真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

021引48磁控溅射制备磁性多层膜中Siq/Ta界面的研究〔刊〕/于广华刀真空电子技术一2002,(2)一1一4(C) 0215149不同缓冲层对NIFe/FeMn双层膜交换揪合场的影响〔刊〕/李明华//真空科学与技术学报一2002,22(1).一65一68(K) 02 15150TaN/NbN纳米多层膜的力学性能与耐磨性〔刊〕/虞晓江//真空科学与技术学报一2002.22(1)一1一4(K)生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响(见0215056)磁控溅射B4C薄膜的制备与力学性能(见0214993)真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺~~…     

金属与导电材料

0003555ZnO 系低压压敏薄膜的喷雾热分解法制备及膜厚对其压敏特性影响的研究[刊]/贾锐//功能材料.—1999,30(6).—636～638(C)0003556溶胶-凝胶法制备纳米钛酸锶[刊]/陈贞亮//5能材料.—1999,30(6).—633～635(C)     

热处理与表面处理工艺

2002049硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性[刊]/何进//微电子学.—1999,29(5).—354～357(AC)2002050MOCVD 法制备复合氧化物功能薄膜及其表征[刊]/潘铭//功能材料.—1999,30(5).—486～488,491(C)2002051化学镀镍磷合金工艺的改进及应用[刊]/刘立新//四川真空.—1999,(2).—36～40(C)     

材料

021495621世纪的技术革命—纳米技术〔刊)/赵志明//真空电子技术一2002,(2)一16一19(C) 简要阐述了纳米技术的发展与现状,并着重介绍了纳米材料的获得及纳米技术在各领域的特殊应用。参4 0214957介质型膜密集波分复用滤光片膜厚监控的研究【刊〕/周保青//真空电子技术一2002,(2)一5一7(C) 高精度高性能的光学薄膜膜厚监控系统是制备密集波分复用滤光片的关键,本文提出了一种非1/4波长膜系监控膜厚的方法.该方法所采用的系统具有稳定性好、波长分辨率高等优点。参10 0214958轻基错交联膨润土的制备与醋化催化性能研究〔刊〕/童张法//广西大…     

材料 其它材料

0625824基于DNA的纳米结构自组装〔刊,中〕/刘宝琦//西华大学学报(自然科学版).—2006,25(4).—60-62,77(G)0625825非离子型Gemini表面活性剂的表面活性与固液界面吸附特性研究〔刊,中〕/杨颖//中国石油大学学报(自然科学版).—2006,30(3).—123-125(E)0625826柴油添加剂的机理对比实验〔刊,中〕/董铸荣//深圳职业技术学院学报.—2006,5(2).—31-33(C)0625827软质聚氨酯泡沫匀泡剂合成工艺优化〔刊,中〕/李雅丽//纺织高校基础科学学报.—2006,19(2).—160-162(E)0625828绿色热塑性木薯淀粉材料制备与性能〔刊,中〕/黄明福//北京理工大学…     

通用工艺与设备 电子工艺

0625999基于JPEG2000标准的ROI技术分析与实现〔刊,中〕/胡荣锋//信息安全与通信保密.—2006,(7).—151-152,156(L)0626000工艺参数对频率选择表面传输特性试验研究〔刊,中〕/吕明云//北京航空航天大学学报.—2006,32(6).—713-715(E)0626001UV-CTP技术及发展〔刊,中〕/门红伟//信息记录材料.—2006,7(4).—38-43(C)0626002射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响〔刊,中〕/刘技文//光电子·激光.—2006,17(5).—558-563(E)采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射…     

化合物半导体

0003573气相沉积法分子筛封装 SnO_2纳米半导体材料的研究[刊]/张义华//功能材料.—1999,30(6).—651～652,662(C)0003574SnO_2/Fe_2O_3纳米复合粉的制备与表征[刊]/潘登余//功能材料与器件学报.—1999.5(4).—323～326(C)0003575正交实验方法研究 PECVD 碳化硅薄膜的防水汽扩散性质[刊]/姜利军//功能材料与器件学报.—1999,5(4).—318～322(C)0003576     

通用工艺与设备 真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

0626006IBAD制备非晶碳膜与CrN镀层的耐磨性能比较及机理分析〔刊,中〕/杜军//真空科学与技术学报.—2006,26(3).—255-258(L)采用离子束辅助溅射沉积(IBAD)法,在高速钢基体上制备非晶碳膜(a-C)及CrN镀层,对两者的耐磨性能分析比较,并对其耐磨机理进行分析。结果表明:非晶碳膜的耐磨性能优于CrN镀层;文中讨论了摩擦系数和硬度对镀层耐磨损性能的影响,并通过分析动态膜基结合强度,证明两种镀层的磨损由不同磨损机理引起。参70626007线形微波等离子体CVD金刚石薄膜沉积技术〔刊,中〕/唐伟忠//真空科学与技术学报.—2006,26(3).—251-2…     

互连、布线、隔离、封装与装架工艺、表面安装工艺

0608927MOCVD侧向外延GaN的结构特性〔刊,中〕/方慧智//发光学报.—2005,26(6).—748-752(E)0608928封装的热特性分析模型〔刊,中〕/Jay S.Nigen//中国集成电路.—2005,(12).—66-68,37(G)0608929层叠封装(PoP,Package-on-Package)设计的指导原则〔刊,中〕/Amkor Technology公司//中国集成电路.—2005,(12).—61-65,60(G)0608930热超声倒装键合同步触发系统的设计〔刊,中〕/李建平//中南大学学报(自然科学版).—2005,36(6).—1026-1030(L)通过热超声倒装键合测量系统同步触发实验对比研究了单片机扫描工作模式和单片机中断工作模式…     

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

0102096基于人工神经网络方法的 LSI 工艺优化实践[刊]/石林初//微电子技术.—2000,28(5).—39～44(E)0102097行波管夹持杆微波等离子体化学气相沉积金刚石厚膜改善散热性能研究[刊]/谢扩军//电子学报.—2000,28(9).—85～87,77(C)MOCVD 生长的蓝宝石上隐埋栅 A1GaN/GaN 调制掺杂场效应晶体管(见0102007)铝合金微弧氧化技术(见0101825)多管下降炉生长 Bi_4Ge_3O_(12)单晶的温场与界面(见0101822)     

纳米材料

0616819纳米镍粉的制备工艺研究〔刊,中〕/胡志华//西华大学学报(自然科学版).—2006,25(2).—84-87(G)0616820量子限域纳米半导体上低碳烷烃的光助催化氧化〔刊,中〕/李新勇//渤海大学学报(自然科学版).—2006,27(1).—1-5(G)0616821反应介质对纳米层状双金属氢氧化物的影响〔刊,中〕/王军锋//纺织高校基础科学学报.—2006,19(1).—58-61(E)0616822纳米ZnO对涤沦织物抗紫外线整理〔刊,中〕/张辉//西安工程科技学院学报.—2006,20(1).—1-5(C)0616823纳米二氧化锆的制备及其对对硝基氯苯的降解〔刊,中〕/宋力//信阳师范学院学报(自然科学…     

晶体与微声材料

0616837CAN总线在人造金刚石合成车间中的应用〔刊,中〕/李银河//计算机测量与控制.—2006,14(4).—488-490(C)0616838超薄组合圆锯片在生产中的应用〔刊,中〕/吴卫民//应用科技.—2006,33(2).—59-61(D)0616839多枝CdS纳米晶粒的溶剂热法制备及光学性能研究〔刊,中〕/王青青//真空科学与技术学报.—2006,25(增刊).—72-75(L)0616840氯化钠晶体注入着色〔刊,中〕/宋翟英//光电子·激光.—2006,17(3).—334-336,351(E)0616841石英晶体微天平研究核酸探针的杂交反应模型〔刊,中〕/吴永强//压电与声光.—2006,28(2).—221-222,226(L)核酸探…     

电源技术

0510电源基础0625962微波法制备LiCoO2正极材料及其电化学性能研究〔刊,中〕/徐徽//电源技术.—2006,30(7).—591-593(D)0625963CeO2基中温电解质材料的掺杂改性〔刊,中〕/杨建平//电源技术.—2006,30(8).—684-688(D)0625964废旧锂离子蓄电池正极材料回收研究〔刊,中〕/秦毅红//电源技术.—2006,30(8).—660-664(D)从废旧锂离子蓄电池中回收钴酸锂有两种方法,即直接回收钴酸锂,以及先回收钴和锂然后再合成得到钴酸锂。比较了这两种方法所得产品的电化学性能。参70625965锂离子蓄电池锡基复合负极材料的研究〔刊,中〕/郑颖//电源技术.—…     

材料制备工艺

0608920沉积温度对HfO2薄膜残余应力的影响〔刊,中〕/申雁鸣//强激光与粒子束.—2005,17(12).—1812-1816(E)0608921超高压制备n型PbTe的性能与分析〔刊,中〕/张丽丽//电源技术.—2005,29(11).—758-761(D)0608922双核铜配合物[Cu2(Ophen)2]·2H2O(Hophen=2-羟基-1,10-啉菲咯啉)的水热合成和晶体结构〔刊,中〕/胡长文//北京理工大学学报.—2005,25(12).—1103-1105,1112(L)0608923超薄层Si OxNy栅介质薄膜的制备与研究进展〔刊,中〕/张弘//河北大学学报(自然科学版).—2005,25(6).—673-679(L)0608924阳极氧化工艺对氧化铝模板孔径的…     

材料制备工艺

0014476香草醛改性壳聚糖制备的研究[刊]/吴根//河北科技大学学报.—2000,21(2).—73～77(L)C_(60)与金刚石薄膜成核关系的研究(见0014215)sol-gel 法制备纳米碳化硅晶须的研究(见0014200)薄水铝石制备实验的改进(见0014194)     

真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺

0210753集成电路内引线键合工艺材料失效机制及可靠性〔刊〕/马鑫//电子工艺技术.-2001,22(5).-185～191(D) 引线键合是集成电路第一级组装的主流技术。也是30多年来电子器件得以迅速发展的一项关键技术。对引线键合技术和可能发生的失效现象进行了综述,对提高键合点长期储存/使用可靠性具有指导意义。参36     

电源技术 电源基础

0625852硫化氢间接电解制氢电极材料性能研究〔刊,中〕/邢定峰//中国石油大学学报(自然科学版).—2006,30(3).—126-130,134(E)0625853二茂铁甲酸/L-半胱氨酸修饰金电极的制备及对抗坏血酸的电催化测定〔刊,中〕/谢友斌//安徽师范大学学报(自然科学版).—2006,29(3).—258-261(E)0625854细胞色素C/L-半胱氨酸修饰电极的电化学行为研究〔刊,中〕/刘云春//安徽师范大学学报(自然科学版).—2006,29(3).—255-257(E)采用自组装饰法将细胞色素C修饰到以L-半胱氨酸为连接剂的金电极上,并运用循环伏安法(CV)、电化学阻抗法(EIS)等方法研究了…     

薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术

在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.     

薄膜厚埋层SOI材料的新制备技术

在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.     

陶瓷材料

0210304钙钛矿型铁电薄膜的溶胶-凝胶法制备〔刊〕/王歆//压电与声光.-2002,24(1).-57～60(L) 介绍了溶胶-凝胶薄膜制备法,研究了浸涂法和旋涂法对薄膜质量的影响因素和控制理论,阐述薄膜干燥法与裂纹形成机理,基片因素对晶体结构的影响等问题。讨论溶胶-凝胶法制膜过程中,铁电薄膜全钙钛矿的形成和晶粒的定向生长。参10