梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制

采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。     

片式叠层压敏电阻器及其应用

用流延工艺把电极层和半导体陶瓷交错排布，经烧结而成的片式叠层压敏电阻器，其结构类似多层陶瓷电容器。通过与氧化锌压敏电阻器及其他压敏电阻器比较表明，片式叠层压敏电阻器具有优良的性能。并论述这类压敏电阻器在ＩＣ保护、ＣＭＯＳ器件保护、汽车电路系统保护等方面的应用。     

叠层片式ZnO压敏电阻器研究进展

叠层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)具有体积小、通流容量大、响应速度快、表面安装性好和易实现低压化等优点,其广泛应用于电子和电力系统中。介绍了叠层片式ZnO压敏电阻器的生片材料和内电极材料的研究现状,分析了当前工艺中存在的电极扩散问题,并提出了其解决的办法,同时指出了叠层片式ZnO压敏电阻器向低压化、小型化、集成化及低成本化方向发展的趋势。     

低温烧结非线性Zn-Bi/Sn系压敏瓷料的研究

为了在较低烧成温度条件下制备电性能优异的压敏电阻器,通过制备Bi2O3/SnO2合成粉的方法在870~950℃的温度范围内研制出压敏场强为210~260 V/mm,漏电流小于1 mA,非线性系数大于40的压敏电阻器。本文系统研究了Bi2O3/SnO2合成粉含量及不同烧结温度对ZnO压敏电阻材料结构和电性能的影响。用高分辨率扫描电镜对瓷体结构进行了分析;依据液相烧结理论和双肖特基模型对实验结果进行了讨论。     

氧化锌压敏陶瓷的微波烧结工艺研究

微波烧结技术因能改善被烧结材料的微观结构和性能,已经成为材料制备领域里新的研究热点。本文以氧化锌压敏陶瓷为研究对象,以Bi_2O_3含量、升温速率、烧结温度、保温时间为四要素对陶瓷的微波烧结工艺设计了正交实验。研究发现,微波烧结所得样品与传统烧结样品相比,其漏电流和非线性系数均得到了优化。通过对正交实验数据的分析,得出了针对每个性能的最优工艺参数及各要素对各性能影响的主次顺序,最后经综合考虑确定了微波烧结氧化锌压敏陶瓷的最优工艺参数,得到了压敏电位梯度为362. 3 V/mm,非线性系数为50. 24,漏电流密度为1. 55×10~(-6)A/cm~2,密度为5. 603 g/cm~3的氧化锌压敏陶瓷。缩短了烧结时间,优化了陶瓷的性能。     

Pr系ZnO压敏陶瓷的sol-gel法制备及电性能研究

以Zn(N03)2和NaOH为原料,采用sol-gel法制备了Pr系ZnO压敏陶瓷.研究了所制压敏粉体和压敏陶瓷的性能.结果表明:干凝胶在700℃下煅烧2 h,得到球状Pr系ZnO粉体颗粒,平均粒径为200 nm.1 220℃烧结制备的Pr系ZnO压敏陶瓷性能优异:晶粒大小约为3.2μm,压敏电压为910 V/mm,非...     

激光冲击波对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

为了研究激光冲击处理对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响,采用Nd:YAG激光器对ZnO压敏陶瓷进行激光冲击处理,利用压敏电阻直流参量仪（CJ1001型）测量材料电学参量和X射线衍射仪、电子扫描显微镜表征相组成及微观形貌,取得了激光冲击处理前后ZnO压敏陶瓷电学性能的实验数据。结果表明,ZnO压敏陶瓷经激光冲击处理后,电位梯度降低了15.6%;非线性系数大幅提高了43.4%;漏电流降低了50%;同时,ZnO压敏陶瓷相组成除高温烧结态(包括ZnO主晶相、Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相以及-Bi2O3相)外,而还出现了新相-Bi2O3相。新相的出现是材料电学性能变化的根本原因。     

电子元件、组件

TM54,TN379 99010511籽晶法制备低压zno压敏电阻器/章天金,周东祥,龚树萍,姜胜林(华中理工大学)11电子元件与材料·一1998,17(4).一10一11研究了ZnO仔晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影晚实验结果表明;掺入适童粒度合适的籽晶,勿徽在高温下长时间烧结,也可制成压敏电压较低,漏电流较小的ZnO压敏电阻器.图2表2参6(许)TM5499010512涂班层质t与电阻器失效的关系/阮世池,黄书万(电子科技大学信息材料工程学院)11电子元件与材料.一1998,17(4).一19一21,24利用电子显微镜分析技术对RY~ZW~15k0电阻器在电视机中失效原因进行了分析,对…     

含BCL烧结助剂的CSLST微波介质陶瓷的水基流延

以苯丙乳液为粘结剂,聚丙烯酸(PAA)为分散剂,丙三醇为增塑剂,去离子水为分散介质,对添加烧结助剂B2O3-CuO-LiCO3(BCL)的(Ca0.9375Sr0.0625)0.3(Li0.5Sm0.5)0.7TiO3(CSLST)微波介质陶瓷粉体进行了水基流延成型工艺的研究。通过研究各种添加剂含量对浆料流变性能的影响,得出了适合流延的浆料配方(质量分数)为:陶瓷粉料50%,分散剂1%,粘结剂10%,增塑剂与粘结剂质量比为1:4。该浆料呈剪切变稀特性,经流延可制备均匀无裂纹的流延膜片。膜片叠层后在900℃下烧结具有较佳的微波介电性能:εr=75.8,Q×f=1 422 GHz,τf=13.39×10–6/℃。     

ZnO压敏陶瓷的PVA系水基流延成型工艺及其性能

采用聚乙烯醇(PVA)系水基流延成型工艺制备了ZnO压敏陶瓷的水基流延膜。用粒度分析、粘度测量和动态机械热分析等方法研究了各组分对水基流延浆料性能的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了水基流延膜的微观结构和物相组成。结果表明:在浆料质量比(陶瓷粉体:去离子水:分散剂:粘结剂:增塑剂:表面活性剂)=100:84.6:1:6:5.4:3时,所制水基流延膜无缺陷且微观结构均匀;另外,该流延膜经900℃烧结后具有良好的电性能:电压梯度E1mA=112.4 V/mm,非线性系数=34.6,漏电流密度JL=0.5×10–6A/cm2。     

ZnO对锰锌铁氧体磁性能温度特性的影响

采用氧化物陶瓷工艺制备MnZn功率铁氧体,通过在不同温度下对铁氧体磁性能的测试,研究了ZnO含量对MnZn功率铁氧体磁性能温度特性的影响.结果表明,MnZn功率铁氧体室温下的起始磁导率和饱和磁感应强度随ZnO含量的增加呈先升高后下降的趋势,当w(ZnO)=12%时,起始磁导率和饱和磁感应强度达到最大值.同时,ZnO含量增加,起始磁导率-温度(μ_i-T)曲线Ⅱ峰所对应的温度点向低温移动,居里温度则一直降低.在100 kHz、200 mT条件下,随着ZnO含量的增加,常温下铁氧体的损耗先减小后增大,且损耗最低点温度也逐渐降低,并对应着μ_i-T曲线的Ⅱ峰位置.     

用脉冲激光沉积方法制备的ZnO薄膜的结构及光致发光特性

在从室温到800℃的温度范围内,用脉冲激光沉积方法在Al₂O₃（0001）衬底上制备了ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜以及荧光光谱仪分别研究了衬底温度对ZnO薄膜表面形貌、结晶质量和光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜的结果表明,当衬底温度从室温升高到400℃时,ZnO薄膜的结构及结晶质量逐渐提高,而当衬底温度超过400℃时,其结构和结晶质量变差;在400℃下生长的ZnO薄膜具有最佳的表面形貌和结晶质量。室温光致发光的测量结果表明,400℃下生长的ZnO薄膜的紫外发光强度最强,且发光波长最短（386 nm）。     

Influence of Mn-doping concentration on the microstructure and magnetic properties of ZnO thin films

The microstructure and magnetic properties of Mn-doped ZnO films with various Mn contents, synthesized by magnetron sputtering at room temperature, are investigated in detail. X-ray diffraction (XRD) measurement results suggest that the doped Mn ions occupy the Zn sites successfully and do not change the crystal structure of the ZnO films. However, the microstructure of the Mn-doped ZnO films apparently changes with increasing the Mn concentration. Arrays of well-aligned nanoscale rods are found in the Mn-doped ZnO films with moderate Mn concentrations. Magnetic measurement results indicate that the ZnO films doped with moderate Mn concentration are ferromagnetic at room temperature. The possible origin of the ferromagnetism in our samples is also explored in detail.     

制备纳米发光氧化锌的新方法

采用一种全新的高电压电解方法,制得了室温条件下具有可见光致荧光的ZnO颗粒。这一制备技术具有取材容易、设备简单、条件温和、对环境友好、具有绿色合成的特点。探讨了电解制备ZnO的最佳实验条件。用X射线衍射、荧光分光光度计、透射电镜、透光率等实验手段对电解样品进行了表征,并对反应机理进行了初步探讨。结果表明,该方法制得的ZnO颗粒粒度小,结构为纤锌矿型多晶,室温光致荧光效应强。     

MOCVD法制备ZnO同质发光二极管

在n型ZnO体单晶片上, 首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电注入激发出紫外至绿光波段的光谱.     

激光沉积制备A15-Nb3Al/B2叠层金属间化合物复合材料

铌基金属间化合物是一种潜在高温结构材料,室温脆性大。用Nb-12Ti-22Al和Nb-40Ti-15Al两种混合粉末,经激光沉积分别合成制备了A15-Nb3Al金属间化合物脆性涂层和韧性B2结构合金涂层。通过对制备工艺的研究,基本实现了每层成分和层厚的控制,利用韧脆相间层层叠加方法用激光制备出不同层厚比的脆韧相间A15-Nb3Al/B2叠层结构金属间化合物基复合材料。叠层复合材料的元素成分、显微组织和显微硬度均呈周期性变化,界面存在渐变过渡。叠层结构Nb基金属间化合物复合材料具有良好的室温和高温强度,性能呈各向异性。随着脆韧层厚比的增大,叠层复合材料的强度增加,在水平、竖直两方向的室温屈服强度最高分别可达1030 MPa和871 MPa,900℃屈服强度最高分别为301 MPa和267 MPa。     

层压封装平面LED光源的耐候实验

研究了层压封装的平面LED光源在高温高湿与水下环境的可靠性。平面LED光源采用标准层压工艺封装,对封装后的LED模组进行高温高湿耐候试验与水下环境试验,并与未封装的LED模组进行对比实验。实验结果表明,在环境温度为80℃、相对湿度为80%,模组工作电流为300 mA,连续33天高温高湿条件下,层压封装的平面LED模组的照度变化和温度均高于未封装的LED模组。在40℃水下环境下连续工作400 h,层压封装的平面LED模组的照度略有变化,且光衰小于1%。因此,层压封装能有效阻断外界高温高湿环境对LED模组可靠性的影响,更适合在常温水下照明应用。     

Effect of growth conditions on zinc oxide nanowire array synthesized on Si (100) without catalyst

A uniformly distributed ZnO nanowire array has been grown on silicon (100) substrates by catalyst-free chemical vapor transport and condensation. The effect of growth conditions including source heating temperature, substrate temperature, and gas flow rate on growth properties of ZnO nanowire arrays are studied. Scanning electron microscopy, X-ray diffraction, and room temperature photoluminescence are employed to study the structural features and optical properties of the samples. The results show a correlation among experimental growth parameters. There is a zone for substrate temperature, by controlling gas flow rate, that uniformly distributed and well aligned ZnO nanowire arrays can be grown. Also, experiments indicate that ZnO nanowire arrays with different diameter along their length have been formed under various growth conditions in the same distance from source material. It is found that supersaturation is a crucial parameter determining the growth behavior of ZnO nanowire arrays. The growth mechanism of ZnO nanowires is discussed. The room temperature photoluminescence spectrums of ZnO nanowire array show two emission bands. One is the exciton emission band (centered at 380 nm) and the other is a broad visible emission band centered at around 490 nm. As the substrate temperature decreases, the intensity of UV emission increases while the intensity of visible emission peak decreases.     

ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长

利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长出规则排列的纳米岛 .实验发现随着生长时间的增加 ,在蓝宝石衬底上沉积的 Zn O晶体颗粒无论是密度还是体积都在增加 ,并出现颗粒之间的交叠现象 .与厚膜材料相比 ,相应的室温 PL 谱上显示出带边蓝移现象 ,随着生长温度的提高将大大增加 Zn O在蓝宝石衬底上成核的困难 .另外 ,所有样品的室温 PL 谱在带边附近均存在一个展宽峰 ,这可能是由表面态或晶体缺陷造成的 .研究表明选择合适的生长时间与生长温度是利用MOCVD生长高质     

ZnO growth toward optical devices by MOVPE using N2O

Wide bandgap semiconductor zinc oxide (ZnO) layers were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) using nitrous oxide (N₂O). Strong ultraviolet (UV) photoluminescence emissions with 1000 times less deep ones at room temperature were observed from ZnO layers grown on sapphire. Alow temperature (500 C)-grown buffer layer of ZnO was effective to enhance the initial nucleation process and to achieve high quality ZnO layers on it at higher growth temperatures (600–700 C). ZnO layers grown on III–V semiconductor substrates showed dominant UV luminescence in spite of low temperature growth. These results imply the abilities of high quality ZnO growth by MOVPE.