分子束外延 GaAs/AlGaAs 量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ．     

分子束外延GaAs／AlGaAs量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。     

产生1.3μm超短光脉冲的增益开关LD实验系统

分析了半导体激光器（ＬＤ）增益开关的理论特性。直接调制１．３μｍ国产双异质结ＩｎＧａＡｓ激光器得到重复频率为１．１ＧＨｚ，脉宽为２５－５０ｐｓ的超短光脉冲。     

H2SO4—H2O2—H2O对GaAs晶片的择优腐蚀

为研制具有沟道衬底的单模激光器，讨论了Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２－Ｈ２Ｏ对ＧａＡｓ晶片的择优腐蚀。实验证明，使用Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：８：８腐蚀液，在ＧａＡｓ（１００）面上沿［０１１］和［０１１］方向开槽分别获得燕尾槽和Ｖ型槽衬底，满足了器件设计的要求。     

长周期掺杂超晶格GaAs／AlxGa1—xAs红外吸收的研究

目的 研究长周期掺杂超晶格ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ红外吸收的特性,尤其在１０．６μｍ处的红外吸收。方法 在有效质量的基础上,计算ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ系列超晶格材料能带及带间光吸收谱。结果 发现当ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ的周期层厚为１８ｎｍ,ＧａＡｓ层厚为３ｎｍ,在１０．６μｍ处有一强的红外吸收峰。结论 这类材料可被作为特定波段的红外吸波材料。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ,峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。     

高迁移率GaAs外延片制备的研究

提出了在ＧａＡｓ液相外延过程中，采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺，获得具有电参数ｎ＝１０１６～１０１７ｃｍ－３，μ＝４～５×１０３ｃｍ２／ｖ·ｓ（３００Ｋ）的ＧａＡｓ液相外延片．总结出生长高迁移率ＧａＡｓ外延片的制备方法．     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ双异质结激光器。脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率的１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ。较详细地介绍了器件制作的后工艺过程。     

A Simulated Annealing-Based Algorithm for Traveling Salesman Problem

ＡＳｉｍｕｌａｔｅｄＡｎｎｅａｌｉｎｇ－ＢａｓｅｄＡｌｇｏｒｉｔｈｍｆｏｒＴｒａｖｅｌｉｎｇＳａｌｅｓｍａｎＰｒｏｂｌｅｍＧＵＯＭａｏｚｕＣＨＥＮＢｉｎＨＯＮＧＪｉａｒｏｎｇ（郭茂祖）（陈彬）（洪家荣）（Ｄｅｐｔ．ｏｆＣｏｍｐｕｔｅｒＳｃｉｅｎｃｅａ...     

980nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

利用分子束外延技术研制出了高质量ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料及量子阱激光器，在室温和１０Ｋ温度下，应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为３２ｍｅＶ和２．４ｍｅＶ，宽接触激光器的阈值电流密度低达１４０Ａ／ｃｍ￣２。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８Ｗ／Ａ，线性输出功率大于１２０ｍｗ，基横模输出功率可达１００ｍＷ。ＩｎＧａＡｓ应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为４０ｍＷ，最大值可达６０ｍＷ。显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在４０ｍＷ下，中心发射波长在９７７ｎｍ，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源。     

Banach代数中的行列式理论

探讨了 Banach 代数中的行列式理论.给出了具有单位元的迹 Banach 代数具有行列式的充要条件.     

非织造布滤料性能及过滤过程的研究进展

对近年来非织造布滤料的研究进展做了简要综述,介绍了内部结构的研究及表征、过滤性能及其影响因素、过滤过程的计算机模拟,指出进一步发展所需要解决的问题。     

Towards Excellence in Science Chinese Academy of Sciences

<正>May 26,2014,BeijingScience is a human enterprise in the pursuit of knowledge.The scientific revolution that occurred in the 17th Century initiated the advances of modern science.The scientific knowledge system created by human beings,the tremendous productivity brought about by science,and the spirit,methodologies and norms formulated in scientific practice since the 17~(th)Century have long become essential elements of     

SCIENCE CHINA Technological Sciences SUBJECT INDEX TO VOLUME 57(2014)

<正>~~     

单面约束系统的微分变分原理与运动方程

研究单面约束力学系统的微分变分原理和运动方程。方法利用Ｄ＇Ａｌｅｍｂｅｒｔ原理建立Ｄ＇Ａｌｅｍｂｅｒｔ－Ｌａｇｒａｎｇｅ原理．Ｊｏｕｒｄａｉｎ原理和Ｇａｕｓｓ原理,结果与结论得到系统的微分变分原理和带乘子的Ｅｕｌｅｒ－Ｌａｇｒａｎｇｅ形式,Ｎｉｅｌｓｅｎ形式和Ａｐｐｅｌｌ形式的运动方程。     

q-树的重构性

q 是一个正整数,所谓 q-树的图是递归定义的:最小的 q-树是完全图 K_q,一个 n+1阶的 q-树是通过在 n 阶 q-树上加上一个新点并连接这点与 n 阶 q-树中任意 q 个互相邻接的点而获得,其中 n≥q.1-树我们通常称为树.在本文中,证明了对任意正整数 q,q-树是可重构的.     

β-环糊精-毛细管区带电泳分离扑尔敏对映体

采用毛细管区带电泳模式,以β-环糊精为手性选择剂分离了药物扑尔敏的光学对映体.考察了在不同背景电解质 pH 值尤其是较低 pH 值下环糊精浓度对对映体表观淌度差的影响,并研究了有机改性剂尿素在分离中的作用.     

层状球形夹杂复合材料的弹性模量

利用层状球形夹杂在无限大基体中的局部化关系及平均应力场理论,给出了一种方法来分析含 n 种层状球形夹杂所构成复合材料的弹性模量.对于文献给出的空心玻璃球和高分子基构成的复合材料,该理论的预测与实验吻合很好.当表层稍失时,该理论退化为传统的 Mori-Tanaka平均应力场理论.     

CVD涂层硬质合金刀具的失效机理

通过系统的实验研究和理论分析,揭示了 CVD(化学气相沉积)涂层硬质合金刀具在磨损和破损状态下的不同的失效机理,并在机理分析的基础上,阐明了涂层硬质合金刀具对于切削条件的特殊适应性.     

特征关系与工艺决策

从并行工程的原理出发,提出了一个基于特征的并行 CAPP 系统.在特征建模的基础上,系统能够推理特征之间的关系,产生零件的特征向量图;利用加工知识库,通过动态规则匹配,系统可以确定特征的加工方法、加工参数及其加工顺序;通过优化确定最佳的工艺计划.