea than with lead acetate. The effect of crystallinity on the diffusion barrier performance of the electroless nickel deposit was studied between solder and Cu deposit. The thickness of the electroless nickel deposit investigated includes 1, 3, and 5 /spl mu/m. It was found that both crystalline and amorphous deposits perform similarly in barrier performance except when the thickness of the deposit is as thin as 1 /spl mu/m. Cross sectional elemental analysis results indicate that a 3 /spl mu/m thickness deposit can withstand ten times of reflow without counter diffusion between Sn and Cu, although Ni-Sn intermetallic compounds were formed. The 3 /spl mu/m thickness is also adequate for barrier function after 1000 hours of aging at 150/spl deg/C.     

化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响

研究了化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响及其机理。结果表明，化学镀镍以后许多样品因其绝缘电阻严重下降、介电损耗大幅度增加而失效。通过对比实验发现，这些样品的失效不是由于镀液的渗透引起的，而是与化学镀镍过程中的化学反应有关。提出了化学镀镍过程中产生的氢原子还原铌镁酸铅陶瓷的观点。经过一定温度的氧化热处理，失效样品的性能可以得到恢复。     

印制电路孔金属化

印制电路是电子工业重要部件,印制电路金属化孔要有良好的机械韧性和导电性,孔金属化涉及生产全过程,特别是钻孔,活化,化学镀铜尤为重点,必须做到孔内无钻屑,胶体色活性好,化学镀铜层为红棕色,才能生产出高质量优孔的印制板。     

化学沉积电极与BaTiO3系PTCR半导瓷的欧姆接触

研究了在BaTiO3系PTCR半导体陶瓷上化学沉积镍和铜电极的接触电阻及稳定性，并与烧渗Ag-Zn、烧渗Al电极进行了比较。根据实验结果，用量子力学从理论上讨论了欧姆接触的可能模型，提出场发射是金属－半导体陶瓷形成欧姆接触的机理之一。陶瓷表面经过处理后，元件的电性能要发生一些变化，但不会恶化陶瓷的体性能。