微电子文摘

1 IC CAD/CAT/CAM技术WD93101 适用于容错单片集成电路的成品率统计模型=在设计容错结构超大规模集成电路时,为了选取最佳冗余形式,必须评估采用各种冗余方法的电路成品率。本文介绍了适用于具有冗余结构的VLSI的成品率统计模型。根据文中描述的模型,有一个广义的负二项式分布,而且这种分布取决于利用玻色-爱因斯坦统计学或麦克斯韦-玻耳兹曼统计学的碎屑缺陷尺寸。文章推导出了适合表征电路模型间的缺陷正规和非正规分布时不同冗余方法的电路成品率表达式。参7(下一)     

光刻掩模缺陷对IC成品率的影响

本文叙述了光刻掩模的缺陷对IC成品率的影响，着重介绍了缺陷产生的原因及消除的方法，并对国内外光刻掩模生产现状作简要介绍。     

ULSI掩模缺陷检查技术研究

本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。提出了如何保证缺陷检查的捕俘率以及降低伪缺陷的方法。对单层掩模版的图形品成率和整套掩模版图形成品率的正确预测做了分析研究，并可由预测的结果揭示出IC芯片生产中的成品率应达数。还讨论了掩模秧陷的分类和产生的工艺因素。     

集成电路芯片的工艺诱生缺陷

调研了三条100—150mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷。研究表明，这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷，离子注入诱生弗兰克不全位错，薄膜应力和杂质收缩应力引起的位错和隔离扩散区的位错。前二种缺陷存在于MOS电路，后一种存在于双极型电路。弗兰克不全位错起因于离子注入损伤诱生的氧化诱生层错(OISF)，薄膜应力和杂质收缩压力引起的位错和隔离扩散区的位错都与薄膜应力和高浓度替位杂质的收缩应力有关。同时，提出了减少这几类缺陷密度的工艺途径。     

集成电路局部缺陷模型及其相关的功能成品率分析

大规模集成电路（VLSI）使亚微米特征尺寸的大面积集成电路制造以及集成数百万个器件在一芯片上成为可能。然而,缺陷的存在致使电路版图的拓扑结构发生变化,产生IC电路连接错误,导致电路丧失功能,从而影响IC的成品率,特别是功能成品率。文章主要对缺陷的轮廓模型、空间分布模型和粒径分布模型作了介绍;对集成电路成品率的损失机理作了详细论述。最后,详细介绍了功能成品率的分析模型。     

光刻设备

<正> 将半导体电路图形转移到晶片的光刻技术是半导体制造工艺的核心,其发展相当快。几年前,主要采用掩模与片子紧密接触或使两者约离开10μm 的间隙的一次光刻法(接触、接近式),但因图形对准精度、成品率等问题,正在向投影式光刻方向转变(见图1)。     

一种有效的IC成品率估算模型

从缺陷造成电路故障的机理出发,给出了芯片故障概率和成品率的计算新模型.利用IC功能成品率仿真系统XD-YES对实际电路XT-1成品率参数的提取,同时利用新模型进行计算,其结果与实际结果符合很好.     

一种有效的IC成品率估算模型

从缺陷造成电路故障的机理出发,给出了芯片故障概率和成品率的计算新模型.利用IC功能成品率仿真系统XD-YES对实际电路XT-1成品率参数的提取,同时利用新模型进行计算,其结果与实际结果符合很好.     

基于像素分布特性的IC晶片视觉检测方法

IC晶片制造过程存在多种致命缺陷,致使芯片失效,导致成品率下降.冗余物缺陷是影响IC晶片成品率下降的重要原因,主要造成电路短路错误.针对冗余物缺陷对版图的影响,提出了一种简单可行的缺陷视觉检测方法,以实现冗余物缺陷的识别及电路失效形式的确定.根据摄取的显微图像的图像特征,利用光线补偿技术及形态滤波方法消除干扰噪声,以提高图像质量,采用投影定理及基于像素分布特性的检测方法,实现电路短路形式或缺陷未导致电路失效的识别.     

用白光空间滤波系统检查IC掩模缺陷

本文介绍一种使用空间滤波的实时单一镜头白光信息处理系统来检查IC光刻掩模缺陷的方法。采用这种方法比传统的镜检法或激光相干处理技术更为简单、快速,且效果明显。它能明显地检查出IC掩模里的黑点、针孔、刻痕、电路缺损、短路和断路等微小缺陷,并可检测出最小线度为2μm的缺陷。     

厚膜多层电路基板

利用二维基板表面的混合IC获得了发展。但是,近年来,随着电子线路的小型化、轻量化、薄型化和多功能化,已广泛引入三维高密度安装技术。特别是在半导体IC的高性能、高功能化中,必须研究包括外围电路的综合高密度安装形式。为提高单位体积的电路密度,可通过电路布线的多层化来实现,其方法有如表1所示:(1)厚膜印刷法;(2)生薄板法;(3)薄膜法等等,应根据安装的电     

反应溅射氧化铁光刻掩模试制小结

一、概述 在以往的集成电路的生产中,尤其是在中、大规模集成电路的试制中,深深感到高质量光刻掩模的需要。举例说:在多层布线工艺试验工作中,目前最难于解决的问题莫过于光刻中所产生的针孔,而针孔的产生,掩模的质量是问题的主要方面之一。在中、大规模集成电路的试制中,由于芯片的集成度提高,芯片尺寸增加,掩模图形质量对电路成品率产生巨大影响,不解决掩模质量问题,中、大规模电路的批量生产看来是困难的。由于生产和科研工作开展的实际需要,促使我们开展了选择性透光掩模(即彩色版)的试制。 选择性透光掩模之所以受人注意,主要是它们具有以下几方面优点: a.具有选择性透光,便于光刻时图形套准,而且不必在掩模上作对准标记。 b.光反射率低,改善了边缘锐度,提高了分辨率,有利于细线条光刻。光反射率低,使光刻操作者眼睛不致疲劳。 c.透光掩模本身具有优良的薄膜特性,如针孔密度小,粘附性好,耐划伤等。 目前,一般认为具有代表性的有发展前途的透光掩模大致有三种:即硅、氧化铬和氧化铁。硅掩模是一种相当出色的掩模。据称硅掩模针孔密度最小,可认为无针孔     

基于小波变换的IC缺陷轮廓曲线分形维估计

硅片表面缺陷轮廓的形状特征对集成电路(IC)成品率预报及故障分析有重要影响。讨论了IC缺陷轮廓所具有的分形特征,利用小波变换对其参数曲线的分形维数进行了估计,估计结果与实际特征相符,从而为缺陷轮廓特征的描述和计算机模拟提供了一条新的途径。     

IC缺陷轮廓多分形特征研究

IC真实缺陷轮廓曲线的形状特征对集成电路成品率预报及故障分析有重要影响。该文提出缺陷轮廓曲线具有多分形特征,以某一真实缺陷为例,用小波变换模极大(WTMM)的方法估计了其轮廓曲线参数方程的多分形谱,该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益探索。     

单晶硅透射式AMLCD

采用薄膜单晶硅制备出具有192×192个象素的有源矩阵电路,它具有集成驱动和扫描功能。利用标准的IC制备工艺制出电路并将其安装到玻璃衬底上形成透射式AMLCD。2.5英寸×2.5英寸的单色显示器的象素成品率大于85%。单器硅器件的响应速度快,漏电流小,驱动容量大;利用这些优点,可制备高对比度、高象素密度并具有周边集成电路的显示器。此外,还可提高显示器的开口率。     

成都牌彩电偏色故障的检修

故障现象:一台成都牌C47—851型18英寸彩电,出现图像发青,缺少红色。但伴音正常。分析与检修:根据故障现象分析,造成这种故障的原因,大致可分为三种:1.IC201集成块损坏;2.矩阵电路Q_(602)(JUO190)厚膜集成块损坏;3.显像管R枪电路有故障。经检查显像管R枪和IC201集成块     

输入阻抗升高电路

本文介绍的输入阻抗升高电路原理如附图所示。该电路由TLC272(IC)等组成。输入阻抗计算公式:Rin=R+1[(R2+R3)/R3] 根据附图中R1～R3的阻值,可计算出该电路输入阻抗为10~9Ω。     

基于IC产品分档的成品率与效益协调优化设计方法

文章在对IC产品按性能优劣分档的基础上，构造了一个既能体现IC产品的性能优劣和价格大小，又可根据各档次IC产品的市场价格进行调节的性能价格函数：Ep(X)=-1pln{e^-p ∑Mi=1e^P(kiΦi(x)-α)}，从而建立了成品率与效益协调优化模型：maxX^0YE(X^0)=∫R^aEp(X)P(X,X^0)dX。     

大规模集成电路掩版模的检查与质量分析

在大规模集成电路的制造中,掩模版的特点是:1)掩模必须是分层作图,且每层之间的掩模图形按设计要求套刻;2)、掩模的图形尺寸变化应控制在设计的一定容差范围;3)掩模图形内的任何缺陷,都会导致电学的穿通或错误连结,所以对缺陷尺寸、位置及密度都有严格要求;4)掩模图形本身的质量,包括黑白反差和边缘锐度等等将会影响光刻工艺质量,这也是对掩模要求着眼点之一,…….     

各种规模集成电路

9915120步进电机微机控制卡的研制[刊]/陆渭林//声学与电子工程.—1999,(2).—34～39(D)9915121VLSI 容错设计研究进展(1):缺陷的分布模型及容错设计的关键技术[刊]/郝跃//固体电子学研究与进展.—1999,19(1).—20～32(D)随着芯片面积的增加及电路复杂性的增强,芯片的成品率逐渐下降.为了保证合理的成品率,人们将容错技术结合人了集成电路。文中首先概述了缺陷及其分布,然后概述了容错技术,并详细地叙述了动态容错技术中的两个关键问题:故障诊断及冗余单元的分配问题。参37