400兆赫100瓦内匹配超高频大功率晶体管及其试验性放大器

在400兆赫50瓦高增益内匹配器件研制的基础上,进一步做出了400兆赫100瓦的内匹配高增益晶体管。研究了400兆赫100瓦器件的试验性放大器。100瓦器件在该放大器上获得了如下射频性能:工作频率为400兆赫、电源电压为32伏时,输出功率 P_0为90至110瓦,集电极效率为60～70%,功率增益为8～9分贝。     

双极功率晶体管威胁卫星通信行波管

据美刊《微波杂志》报导,日本正在研制一种双极功率晶体管(Power Bipolar Transistor),有可能代替地面站和卫星应答机中用的行波管。在这种阶梯电极晶体管(Stepped Electrode Transistor)中,低结温度使之获得高的可靠性。长期和加速寿命试验表明,其无故障平均工作时间超过10~6小时。NEM4205是该系列的典型管子,采用20伏电源,在4.2千兆赫频率下产生5瓦功率,增益为4分贝,效率为25%。NEM4203,在4.2千兆赫频率下功率达3瓦,增益为5分贝,在50℃环境温度下,结点温度只为120℃。利用7只 NEM4203晶体管研制出一种三级放大器,在4千兆赫卫星频带内给出12瓦功率,功率增益为11～13分贝,带宽为240兆赫。     

500兆赫输出50瓦功率增益10分贝的高频硅功率晶体管(一)

本文的目的是介绍一种在500兆赫下能输出50瓦功率,功率增益为10分贝,效率为50％的晶体管。工艺与封装设计的改进是采用复盖技术和双基极集成引线的几何图形。采用新的电路技术进行器件试验并提供下述结果:在500兆赫下输出功率为39瓦,功率增益为5.1分贝,集电极效率为70％。在400兆赫下输出功率43瓦,功率增益为4.9分贝,集电极效应为81％。所有试验被限定在400兆赫下进行,这是因为器件使用在这个频率。最后的集电极效率远远超过规定。在400兆赫下脉冲功率达到70瓦。负载失配试验的结果表明,该器件能容许在400兆赫下电压驻波比为25:1,而性能没有损坏。相互调制的失真度在输出为40瓦时是—30分贝。总共提供了132支成品管子。     

JGF3410型晶体管功率模块研制

<正> 一、概述JGF3410型晶体管功率模块是为机载航空调幅电台研制的功率放大配套模块之一。该模块工作频率范围为100～150MHz,输入信号≤10mW,输出功率≥12W(典型值为15W)。提供大于32dB 的增益。本模块与 JGF3411功率模块级连使用可以提供37dB 以上增益,≥50W 连续波功率输出。     

简讯

在1.5～2千兆赫频率范围内,宽带放大器的设计者提供了一组PH2020NPN平面晶体管。输入匹配的功率晶体管由功率混合做成,在2千兆赫下,它提供最小的连续输出功率为18瓦(典型值为20瓦),功率增益5.5分贝。在2千兆赫下典型的效率是38％,偏压是28伏。从1.5～2千兆赫典型的窄带和宽带特性在图1中示出。 PH2020的特征是一个多网格的鱼骨状的几何图形中有发射极镇流电阻和输入匹配。典型的输入阻抗在2千兆赫时是7+j1欧姆以及在1.8千兆赫时为8+j1欧姆。输出负载阻抗在2千兆赫时典型值是1.8+j3.5欧姆,在1.8千兆赫时是2.5+j2.5欧姆。输入匹配部分由MOS电容组成。电极条上具有低的电流密度。     

WTF-631型体效应放大器

研制了一种 X 波段同轴传输线型宽带功率体效应放大器。它具有体积小、重量轻、使用方便、稳定性好等特点。使用 T512型体效应放大二极管,放大器一般指标为:中心频率 f_0=9.0±0.3千兆赫、带宽≥20%、输出功率 P_0=50～100毫瓦、功率增益 G_p=7～10分贝。最佳结果:f_0=8.8千兆赫、带宽42%、P_0=50～100毫瓦、G_p=7～10分贝。放大器通过了环境实验、高温贮存(+85℃、250小时)实验,并且连续工作寿命在250小时以上。进行了两级放大器级联工作,其功率增益能较好地迭加。比较好的结果:中心频率 f_0=9.0千兆赫、带宽22%、输入功率 P_i=1毫瓦、输出功率 P_0=100～155毫瓦、功率增益 G_p=20～22分贝。     

4～5千兆赫低噪声晶体管放大器的初步研制

利用研制中的硅双极晶体管设计制作了4～5千兆赫频段低噪声晶体管混合集成放大器。实验结果表明,利用这种晶体管制作C波段放大器其性能可满足一定的使用要求。初步结果为:4千兆赫频段两级放大器噪声系数4.5分贝左右,增益10分贝(±1分贝),带宽>500兆赫;5千兆赫频段两级放大器噪声系数6分贝左右。增益10分贝±1分贝),带宽>400兆赫。实验分别是在氧化铝陶瓷衬底和聚四氟乙烯玻璃纤维敷铜板上采用微带电路制作的。     

4千兆赫下输出5瓦的功率晶体管

美国微波半导体公司最近报导该公司生产的微波功率晶体管在4千兆赫频率时,功率输出为5瓦,功率增益为4分贝,效率为30％,这一产品的型号为MSC4005,这一系列的MSC4003工作频率在4千兆赫时,输出功率为2.5瓦,增益为6分贝。MSC4001工作在4.5     

简讯

上海科技大学半导体器件物理研究室试制出两类VVMOS器件,其主要性能介绍如下:一、高频VVMOS功率晶体管:工作频率:f=400兆赫输出功率:P_0=10瓦系列功率增益:K_p≥5分贝漏电流:I_(OS)=2安培漏源击穿电压:BV_(DS)≥60伏开启电压:V_r=0～2伏开态电阻:R_(on)=3～4欧姆开关时间:t≤10毫微秒     

JDF342型500～1000兆赫集成宽带低噪声晶体管放大器

本文论述了低波段集成宽带低噪声晶体管放大器的设计与制作。利用薄膜微带工艺在三氧化二铝陶瓷基片上制作了微带传输线路、镍铬电阻,外焊四只CG39盘型晶体管以及低损耗小型陶瓷电容,组成了混合集成直接耦合式晶体管放大器。放大器在0.5～1.0千兆赫频带内增益大于25分贝;带内增益平坦度小于±1分贝;带内噪声系数(R_g=50欧姆)典型值为2.7分贝;1分贝压缩点的动态输出功率为—2分贝毫瓦;输入、输出驻波比小于2:1。整个放大器密封在长53毫米、宽37毫米、厚20毫米铍金铝盒中,总重量小于100克。输入输出为50欧姆L_g密封阳座。放大器在—60～ 85℃温度范围内能正常工作。     

2千兆赫下输出功率12.5瓦,效率40％的晶体管

由美国无线电公司研制的RCA2023—12型微波晶体管,在2.0～2.3千兆赫频段内,最小输出功率为12.5瓦,增益为7分贝,集电极效率为40％。这种晶体管是封装在具有内部输入端匹配网络以及集电极分流调准的介质带状管壳内。据称这种晶体管适用于大     

高可靠2.3千兆赫20瓦晶体管的研究(一)

本实验的目的是研究一种在2.3千兆赫下具有下述连续波性能的高可靠晶体管:20瓦的输出功率,6分贝的功率增益,40％的效率。本合同所研究的器件达到了下述连续波性能,在2.3千兆赫下输出功率为20瓦,功率增益为7.7分贝,效率为40％。这样的性能是具有八个单元的TA8407晶体管所达到的。这种晶体管在设计上有如下的改进:薄的片子、高频扩散、强发射极镇流、以及为了使功率均匀分配而设计的最佳发射极键合图形和用分布线技术进行内部匹配的封装。     

移动电台用的800MHz放大器新产品

供800兆赫小区制移动无线电话用的三种不同频段的放大器模块已经问世。这些模块的典型输出功率为7.5瓦,功率增益25分贝,采用 A-类输入级,能对输出进行自动增益控制,控制范围35分见。这些三级放大器中每一个都做在二片混合电路基片上,采用薄膜连线和金键晶体管。后     

砷化镓功率场效应晶体管的X波段性能

本文介绍 X 波段砷化镓功率场效应晶体管(FET)的测量结果。这些器件是用简单的平面工艺制作的。多个单元并联的器件在9千兆赫下,输出功率大于1瓦,增益大于4分贝。4分贝增益下,最大输出功率在9千兆赫下为1.78瓦,在8千兆赫下为2.5瓦。8千兆赫下,器件功率附加效率为46%。     

中功率砷化镓肖特基势垒场效应晶体管

固体微波器件研究的最新和最重要的进展之一是研制出了中功率砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAsMESFET)。RCA 的研究工作已确认此种器件可用做中功率的放大器和振荡器。我们已做出9千兆赫下,输出功率高达1瓦,功率附加效率η=(P_(out)-P_(in))/P_(dc)为16%(线性增益为5.5分贝)的单元器件。4千兆赫下功率附加效率高达35%,9千兆赫下为21%的器件已经实现。另外,也研制出9.15千兆赫下输出功率     

L波段连续输出500瓦的混合集成晶体管放大器

美国休斯公司研制出在960～1215兆赫频段输出500瓦的混合集成晶体管放大器。这个C类放大器的增益为20分贝,效率为30％。它组合了8个功率组件的输出功率。每个组件的功率额定值为75瓦,并由两个额定值为40瓦的PH—0912—50晶体管和输入、输     

132瓦固体功率放大器

美国微波功率器件公司生产了PW A1718-12型固体连续功率C类放大器,其工作频率范围为1750～1850兆赫、最小输出功率132瓦(饱和功率为160瓦)、增益为50分贝。为了避免负载失配的影响,接有输出环行器。放大器可应用于卫星地面站通信的数据通     

砷化镓功率肖特基势垒栅场效应晶体管微波性能与器件及材料参数的关系

本文叙述了GaAs 功率场效应晶体管(FET)X 波段测量的最新结果。这类器件用简单的平面工艺制造,已有25个以上的片子获得9千兆赫下功率增益为4分贝时输出功率至少1瓦的结果。这些片子的载流子浓度在5～15×10~(16)厘米~(-3)范围。迄今,4分贝功率增益下的最大输出功率已观察到在11千兆赫下为1.0瓦,在8千兆赫下为3.6瓦。器件在8千兆赫下的功率附加效率可达46%。本文扼要地叙述了制造工艺,并对影响大输出功率的诸因素进行了讨论。这些因素是8×10~(16)厘米~(-3)左右的外延层载流子浓度、良好的器件热沉和低的寄生电阻。还讨论了所观察到的微波性能与总栅宽、栅长、夹断电压、外延掺杂浓度等因素的关系。     

微波功率GaAsFET的宽带内匹配技术

研究了C波段大功率砷化镓场效应晶体管的宽带内匹配技术,结果在电路设计中采用了新型的电路结构和大信号特性。在高介电常数的单瓷片上形成集总参数元件二级输入网络。在氧化铝陶瓷片上,以微带结构形成半分布参数的单级输出电路。总栅宽为11200微米的内匹配砷化镓场效应晶体管在1分贝增益压缩下具有2.5瓦的功率输出,在没有外部匹配的情况下,从4.2到7.2千兆赫,该器件具有5.5分贝的线性增益和4.4瓦的饱和功率输出。从4.5到6.5千兆赫,这种内匹配场效应晶体管具有6分贝线性增益和5瓦的饱和输出功率。     

匹配型微波晶体管放大器

提出了一种采用桥接T型带通滤波器(下面简称为BPF)补偿晶体管增益的匹配型放大器的新方案,报告了设计方法及试验结果。这种匹配型放大器除用在宽频带放大器中表现出阻抗性能良好以外,特别是在多级级联使用时还具有能控制由信号源或负载阻抗变化引起幅频特性变化足够小的优点。这就是说增益补偿电路所采用的桥接T型BPF的特性几乎不随信号源或负载阻抗的变化而变化,因而具有良好的阻抗特性。而且这种结构能广泛适用于具有—6分贝/每倍频程的大部分晶体管。为适用于1.7千兆赫中频放大器,试制指标规定为:带宽400兆赫,增益大于50分贝。结果是四个两级晶体管组成的增益约14分贝的单元放大器串联起来的总增益与各单元放大器增益的简单分贝之和的差在所需带内小于1分贝。大信号输入时的调幅-调相转换增益压缩1分贝时相位变化量小于8°。